公开(公告)号：CN107645278A

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201711007162.8

申请日：2017-10-25

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 周子游

IPC分类号： H02S50/15

摘要： 本发明公开了一种PERC电池过烧的检测方法，该检测方法包括以下步骤：对烧结后PERC电池进行EL测试；根据烧结后PERC电池的背面EL测试图像判断PERC电池片是否存在过烧现象。本发明检测方法可以直观的观察到整片电池片的整体情况，能够及时、准确、全面的判断PERC电池是否存在过烧现象，能够避免因误判而造成不必要的损失；同时本发明检测方法通过及时、准确、全面的判断氮化硅薄膜是否被烧穿，为调整烧结工艺提供了更加直观的依据，对于及时调整PERC电池的制备工艺以提高电池片的效率具有重要意义。

公开(公告)号：CN103746026A

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201310653357.5

申请日：2013-12-05

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 姬常晓 ,  周子游 ,  刘文峰

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC分类号： Y02P70/521 ,  H01L31/02245 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/1804

摘要： 本发明公开了一种前电极绕射式局域背场钝化晶体硅电池的制备方法，在硅片衬底上通过激光器在前电极主栅位置打出一列排布均匀的空洞，取代主栅电极并把指栅电极引到电池背面，起到减小前主栅电极遮光面积并把前电极放在背面的目的；在硅片背面通过原子层沉积或PECVD方式沉积一层Al2O3，起到钝化电池背表面的作用，在该膜表面沉积一层较厚的SiNx，起到保护Al2O3钝化效果的目的，随后设计背面开膜图形，通过激光或化学腐蚀的方式制备出背面电极导电窗口；依次印刷背电极、背面匹配型铝背场、背面的前电极和正面指栅电极，优化印刷和烧结工艺，使电极接触区域形成较好的填充效果。

公开(公告)号：CN107645278B

公开(公告)日：2020-09-18

申请号：CN201711007162.8

申请日：2017-10-25

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 周子游

IPC分类号： H02S50/15

摘要： 本发明公开了一种PERC电池过烧的检测方法，该检测方法包括以下步骤：对烧结后PERC电池进行EL测试；根据烧结后PERC电池的背面EL测试图像判断PERC电池片是否存在过烧现象。本发明检测方法可以直观的观察到整片电池片的整体情况，能够及时、准确、全面的判断PERC电池是否存在过烧现象，能够避免因误判而造成不必要的损失；同时本发明检测方法通过及时、准确、全面的判断氮化硅薄膜是否被烧穿，为调整烧结工艺提供了更加直观的依据，对于及时调整PERC电池的制备工艺以提高电池片的效率具有重要意义。

公开(公告)号：CN109860324A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201910145734.1

申请日：2019-02-27

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 黄嘉斌 ,  赵增超 ,  周子游 ,  刘文峰

IPC分类号： H01L31/068 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0312 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种背面全钝化接触太阳能电池及其制备方法，该电池包括从下至上依次连接全铝背电场、纳米晶氢化硼掺杂碳化硅层、氧化硅层、P型硅、n+发射极层和氮化硅层，以及背面电极、重掺杂n++发射极和正面电极，重掺杂n++发射极的一端连接正面电极，另一端穿过n+发射极层镶嵌在P型硅中。其制备方法包括清洗、制绒、扩散、正面激光SE、二次清洗、表面化学氧化、沉积钝化层、烧结、氢化、制备氮化硅层、丝网印刷和烧结。本发明电池具有短路电流大、开路电压高、光电转换效率高等优点，其制备方法有工艺简单、量产门槛低、制备成本低、兼容性好、生产效率高等优点，能够满足大规模制备，利于工业化利用，具有十分重要的意义。

公开(公告)号：CN104399699B

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201410511046.X

申请日：2014-09-29

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 周子游

IPC分类号： B08B3/08

摘要： 本发明公开了一种新的石墨舟清洗工艺，清洗步骤先后为：氢氟酸浸泡、纯水浸泡漂洗、碱液浸泡、纯水浸泡漂洗、烘干。本清洗工艺可以在较短的时间内将石墨舟清洗干净，并且整个过程都在浸泡中进行，避免了对石墨舟叶的冲击，延长了石墨舟的使用寿命。在整个清洗过程中无需对石墨舟进行拆解，避免了拆解过程对石墨舟造成的损伤。

公开(公告)号：CN103746026B

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201310653357.5

申请日：2013-12-05

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 姬常晓 ,  周子游 ,  刘文峰

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种前电极绕射式局域背场钝化晶体硅电池的制备方法，在硅片衬底上通过激光器在前电极主栅位置打出一列排布均匀的空洞，取代主栅电极并把指栅电极引到电池背面，起到减小前主栅电极遮光面积并把前电极放在背面的目的；在硅片背面通过原子层沉积或PECVD方式沉积一层Al2O3,起到钝化电池背表面的作用，在该膜表面沉积一层较厚的SiNx，起到保护Al2O3钝化效果的目的，随后设计背面开膜图形，通过激光或化学腐蚀的方式制备出背面电极导电窗口；依次印刷背电极、背面匹配型铝背场、背面的前电极和正面指栅电极，优化印刷和烧结工艺，使电极接触区域形成较好的填充效果。

公开(公告)号：CN109638109B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201811511719.6

申请日：2018-12-11

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 黄海龙 ,  赵增超 ,  周子游 ,  刘文峰

IPC分类号： H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种选择性发射极和选择性发射极电池的制备方法，该选择性发射极的制备方法包括以下步骤：将掩膜板覆盖在制绒后的硅片上，送入到扩散炉中进行高掺杂深扩散和低掺杂浅扩散，在硅片电极区域和非电极区域分别形成高掺杂深扩散区和低掺杂浅扩散区，退火，去除掩膜板，完成制备。选择性发射极电池的制备方法包括上述选择性发射极的制备步骤。本发明选择性发射极的制备方法，无需额外增加工序和设备，也不需对现有设备和工艺进行较大规模的改造和调试，可以兼容现有产线设备实现选择性掺杂，具有工艺简单、量产门槛低、制备成本低、兼容性好、生产效率高等优点，对于制备低成本、高光电转换效率的选择性发射极电池具有十分重要的意义。

公开(公告)号：CN109638109A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811511719.6

申请日：2018-12-11

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 黄海龙 ,  赵增超 ,  周子游 ,  刘文峰

IPC分类号： H01L31/18

摘要： 本发明公开了一种选择性发射极和选择性发射极电池的制备方法，该选择性发射极的制备方法包括以下步骤：将掩膜板覆盖在制绒后的硅片上，送入到扩散炉中进行高掺杂深扩散和低掺杂浅扩散，在硅片电极区域和非电极区域分别形成高掺杂深扩散区和低掺杂浅扩散区，退火，去除掩膜板，完成制备。选择性发射极电池的制备方法包括上述选择性发射极的制备步骤。本发明选择性发射极的制备方法，无需额外增加工序和设备，也不需对现有设备和工艺进行较大规模的改造和调试，可以兼容现有产线设备实现选择性掺杂，具有工艺简单、量产门槛低、制备成本低、兼容性好、生产效率高等优点，对于制备低成本、高光电转换效率的选择性发射极电池具有十分重要的意义。

公开(公告)号：CN105261670B

公开(公告)日：2017-06-16

申请号：CN201510551065.X

申请日：2015-08-31

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 刘文峰 ,  姬常晓 ,  成文 ,  周子游

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/228

CPC分类号： Y02P70/521

摘要： 本发明公开了一种晶体硅电池的低压扩散工艺，包括以下步骤：(1)扩散前高温氧化；(2)低压扩散：采用分步扩散法制备PN结；(3)退火：改变内部压强以便于去除杂质。该低压扩散工艺能提高扩散片间均匀性，降低炉口温区温度，即提高扩散管各温区温度一致性、解决扩散炉炉口方阻大幅度波动问题、提高真空泵使用寿命、降低扩散工序生产成本。

公开(公告)号：CN110707160B

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN201910962753.3

申请日：2019-10-11

申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司

发明人： 周子游

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/18 ,  C23C16/02 ,  C23C16/32 ,  C23C16/50 ,  C23C16/56 ,  C30B29/06 ,  C30B33/10

摘要： 本发明公开了一种管式直接PECVD制备太阳电池SiC减反射膜的方法，包括以下步骤：对硅片进行制绒，所得硅片于管式PECVD设备炉管中沉积SiC减反射膜；冷却，取出硅片，完成对SiC减反射膜的制备。本发明方法通过利用管式PECVD设备并改良工艺步骤和工艺参数，在无需改变设备的条件下，可以兼容现有的产线设备实现SiC减反射膜的沉积，不仅有利于提高旧产线或旧设备的利用率，具有量产门槛低的优点，同时还具有工设备投资成本低、制备成本低等优点，且由此制得的SiC减反射膜表现出较好的性能，如较低的吸光率、较高的电导率，从而有利于制备得到高光电转换效率的太阳电池，对于实现太阳电池的广泛应用具有十分重要的意义。