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公开(公告)号：CN114606478B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202210066237.4
申请日：2022-01-20
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/02 , C23C16/24 , C23C16/505 , C23C16/56 , H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种管式PECVD制备超薄氧化硅层及钝化接触结构的方法、钝化接触结构，该超薄氧化硅层的制备是以N2O和Ar的混合气体，N2O和He的混合气体，N2O、Ar和He的混合气体或N2O、Ar和CO2的混合气体为工艺气体，利用管式PECVD制备超薄氧化硅层。钝化接触结构包括制备超薄氧化硅层和掺杂非晶硅层。本发明制备的超薄氧化硅层具有高质量、均匀性好等优点，可以与掺杂多晶硅层的完美匹配，有利于提高硅片的钝化效果，进而有利于大幅提升太阳能电池的良率和效率，同时本发明方法还具有工艺时间短、沉积速率可控等优势，适合于大规模制备超薄氧化硅层/掺杂多晶硅层钝化接触结构，利于工业化应用。
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公开(公告)号：CN117102156A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310938980.9
申请日：2023-07-27
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种石墨舟干法清洗装置及清洗方法，装置包括：清洗腔室、电极板、炉门、放电单元、真空单元、进气单元和光谱测试单元，石墨舟放置在清洗腔室内部进行清洗；清洗腔室的一端设有便于石墨舟进出的炉门，另一端与真空单元连接，以实现抽真空；清洗腔室外侧均布有多组放电单元，用于实现工艺气体在清洗腔室内部电离，以清洗石墨舟；清洗腔室底部设有进气单元和光谱测试单元，进气单元用于输送工艺气体至清洗腔室内部，光谱测试单元采用光谱法对清洗过程产生的等离子辉光进行监测，得到清洗前后的光谱变化，根据光谱变化判断石墨舟的清洗终点。本发明具有结构紧凑、操作便捷、清洗效率高且能够精准判定石墨舟清洗终点等优点。
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公开(公告)号：CN118904829A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411176998.0
申请日：2024-08-26
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种远程等离子体清洗设备及清洗方法，清洗设备包括清洗腔室、腔门、第一远程等离子体源、第二远程等离子体源和真空单元，第一远程等离子体源和第二远程等离子体源分别与清洗腔室的第一端和第二端连接，清洗腔室的第一端和第二端分别设有第一抽真空口和第二抽真空口，第一抽真空口和第二抽真空口与真空单元连接。该设备利用两个远程等离子体源与两个抽真空口配合，实现正向、方向交替进气和抽气的多次循环清洗，清洗速度快、均匀性好、效率高，且气耗量低，成本低。本发明采用炉口进气炉尾抽气和炉尾进气炉口抽气的循环清洗方法，可有效提高较长载具的清洗均匀性和清洗速率，提高载具流转速度，减少过度刻蚀，降低含氟气体用量。
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公开(公告)号：CN116618384A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202310618373.4
申请日：2023-05-29
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种立式石墨舟清洗设备及清洗方法，设备包括：清洗腔室、放电单元、真空单元、进气单元、旋转运动单元和升降运动单元，立式石墨舟放置在清洗腔室内部进行清洗；清洗腔室顶部与真空单元连接，以实现清洗腔室内部抽真空；清洗腔室侧部均布有多组放电单元，用于实现工艺气体在清洗腔室内部电离，以清洗立式石墨舟；清洗腔室底部设有进气单元、旋转运动单元和升降运动单元，进气单元用于输送工艺气体至清洗腔室内部，旋转运动单元用于实现立式石墨舟固定在清洗腔室内部，并带动立式石墨舟在清洗腔室内部旋转；升降运动单元用于辅助立式石墨舟进出清洗腔室。本发明具有结构紧凑、操作便捷、清洗效率高且能够实现石墨舟均匀清洗等优点。
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公开(公告)号：CN115064606A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202210680729.2
申请日：2022-06-16
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种用于提高多晶硅层钝化效果的水汽退火设备及水汽退火工艺，该水汽退火设备包括用于放置待处理退火样品的腔体，腔体上连通有第一进气管道、尾气排出管道和第二进气管道，位于腔体内部的第二进气管道上设有若干个水汽喷出口，位于腔体外部的第二进气管道连通有用于生产水汽的生产装置。该水汽退火工艺包括对硅片进行高温晶化，通入水汽进行水汽退火处理。本发明水汽退火设备及水汽退火工艺，既可以精确控制低比例水汽进入量，又能保证水汽在腔体内均匀分布，适用于补充并增加多晶硅中的氢含量，以及在提高水汽退火均匀性的同时也能降低水汽对多晶硅层的氧化，有利于提高多晶硅层的钝化效果，适用于制备高性能的晶硅太阳能电池。
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公开(公告)号：CN109860324A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201910145734.1
申请日：2019-02-27
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/0312 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种背面全钝化接触太阳能电池及其制备方法，该电池包括从下至上依次连接全铝背电场、纳米晶氢化硼掺杂碳化硅层、氧化硅层、P型硅、n+发射极层和氮化硅层，以及背面电极、重掺杂n++发射极和正面电极，重掺杂n++发射极的一端连接正面电极，另一端穿过n+发射极层镶嵌在P型硅中。其制备方法包括清洗、制绒、扩散、正面激光SE、二次清洗、表面化学氧化、沉积钝化层、烧结、氢化、制备氮化硅层、丝网印刷和烧结。本发明电池具有短路电流大、开路电压高、光电转换效率高等优点，其制备方法有工艺简单、量产门槛低、制备成本低、兼容性好、生产效率高等优点，能够满足大规模制备，利于工业化利用，具有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN114823969B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202210297222.9
申请日：2022-03-24
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开了一种提升钝化接触结构性能的低温氢等离子体辅助退火方法和TOPCon太阳能电池，该退火方法是以氢气或含氢气的混合气体为工艺气体，对制备有钝化接触结构的硅片进行退火处理。本发明中，在高温烧结之后，通过在氢等离子体下进行退火处理，既可以通过低温退火修复晶界缺陷和杂质，还可以通过引入H等离子体使得薄膜界面和晶体内部晶界处的悬挂键饱和，减少界面和晶界处的载流子复合，从而达到很好的钝化效果，进而有利于提升太阳能电池的光电转换效率。本发明低温氢等离子体辅助退火方法，具有易于批量处理、运营成本低等优点，可广泛用于提升钝化接触结构的钝化性能，对于提升TOPCon太阳能电池的产能具有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN115528141A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211303546.5
申请日：2022-10-24
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0368 , H01L31/0288 , H01L31/0224 , H01L21/22
摘要： 本发明公开了一种N型太阳能电池硼扩散SE结构的制备方法，包括以下步骤：在硅基体表面制备氧化层、硼掺杂、退火，形成多晶硅层；在多晶硅层表面预设栅线区域制备掩膜；去除硅基体表面非栅线区域的多晶硅层和氧化层；去除掩膜，得到N型太阳能电池硼扩散SE结构。与常规制备方法相比，本发明N型太阳能电池硼扩散SE结构的制备方法，仅需一次高温退火过程，对硅基体所造成的损失较小，具有工艺简单、操作方便、成本较低、损伤小等优点，不仅有利于提升电池的光电转化效率，而且有利于实现规模化生产，使用价值高，应用前景好。
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公开(公告)号：CN109411556A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811010003.8
申请日：2018-08-31
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/048 , H02S50/15
摘要： 本发明公开了一种降低黑硅电池组件封装功率损失的方法，在同一效率或总电流分档的电池片中，测量各电池片的短波电流或长波电流，将短波电流或长波电流在同一预设范围内的电池片进行统一封装。本发明的方法具有降低黑硅电池组件封装功率损失且操作简便等优点。
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公开(公告)号：CN115064606B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202210680729.2
申请日：2022-06-16
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种用于提高多晶硅层钝化效果的水汽退火设备及水汽退火工艺，该水汽退火设备包括用于放置待处理退火样品的腔体，腔体上连通有第一进气管道、尾气排出管道和第二进气管道，位于腔体内部的第二进气管道上设有若干个水汽喷出口，位于腔体外部的第二进气管道连通有用于生产水汽的生产装置。该水汽退火工艺包括对硅片进行高温晶化，通入水汽进行水汽退火处理。本发明水汽退火设备及水汽退火工艺，既可以精确控制低比例水汽进入量，又能保证水汽在腔体内均匀分布，适用于补充并增加多晶硅中的氢含量，以及在提高水汽退火均匀性的同时也能降低水汽对多晶硅层的氧化，有利于提高多晶硅层的钝化效果，适用于制备高性能的晶硅太阳能电池。
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