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公开(公告)号：CN114606478B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202210066237.4
申请日：2022-01-20
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/02 , C23C16/24 , C23C16/505 , C23C16/56 , H01L31/02 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种管式PECVD制备超薄氧化硅层及钝化接触结构的方法、钝化接触结构，该超薄氧化硅层的制备是以N2O和Ar的混合气体，N2O和He的混合气体，N2O、Ar和He的混合气体或N2O、Ar和CO2的混合气体为工艺气体，利用管式PECVD制备超薄氧化硅层。钝化接触结构包括制备超薄氧化硅层和掺杂非晶硅层。本发明制备的超薄氧化硅层具有高质量、均匀性好等优点，可以与掺杂多晶硅层的完美匹配，有利于提高硅片的钝化效果，进而有利于大幅提升太阳能电池的良率和效率，同时本发明方法还具有工艺时间短、沉积速率可控等优势，适合于大规模制备超薄氧化硅层/掺杂多晶硅层钝化接触结构，利于工业化应用。
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公开(公告)号：CN117102156A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310938980.9
申请日：2023-07-27
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种石墨舟干法清洗装置及清洗方法，装置包括：清洗腔室、电极板、炉门、放电单元、真空单元、进气单元和光谱测试单元，石墨舟放置在清洗腔室内部进行清洗；清洗腔室的一端设有便于石墨舟进出的炉门，另一端与真空单元连接，以实现抽真空；清洗腔室外侧均布有多组放电单元，用于实现工艺气体在清洗腔室内部电离，以清洗石墨舟；清洗腔室底部设有进气单元和光谱测试单元，进气单元用于输送工艺气体至清洗腔室内部，光谱测试单元采用光谱法对清洗过程产生的等离子辉光进行监测，得到清洗前后的光谱变化，根据光谱变化判断石墨舟的清洗终点。本发明具有结构紧凑、操作便捷、清洗效率高且能够精准判定石墨舟清洗终点等优点。
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公开(公告)号：CN110699674B
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN201910959148.0
申请日：2019-10-10
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
发明人： 赵增超
摘要： 本发明公开了一种低频PECVD沉积氧化铝的方法，该方法是以三甲基铝为原料，以O2、水蒸气、乙醇蒸气中的其中一种含氧物质为氧化剂，通过低频PECVD法制备得到氧化铝。本发明低频PECVD沉积氧化铝的方法具有工艺简单、操作方便、成本低廉等优点，不仅能够省去常规方法中的后续等离子体处理步骤、降低制备成本、缩减工艺时间、提升产能，而且能够制备得到钝化效果更好的氧化铝，对于制备高光电转换效率的太阳电池以及扩大太阳电池的应用范围具有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN110735130A
公开(公告)日：2020-01-31
申请号：CN201911106895.6
申请日：2019-11-13
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/40 , C23C16/34 , C23C16/30 , C23C16/56 , C23C16/54 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种制备背面钝化膜的管式PECVD设备及方法，该设备包括至少一个用于沉积AlOx膜的反应室，该室的进气口连通有N2O进气管、NH3进气管、TMA/Ar进气管和N2进气管，且该室的抽气口连通有真空泵，同时二者之间设有除尘装置；该设备还包括至少一个用于沉积SiON膜/SiNx膜的反应室，该室的进气口连通有N2O进气管、NH3进气管、N2进气管和SiH4进气管。采用上述管式PECVD设备制备背面钝化膜。本发明管式PECVD设备具有反应室搭配合理、除尘装置数量少、气路系统简单、易于维护、制造成本低等优点，用于制备背面钝化膜时能够显著提高钝化膜的钝化效果，有着很高的使用价值和很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110699674A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910959148.0
申请日：2019-10-10
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
发明人： 赵增超
摘要： 本发明公开了一种低频PECVD沉积氧化铝的方法，该方法是以三甲基铝为原料，以O2、水蒸气、乙醇蒸气中的其中一种含氧物质为氧化剂，通过低频PECVD法制备得到氧化铝。本发明低频PECVD沉积氧化铝的方法具有工艺简单、操作方便、成本低廉等优点，不仅能够省去常规方法中的后续等离子体处理步骤、降低制备成本、缩减工艺时间、提升产能，而且能够制备得到钝化效果更好的氧化铝，对于制备高光电转换效率的太阳电池以及扩大太阳电池的应用范围具有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN114823969B
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202210297222.9
申请日：2022-03-24
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
摘要： 本发明公开了一种提升钝化接触结构性能的低温氢等离子体辅助退火方法和TOPCon太阳能电池，该退火方法是以氢气或含氢气的混合气体为工艺气体，对制备有钝化接触结构的硅片进行退火处理。本发明中，在高温烧结之后，通过在氢等离子体下进行退火处理，既可以通过低温退火修复晶界缺陷和杂质，还可以通过引入H等离子体使得薄膜界面和晶体内部晶界处的悬挂键饱和，减少界面和晶界处的载流子复合，从而达到很好的钝化效果，进而有利于提升太阳能电池的光电转换效率。本发明低温氢等离子体辅助退火方法，具有易于批量处理、运营成本低等优点，可广泛用于提升钝化接触结构的钝化性能，对于提升TOPCon太阳能电池的产能具有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN115528141A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202211303546.5
申请日：2022-10-24
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0368 , H01L31/0288 , H01L31/0224 , H01L21/22
摘要： 本发明公开了一种N型太阳能电池硼扩散SE结构的制备方法，包括以下步骤：在硅基体表面制备氧化层、硼掺杂、退火，形成多晶硅层；在多晶硅层表面预设栅线区域制备掩膜；去除硅基体表面非栅线区域的多晶硅层和氧化层；去除掩膜，得到N型太阳能电池硼扩散SE结构。与常规制备方法相比，本发明N型太阳能电池硼扩散SE结构的制备方法，仅需一次高温退火过程，对硅基体所造成的损失较小，具有工艺简单、操作方便、成本较低、损伤小等优点，不仅有利于提升电池的光电转化效率，而且有利于实现规模化生产，使用价值高，应用前景好。
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公开(公告)号：CN110735130B
公开(公告)日：2021-11-26
申请号：CN201911106895.6
申请日：2019-11-13
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/50 , C23C16/40 , C23C16/34 , C23C16/30 , C23C16/56 , C23C16/54 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明公开了一种制备背面钝化膜的管式PECVD设备及方法，该设备包括至少一个用于沉积AlOx膜的反应室，该室的进气口连通有N2O进气管、NH3进气管、TMA/Ar进气管和N2进气管，且该室的抽气口连通有真空泵，同时二者之间设有除尘装置；该设备还包括至少一个用于沉积SiON膜/SiNx膜的反应室，该室的进气口连通有N2O进气管、NH3进气管、N2进气管和SiH4进气管。采用上述管式PECVD设备制备背面钝化膜。本发明管式PECVD设备具有反应室搭配合理、除尘装置数量少、气路系统简单、易于维护、制造成本低等优点，用于制备背面钝化膜时能够显著提高钝化膜的钝化效果，有着很高的使用价值和很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN110106493B
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN201910344320.1
申请日：2019-04-26
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/50 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种利用管式PECVD设备制备背面钝化膜的方法，该方法包括以下步骤：将硅片置于管式PECVD设备中进行恒温处理、前处理、背面沉积AlOx膜、后处理、在AlOx膜上沉积第一SiNx膜、在第一SiNx膜上沉积第二SiNx膜，完成对背面钝化膜的制备。本发明方法通过利用管式PECVD设备并改良工艺流程和工艺参数即可实现PERC电池背面钝化膜的制备，不仅有利于提高旧产线或旧设备的利用率，同时还具有设备投资成本低、维护频率低、制备成本低等优点，且由此制得的太阳电池也具有较高的光电转换效率，对于实现PERC电池的广泛应用具有十分重要的意义。
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公开(公告)号：CN110106493A
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201910344320.1
申请日：2019-04-26
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/40 , C23C16/513 , H01L31/0216 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种利用管式PECVD设备制备背面钝化膜的方法，该方法包括以下步骤：将硅片置于管式PECVD设备中进行恒温处理、前处理、背面沉积AlOx膜、后处理、在AlOx膜上沉积第一SiNx膜、在第一SiNx膜上沉积第二SiNx膜，完成对背面钝化膜的制备。本发明方法通过利用管式PECVD设备并改良工艺流程和工艺参数即可实现PERC电池背面钝化膜的制备，不仅有利于提高旧产线或旧设备的利用率，同时还具有设备投资成本低、维护频率低、制备成本低等优点，且由此制得的太阳电池也具有较高的光电转换效率，对于实现PERC电池的广泛应用具有十分重要的意义。
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