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公开(公告)号：CN115896740A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211585385.3
申请日：2022-12-10
申请人： 湖州中芯半导体科技有限公司
IPC分类号： C23C16/27 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/511
摘要： 本发明涉及一种金刚石膜片制作装置及其制作方法，包括石英玻璃室，所述石英玻璃室上端设有真空泵，且石英玻璃室的左右两侧中心位置均密封连接波导管，所述波导管相互远离的一端连接有微波发生器，且波导管上下端分别设有通气管道，所述通气管道密封连接石英玻璃室，且所述石英玻璃室内侧上端设有伸缩台，其内侧下端设有基片夹持台，整个装置能在基片的两端进行金刚石膜片的沉积，效率更高，而且夹持基片稳定还能确保控制基片表面的温度，原理简单，效率加倍。
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公开(公告)号：CN111290059B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202010238063.6
申请日：2020-03-30
申请人： 湖州中芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及光电子技术领域，且公开了一种基于CVD钻石的相干光源装置及其制造方法，包括以下装置：CVD钻石、透射电子显微镜、计算机、单色激光器、液氦制冷装置和透镜组，所述CVD钻石的表面经过光刻的处理，所述CVD钻石的表面经过特殊加工处理，且所述CVD钻石的表面分布有间距10微米，直径100纳米的半球结构，所述单色激光器的型号为400‑532纳米型单色激光器，所述透射电子显微镜的型号为TEM型透射电子显微镜；包括以下步骤：步骤一：使用所述TEM型号的透射电子显微镜在所述CVD钻石表面的半球内注入浓度1ppb的氮原子；步骤二：对所述CVD钻石进行一千摄氏度的退火。该基于CVD钻石的相干光源装置及其制造方法，便于675纳米相干光源的制造。
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公开(公告)号：CN112782821A
公开(公告)日：2021-05-11
申请号：CN201911014788.0
申请日：2019-10-23
申请人： 湖州中芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种CVD金刚石高真空光学窗装置，包括底座、连接件、压紧件、压紧组件、透光组件、金刚石光窗和真空设备固定孔，所述连接件设于底座上，所述压紧件设于连接件远离底座的一端，所述压紧组件一端设于压紧件上，所述压紧组件另一端设于底座上，所述透光组件一端设于压紧件上，所述透光组件另一端设于底座上，所述金刚石光窗设于透光组件内，所述真空设备固定孔贯穿设于底座上，所述金刚石光窗为含有铅元素和磷元素的金刚石光窗，所述金刚石光窗通过CVD化学气相沉积法制得。本发明属于真空设备技术领域，具体是指一种莫氏硬度高，结构强度高，防电磁辐射，可观察等离子体辉光的高真空光学窗装置。
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公开(公告)号：CN112701035A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201911010370.2
申请日：2019-10-23
申请人： 湖州中芯半导体科技有限公司
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/321
摘要： 本发明公开了一种在CVD金刚石表面制备多孔结构金属电极的方法，包括以下步骤：提供一CVD金刚石晶片，将CVD金刚石晶片固定于电子束溅射镀膜机内；关闭电子束溅射镀膜机舱门，调节舱内真空度，将舱内真空度持续稳定在1E‑7Pa；启动电子束，通过溅射式镀膜机的电子枪轰击金属靶材，待达到膜厚仪计算事先标定的时间时，关闭电子束；取出CVD金刚石晶片，置于已设定好温度的恒温氮气柜中，对金属膜进行冷却固化；CVD表面上的金属膜稳定后，用带有圆头切削头的数控机床在金属膜上所需位置进行钻孔，得到多孔结构的金属电极，本发明属于半导体工艺和光学工程技术领域，具体是指一种在CVD金刚石表面制备多孔结构金属电极的方法。
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公开(公告)号：CN111426378A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010252430.8
申请日：2020-04-01
申请人： 湖州中芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及量子计算技术领域，且公开了一种基于CVD钻石的量子中继设备及其制备方法，包括底座，所述底座的上端固定连接有支撑杆，所述支撑杆的另一端安装有安装座，所述安装座的上端安装有光电探测器，所述底座的上端开设有活动槽，所述活动槽内滑动连接有活动块，所述活动块内设有螺纹孔，所述活动槽相向的槽壁上通过轴承转动连接有螺纹杆，所述活动块螺纹连接在螺纹杆上，所述螺纹杆远离支撑杆的一端穿过轴承并向外延伸，所述活动块的上端穿过活动槽槽口并向外延伸，且固定连接有连接板。该基于CVD钻石的量子中继设备及其制备方法，可以快速精确的调节单色激光器与CVD钻石的间距，易于单色激光器安装固定到最佳的位置处。
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公开(公告)号：CN111411397A
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN202010238040.5
申请日：2020-03-30
申请人： 湖州中芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及激光科学技术领域，且公开了一种氮掺杂CVD金刚石激光晶体，包括CVD金刚石晶体、增透膜和反射膜，增透膜镀在CVD金刚石晶体的前表面，反射膜镀在CVD金刚石晶体的后表面，增透膜由氟化镁薄膜、二氧化铪薄膜和二氧化钛薄膜叠加构成，反射膜，其按质量分数包括二氧化钛粉体30-40份、三氧化二铝粉体5-8份、光学环氧树脂胶30-35份、增白剂2-3份和助剂8-12份；反射膜由以下方法制得：将相应重量的二氧化钛粉体和三氧化二铝粉体加入搅拌罐中进行混合，搅拌速度为80-100rpm，搅拌时间为20-30min，然后将相应重量的光学环氧树脂胶、增白剂和助剂加入搅拌罐内。该氮掺杂CVD金刚石激光晶体，有效解决了CVD金刚石激光晶体难获得637nm激光的问题。
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公开(公告)号：CN111399157A
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN202010260749.5
申请日：2020-04-03
申请人： 湖州中芯半导体科技有限公司
IPC分类号： G02B7/00
摘要： 本发明涉及光学技术领域，且公开了一种CVD金刚石陷波滤波片装置，包括工作台，工作台的上端右侧固定连接有外壳，外壳上端为开通设置，且外壳的上端通过合页铰接有盖板，外壳的内部设有放置槽，放置槽的上端固定连接有金刚石单晶片，外壳的下内侧壁固定连接有横向设置的滑轨，滑轨的内部滑动连接有滑块，滑块的上端与放置槽的下端中部固定连接，滑轨的内部设有横向设置的第一螺纹杆。该CVD金刚石陷波滤波片装置，便于对金刚石单晶片、光学窗口和激光光源之间的距离进行调节，且便于对激光光源的高度进行调节，从而便于调节对金刚石单晶片的激光照射效果，便于提高金刚石单晶片的滤波效果，从而提高滤波片的耐受光功率密度，便于人们使用。
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公开(公告)号：CN111265285A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010213515.5
申请日：2020-03-24
申请人： 湖州中芯半导体科技有限公司
IPC分类号： A61B17/3211 , A61L31/02 , A61L31/14
摘要： 本发明公开了一种CVD钻石刀头的一体化手术刀，包括一体化手术刀，所述一体化手术刀包括刀身、刀头、转动轴、防滑槽和手术刀保护套，所述刀头固接设于刀身一端上，所述转动轴可旋转设于刀身另一端，所述防滑槽设于刀身上，所述防滑槽设于转动轴和刀头之间，所述手术刀保护套通过转动轴可旋转铰接设于刀身上，所述刀头为CVD钻石材质，所述刀头背部设有楔形槽口，所述刀头通过楔形槽口与刀身固定，所述刀身采用碳纤维材料设置。本发明属于医用器械领域，具体是指一种高硬度、耐磨损和使用寿命长的CVD钻石刀头的一体化手术刀。
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公开(公告)号：CN113136559B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202110454697.X
申请日：2021-04-26
申请人： 湖州中芯半导体科技有限公司
摘要： 本发明涉及金刚石制备技术领域，且公开了一种用于MPCVD金刚石的制备装置，包括底座，底座的底面设置基底物预处理机构，基底物预处理机构包括固定杆、弧片一、弧片二、圆环和连杆，固定杆为实心圆柱体，固定杆的上端面与底座底面固定连接，通过各个弧片一的闭合推动各个弧片二的闭合进而使得各个弧片一和弧片二闭合形成一个类似花骨朵形状空间，固定杆上升的过程中，各个弧片一和弧片二内从容器底部取得的基底物在上升过程中从弧片一和弧片二之间的间隙洒落，使得容器内的液体底层和顶层的基底物的含量趋于相同，减少基底物堆积在容器底部的情况，增大基底物与酸洗液接触的频率以及面积，使得基底物与酸洗液充分接触，酸洗效果更优。
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公开(公告)号：CN113058506B
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202110307373.3
申请日：2021-03-23
申请人： 湖州中芯半导体科技有限公司
IPC分类号： B01J3/06
摘要： 本发明涉及金刚石技术领域，且公开了一种MPCVD金刚石高效合成工艺及其装置，包括基座、施压机构、输送机构、侧压机构和支撑机构，基座的顶面开设有合成槽，基座在合成槽下方的内部开设有冷却槽，合成槽和冷却槽内设置有输送机构，输送机构包括两个螺旋杆，冷却槽内设置有两个插筒，插筒内壁固定连接有插杆，两个螺旋杆上端外壁通过扭簧连接有输送环，输送环顶面固定连接有夹环，夹环套入有连接带，两个连接带远离螺旋杆的一端固定连接一个夹环，通过输送机构的设置，使容器能够在合成槽外部进行放置和取出，得合成工艺中的容器放置和取出更加方便，另外避免使用者身体对装置的探入，从而避免装置故障误启动导致的安全问题，提高了装置的安全性。
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