公开(公告)号：CN115078874B

公开(公告)日：2024-07-05

申请号：CN202210664557.X

申请日：2022-06-13

申请人： 湘潭大学

发明人： 钟向丽 ,  何家怡 ,  王金斌 ,  吴祎玮 ,  谭丛兵 ,  宋宏甲 ,  刘莹赢 ,  周燕 ,  许诗瑶

IPC分类号： G01R31/00 ,  G01R19/00

摘要： 本发明公开了一种高精度且智能化的负电容效应表征系统，包括信号激励模块、样品接驳模块、采集监测分析模块、可编程数字电位器模块、中控模块和电源模块；信号激励模块用于输出脉冲电信号；样品接驳模块的第一探针将脉冲电信号输入至目标样品；样品接驳模块的第二探针将目标样品的反馈信号发送至可编程数字电位器模块；可编程数字电位器模块将反馈信号发送至采集监测分析模块的3号端口；采集监测分析模块对目标样品的反馈信号进行分析，并生成对应的电压时间响应曲线；中控模块自动识别电压时间响应曲线，获得目标样品的负电容效应表征数据；通过该系统实现了负电容效应表征的高精度和智能化，大大提高了负电容效应的表征效率。

公开(公告)号：CN116523010A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310521068.3

申请日：2023-05-10

申请人： 湘潭大学

发明人： 宋宏甲 ,  王怀宇 ,  钟向丽 ,  王金斌 ,  郭红霞 ,  欧阳晓平

IPC分类号： G06N3/063

摘要： 本发明公开了一种LIF神经元电路，能够基于延迟实现连接多突触。本发明包括膜电位积累电路、波形整形电路，泄漏电路、脉冲产生电路、不应期电路、延迟电路。本发明的忆阻LIF神经元优势在于电路结构简单，并能对神经元激发尖峰脉冲宽度、峰值强弱、不应期时长调控和可延迟连接多神经突触。这不仅更能贴合生物神经元的功能结构，在实际运用中也能为多个神经突触传递更丰富的时空信息，增强神经网络的适应能力。并且本发明多突触延迟的忆阻LIF神经元电路所用器件较少，有利于提高类脑芯片的集成密度。

公开(公告)号：CN116322289A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310251012.0

申请日：2023-03-15

申请人： 湘潭大学

发明人： 宋宏甲 ,  颜家琦 ,  刘应东 ,  陈骞鑫 ,  钟向丽 ,  王金斌 ,  欧阳晓平

IPC分类号： H10N70/20

摘要： 本发明公开了一种抗辐照人工突触器件及其制备方法。该人工突触器件包括金属底电极层、异质结阻变层和金属顶电极层，所述金属底电极层为金属钛层，所述异质结阻变层为金属掺杂氧化铪层和氧化钛层形成的复合层。该器件具有优异的权重更新线性度和对称性以及较强的抗辐照能力，可用于地面和空间电子系统的智能芯片。其制备方法简单，成本低廉，适合工业规模化生产。

公开(公告)号：CN115961241A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202211631313.8

申请日：2022-12-19

申请人： 湘潭大学

发明人： 王金斌 ,  李加林 ,  钟向丽 ,  宋宏甲 ,  龚玲

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/32 ,  C23C14/02 ,  C23C14/16

摘要： 本发明公开了一种仿生分级结构涂层，属于表面涂层技术领域，从基底到表层依次包括层叠设置的过渡层TiAlN、3次交替循环层叠设置的硬质层AlCrSiN与软质层Ti的复合层和硬质层AlCrSiN；所述过渡层TiAlN厚度为0.4μm，硬质层AlCrSiN单层厚度均为1.0±0.2μm，软质层Ti单层厚度均为0.2μm；所述硬质层AlCrSiN中包括纳米级非晶Si3N4颗粒。本发明设计和制备的仿生分级结构涂层在AlCrSiN层内，以及AlCrSiN/Ti层间实现增韧，且不降低其硬度，使涂层实现强韧一体化，同时具备优异的耐摩擦性能与高的膜/基结合强度，适用不同的应用环境。

公开(公告)号：CN115078874A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210664557.X

申请日：2022-06-13

申请人： 湘潭大学

发明人： 钟向丽 ,  何家怡 ,  王金斌 ,  吴祎玮 ,  谭丛兵 ,  宋宏甲 ,  刘莹赢 ,  周燕 ,  许诗瑶

IPC分类号： G01R31/00 ,  G01R19/00

摘要： 本发明公开了一种高精度且智能化的负电容效应表征系统，包括信号激励模块、样品接驳模块、采集监测分析模块、可编程数字电位器模块、中控模块和电源模块；信号激励模块用于输出脉冲电信号；样品接驳模块的第一探针将脉冲电信号输入至目标样品；样品接驳模块的第二探针将目标样品的反馈信号发送至可编程数字电位器模块；可编程数字电位器模块将反馈信号发送至采集监测分析模块的3号端口；采集监测分析模块对目标样品的反馈信号进行分析，并生成对应的电压时间响应曲线；中控模块自动识别电压时间响应曲线，获得目标样品的负电容效应表征数据；通过该系统实现了负电容效应表征的高精度和智能化，大大提高了负电容效应的表征效率。

公开(公告)号：CN112924500A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202110126005.9

申请日：2021-01-29

申请人： 湘潭大学

发明人： 王金斌 ,  张小娅 ,  钟向丽 ,  吴祎玮 ,  王鑫豪

IPC分类号： G01N27/12

摘要： 本发明公开了一种基于α‑In2Se3二维纳米片的湿度传感器，包括：二维α‑In2Se3湿度敏感层、衬底、电极、银浆和两根银线；二维α‑In2Se3湿度敏感层、所述电极和所述银浆依次设置在所述衬底上表面；两根银线均与银浆连接。本发明中以二维α‑In2Se3湿度敏感层为单片纳米片材料作为湿度传感器的湿度敏感层，具有响应时间短、湿滞小且重复性好的湿敏特性。

公开(公告)号：CN107170828B

公开(公告)日：2021-05-18

申请号：CN201710426277.4

申请日：2017-06-08

申请人： 湘潭大学

发明人： 廖敏 ,  肖文武 ,  周益春 ,  彭强祥 ,  钟向丽 ,  王金斌

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336

摘要： 本发明公开了一种铁电场效应晶体管，包括：衬底；在所述衬底上形成的源极区；在所述衬底上且同所述源极区分离形成的漏极区；在所述衬底上且在所述源极区和所述漏极区之间形成的绝缘层；在所述绝缘层上形成的铁电薄膜层；在所述铁电薄膜层上形成的栅电极；在所述源极区上形成的源电极；以及在所述漏极区上形成的漏电极。本发明在晶体管中引入氧化铪基材料作为晶体管的栅介质材料，HfN作为绝缘层，使得该晶体管在制作工艺上与现有硅工艺兼容，且可以获得较低功耗、减小漏电流、实现长时间保持，可用于高性能、低功耗大规模存储集成电路。

公开(公告)号：CN109103072B

公开(公告)日：2021-03-02

申请号：CN201810986245.4

申请日：2018-08-28

申请人： 湘潭大学

发明人： 王金斌 ,  张东国 ,  钟向丽 ,  岳少忠

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本发明提供了一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的转移方法，本发明利用胶带作为二硫化钼薄膜转移的支架，聚合物薄膜作为二硫化钼与透明胶的隔离层，二硫化钼薄膜及聚合物薄膜紧紧地附着在胶带上面，减少了二硫化钼薄膜与生长衬底分离时产生的薄膜破碎情况，而且便于二硫化钼薄膜的收集；同时，在转移过程中可以通过转移胶带来实现对二硫化钼薄膜及聚合物薄膜的转移，不会对二硫化钼薄膜造成破坏。此外，本发明将前驱体浸泡于丙酮中实现胶带和聚合物薄膜与二硫化钼薄膜分离，保证了胶带在脱离过程中不会对二硫化钼薄膜造成破坏，有利于实现大面积单层或少层二硫化钼薄膜实现较完整的转移。

公开(公告)号：CN107170812B

公开(公告)日：2020-10-13

申请号：CN201710426279.3

申请日：2017-06-08

申请人： 湘潭大学

发明人： 廖敏 ,  肖文武 ,  周益春 ,  彭强祥 ,  钟向丽 ,  王金斌

IPC分类号： H01L29/51 ,  H01L21/34 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

摘要： 本发明公开了一种铁电薄膜晶体管，包括：衬底；在所述衬底上形成的底栅电极；在所述底栅电极上形成的铁电薄膜层；在所述铁电薄膜层上形成的沟道层；在所述沟道层上形成的源电极；以及在所述沟道层上且同所述源电极分离形成的漏电极。同时，本发明还公开一种所述铁电薄膜晶体管的制备方法，本发明在晶体管中引入氧化铪基材料和SnO分别作为晶体管的栅介质材料和沟道材料，使得该晶体管在制作工艺上与现有硅工艺兼容，且可以获得较低功耗，可广泛应用于高性能、低功耗大规模存储集成电路中。

公开(公告)号：CN109103072A

公开(公告)日：2018-12-28

申请号：CN201810986245.4

申请日：2018-08-28

申请人： 湘潭大学

发明人： 王金斌 ,  张东国 ,  钟向丽 ,  岳少忠

IPC分类号： H01L21/02

摘要： 本发明提供了一种大面积单层及少层二硫化钼薄膜的转移方法，本发明利用胶带作为二硫化钼薄膜转移的支架，聚合物薄膜作为二硫化钼与透明胶的隔离层，二硫化钼薄膜及聚合物薄膜紧紧地附着在胶带上面，减少了二硫化钼薄膜与生长衬底分离时产生的薄膜破碎情况，而且便于二硫化钼薄膜的收集；同时，在转移过程中可以通过转移胶带来实现对二硫化钼薄膜及聚合物薄膜的转移，不会对二硫化钼薄膜造成破坏。此外，本发明将前驱体浸泡于丙酮中实现胶带和聚合物薄膜与二硫化钼薄膜分离，保证了胶带在脱离过程中不会对二硫化钼薄膜造成破坏，有利于实现大面积单层或少层二硫化钼薄膜实现较完整的转移。