一种影响二维半导体电控性能变化的分析实验方法及装置

    公开(公告)号:CN117110284A

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202311006564.1

    申请日:2023-08-10

    申请人: 湘潭大学

    IPC分类号: G01N21/84 G01N21/01

    摘要: 本发明公开了一种影响二维半导体电控性能变化的分析实验方法及装置,显微观察二维半导体,确定二维半导体的初始性能,构筑立体反应空间,将二维半导体置于立体反应空间内;按照载气输运模式在立体反应空间内形成不同形状的合成反应空间,在每个合成反应空间内利用电力场反应模式产生静电场,使得二维半导体能够处在高气压作用和电场力作用下;将载气输运模式和电力场反应模式构成影响二维半导体合成的多种作用因素,在立体反应空间内对二维半导体加载不同种的作用因素,对比分析观察二维半导体的性能变化;本发明方便对比研究静电场的作用方向与二维半导体的二次谐波转换效率、偏振化强度、光谱响应范围等性能之间的内在关联。

    一种大面积双层3R相MX2纳米片的制备方法

    公开(公告)号:CN115161616A

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN202210589289.X

    申请日:2022-05-26

    申请人: 湘潭大学

    摘要: 本发明公开了一种大面积双层3R相MX2纳米片的制备方法。本发明基于空间限域与前驱体设计策略的化学气相沉积法可以实现大面积双层3R相MX2纳米片的可控制备;将三氧化钼箔或者三氧化钨箔盖在玻璃基底上方作为前驱体,硫粉或硒粉放置在加热中心上游低温区域。通过调节限域空间的高度构建可控的微型反应空间,空间限域策略一方面可以提供均匀的反应前驱体供给并有效调控前驱体浓度,同时可以确保反应过程中限域空间为稳定的平流环境。待化学气相沉积系统升温至指定温度后,前驱体被输运至衬底上;调控生长参数,成功实现大面积双层3R相MX2纳米片的制备;且依据本发明的方法,可实现大面积双层3R相MX2纳米片的工业化生产。

    一种二维半导体材料合成装置

    公开(公告)号:CN116949550A

    公开(公告)日:2023-10-27

    申请号:CN202310810872.3

    申请日:2023-07-04

    申请人: 湘潭大学

    IPC分类号: C30B1/12 C30B29/64

    摘要: 本发明涉及一种二维半导体材料合成装置,将两种或多种二维半导体材料密封在双重密封容器内,对所述双重密封容器内增压;将所述双重密封容器放入高压炉中,一边施加与所述双重密封容器内的压力相称的压力一边加热,以使待合成材料反应以直接合成准半导体材料;其中,所述双重密封容器包括由石英制成的内容器和石英容器,且所述内容器和所述石英容器之间设置有恒压机构;本发明对现有的二维半导体材料合成精准合成装置结构进行改进,改进后的半导体合成装置能够实现安瓿内外智能恒压的作用,从而防止安瓿内外压力差过大,避免安瓿发生破裂,从而延长安瓿的使用寿命,降低生产成本。

    一种大面积双层3R相MX2纳米片的制备方法

    公开(公告)号:CN115161616B

    公开(公告)日:2024-01-19

    申请号:CN202210589289.X

    申请日:2022-05-26

    申请人: 湘潭大学

    摘要: 本发明公开了一种大面积双层3R相MX2纳米片的制备方法。本发明基于空间限域与前驱体设计策略的化学气相沉积法可以实现大面积双层3R相MX2纳米片的可控制备;将三氧化钼箔或者三氧化钨箔盖在玻璃基底上方作为前驱体,硫粉或硒粉放置在加热中心上游低温区域。通过调节限域空间的高度构建可控的微型反应空间,空间限域策略一方面可以提供均匀的反应前驱体供给并有效调控前驱体浓度,同时可以确保反应过程中限域空间为稳定的平流环境。待化学气相沉积系统升温至指定温度后,前驱体被输运至衬底上;调控生长参数,成功实现大面积双层3R相MX2纳米片的制备;且依据本发明的方法,可实现大面积双层3R相MX2纳米片的工业化生产。

    一种大面积硫化钯或/和二硫化钯纳米薄膜的制备方法

    公开(公告)号:CN115874151A

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202211050004.1

    申请日:2022-08-30

    申请人: 湘潭大学

    摘要: 本发明公开了一种大面积硫化钯或/和二硫化钯纳米薄膜的制备方法。采用电子束蒸发镀膜与化学气相沉积方法,通过改变预沉积的钯金属纳米薄膜厚度,可以实现硫化钯、二硫化钯或硫化钯与二硫化钯的混合相纳米薄膜的可控制备。包括:一、使用电子束蒸发镀膜仪,将不同厚度的钯金属纳米薄膜蒸镀至二氧化硅基底。二、将硫粉置于管式炉第一温区,生长基底置于第二温区,利用常压化学气相沉积方法进行大面积硫化钯、二硫化钯或硫化钯与二硫化钯的混合相纳米薄膜的可控生长。硫化钯与二硫化钯纳米薄膜因其独特的物理与化学性质在多种工业和技术领域有广泛应用前景,如可用于催化剂,耐酸高温电极,太阳能电池等。本发明能够实现硫化钯、二硫化钯或硫化钯与二硫化钯的混合相纳米薄膜的工业化生产。

    一种具有增强的非线性光学特性的大面积Te-MX2垂直异质结的制备方法

    公开(公告)号:CN115652261A

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN202211275889.5

    申请日:2022-10-18

    申请人: 湘潭大学

    IPC分类号: C23C14/18 C23C16/06

    摘要: 本发明公开一种具有增强的非线性光学特性的大面积Te‑MX2垂直异质结纳米结构的制备方法。采用两步生长法,通过调节限域高度、生长时间以及MX2处理工艺,可以实现二维MX2表面生长的一维碲纳米线尺寸、取向与疏密程度的有效调控。将碲粉末放在氧化铝舟置于加热温区。然后用一片玻璃基底盖在长有单层MX2的玻璃基底上形成限域空间,并将其置于加热温区下游。利用低压气相外延生长技术在单层二维MX2表面外延生长一维Te纳米线,形成Te‑MX2垂直异质结。Te‑MX2垂直异质结展现出优异的非线性光学吸收特性,饱和吸收特性大幅增加,调制深度提升至28.1%,在可饱和吸收体、光调制器领域有着广阔的应用前景。

    一种基于MXene材料的微波湿度传感器

    公开(公告)号:CN220854699U

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202322075784.1

    申请日:2023-08-03

    申请人: 湘潭大学

    IPC分类号: G01N22/04 G06F30/20

    摘要: 本实用新型为一种基于二维MXene材料的平面微波谐振式湿度传感器,包括敏感材料,微波谐振结构。所述敏感材料采用终端挂有羟基的Ti3C2Tx MXene,微波谐振结构采用电感‑电容器(ELC)式的平面叉指状(IDC,Inter‑Digital Capacitor)谐振器,谐振器由介电常数为2.55的覆铜基板制成,谐振器的输入端口与输出端口通过焊锡与SMA接头相连接。叉指状图案可以显著增强微波场分布,与MXene薄膜节后何以显著增大湿度检测的面积,从而实现更准确、灵敏的湿度传感。所设计的传感器的谐振频率在4.1GHz处有明显谐振,其随着相对湿度在10‑90%范围内线性变化,具有1.04MHz/%RH和30mdB/%RH的高灵敏度。