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公开(公告)号：CN116949550A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310810872.3
申请日：2023-07-04
申请人： 湘潭大学
摘要： 本发明涉及一种二维半导体材料合成装置，将两种或多种二维半导体材料密封在双重密封容器内，对所述双重密封容器内增压；将所述双重密封容器放入高压炉中,一边施加与所述双重密封容器内的压力相称的压力一边加热，以使待合成材料反应以直接合成准半导体材料；其中，所述双重密封容器包括由石英制成的内容器和石英容器，且所述内容器和所述石英容器之间设置有恒压机构；本发明对现有的二维半导体材料合成精准合成装置结构进行改进，改进后的半导体合成装置能够实现安瓿内外智能恒压的作用，从而防止安瓿内外压力差过大，避免安瓿发生破裂，从而延长安瓿的使用寿命，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN118086835A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311641566.8
申请日：2023-12-04
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： C23C14/18 , C23C14/32 , C23C16/30 , C23C16/448
摘要： 本发明公开一种大面积PdS2xSe2（1‑x）纳米薄膜的制备方法及应用，涉及硫属化合物纳米薄膜领域。采用电子束蒸发镀膜与低压化学气相沉积相结合的方法，通过调节生长过程中硫粉和硒粉的质量比例，实现了不同元素组分PdS2xSe2（1‑x）纳米薄膜的可控制备。本发明所得纳米薄膜具有高结晶性、大面积的特点，在光电器件、太阳能电池、催化等领域具有巨大的应用价值，这种可控的方法为生产大面积均匀的合金纳米薄膜开辟了一条新途径，提供了一种通用、高效和工业可扩展的方式来调整其物理性能，具有定制光谱响应的光电器件的潜力。
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公开(公告)号：CN117110284A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311006564.1
申请日：2023-08-10
申请人： 湘潭大学
摘要： 本发明公开了一种影响二维半导体电控性能变化的分析实验方法及装置，显微观察二维半导体，确定二维半导体的初始性能，构筑立体反应空间，将二维半导体置于立体反应空间内；按照载气输运模式在立体反应空间内形成不同形状的合成反应空间，在每个合成反应空间内利用电力场反应模式产生静电场，使得二维半导体能够处在高气压作用和电场力作用下；将载气输运模式和电力场反应模式构成影响二维半导体合成的多种作用因素，在立体反应空间内对二维半导体加载不同种的作用因素，对比分析观察二维半导体的性能变化；本发明方便对比研究静电场的作用方向与二维半导体的二次谐波转换效率、偏振化强度、光谱响应范围等性能之间的内在关联。
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公开(公告)号：CN118480761A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410910669.8
申请日：2024-07-09
申请人： 湘潭大学
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/24 , C23C14/54 , H01L31/032
摘要： 本发明公开了一种晶圆级碲硒合金薄膜的制备方法及其应用。采用低压物理气相沉积方法，通过调节碲粉和硒粉的摩尔比可实现不同形貌、不同摩尔比碲硒合金薄膜的可控制备，并构建了基于碲硒合金薄膜的红外光电探测器。步骤包括：一、将不同摩尔比的碲粉和硒粉混合研磨均匀后放入开启式真空管式炉加热中心位置，并将不同生长基底放置于管式炉加热中心下游位置。二、利用低压物理气相沉积方法进行不同形貌、不同摩尔比碲硒合金薄膜的可控制备。根据本发明采用的实验方法，碲硒合金薄膜结晶性好，形貌可控，其带隙大小可以通过控制不同碲、硒摩尔比组成进行调节，有望拓宽光谱探测范围，减小器件暗电流并提升器件响应速度。构筑的碲硒合金薄膜红外光电探测器在近红外波段（850 nm）展现出优异的性能。该发明为其在光电器件领域的应用提供了一种新的材料合成与器件制备路径。
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公开(公告)号：CN117904599A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311703250.7
申请日：2023-12-12
申请人： 湘潭大学
摘要： 本发明公开一种大面积褶皱二硒化钨纳米结构的制备方法。采用化学气相沉积法，基于基底工程、快速降温等策略，生长出大面积、高质量、高均匀性的褶皱二硒化钨纳米结构。通过对基底、生长温度、限域高度的调节，可以实现对二硒化钨纳米褶皱结构波长、幅度的有效调控。本发明无需在生长过程中使用催化剂，避免了其它杂质元素的引入，制备工艺较为简单。该褶皱二硒化钨纳米结构的合成方法具有制备效率高、低成本等优点，可以满足工业界大规模生产的需求，在光电探测、传感器、成像等技术领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN118156369A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410301255.5
申请日：2024-03-15
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/101 , H01L31/0336
摘要： 本发明公开一种基于Te‑WSe2异质结的光电探测器的制备方法。本发明基于化学气相沉积通过前驱体预处理、空间限域等策略制备不同厚度的WSe2纳米薄膜以及基于低压气相沉积通过调控生长温度、前驱体与生长基底的距离在WSe2纳米薄膜表面制备疏密程度可调的Te纳米线/网，并与WSe2形成一、二维混维垂直异质结，并基于多种微纳加工技术构建微纳光电探测器件。本发明省去了剥离转移步骤，避免引入杂质，有效解决了界面质量和可扩展性不足的问题。所构建的Te‑WSe2混维异质结光电探测器与二维WSe2光电探测器相比，展现出高光电流、高响应率等特性，可为基于低维范德华异质结光电器件的构筑提供一种可行的方法。
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公开(公告)号：CN117945666A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410081326.5
申请日：2024-01-19
申请人： 湘潭大学
摘要： 本发明公开Se纳米结构或Se基范德瓦尔斯异质结的制备方法。本发明采用气相沉积法，通过改变生长基底、调节基底放置方式、生长时间、生长温度等可以实现对Se纳米结构或Se基范德瓦尔斯异质结的大面积可控制备。本发明使用二硫化钼纳米片、二硒化钨纳米片、碲纳米线、高序热解石墨烯等多种范德瓦尔斯材料作为生长基底，可以制备出硒/二硫化钼、硒/二硒化钨、硒/碲等多种硒基异质结，从而满足光电、催化、成像等多种应用领域需求。本发明具有成本低、效率高、样品质量高等优势，能够满足大面积合成的工业化需求。
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公开(公告)号：CN220854699U
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202322075784.1
申请日：2023-08-03
申请人： 湘潭大学
摘要： 本实用新型为一种基于二维MXene材料的平面微波谐振式湿度传感器，包括敏感材料，微波谐振结构。所述敏感材料采用终端挂有羟基的Ti3C2Tx MXene，微波谐振结构采用电感‑电容器(ELC)式的平面叉指状(IDC,Inter‑Digital Capacitor)谐振器，谐振器由介电常数为2.55的覆铜基板制成，谐振器的输入端口与输出端口通过焊锡与SMA接头相连接。叉指状图案可以显著增强微波场分布，与MXene薄膜节后何以显著增大湿度检测的面积，从而实现更准确、灵敏的湿度传感。所设计的传感器的谐振频率在4.1GHz处有明显谐振，其随着相对湿度在10‑90％范围内线性变化，具有1.04MHz/％RH和30mdB/％RH的高灵敏度。
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