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公开(公告)号：CN117712038A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311693612.9
申请日：2023-12-06
申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC分类号： H01L21/77 , H01L27/12 , H01L21/027 , G02F1/1362 , G02F1/1368
摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示设备，属于显示技术领域，该方法包括：准备衬底，依次在衬底上沉积形成栅极层、栅极绝缘层、金属氧化物层、源漏极层、第一绝缘保护层、牺牲层和有机光阻层；对有机光阻层进行光刻处理，形成贯穿有机光阻层和牺牲层的深孔；在光刻处理后的有机光阻层上依次镀公共电极层和第二绝缘保护层，使深孔贯穿牺牲层、有机光阻层、公共电极层和第二绝缘保护层，以及穿过第一绝缘保护层至源漏极层；在第二绝缘保护层上沉积形成像素电极，像素电极通过深孔与源漏极层搭接。本发明通过在阵列基板结构中增加牺牲层，实现了减少光阻残留，提升显示效果。
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公开(公告)号：CN117712037A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311693610.X
申请日：2023-12-06
申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC分类号： H01L21/77 , H01L27/12 , H01L27/144
摘要： 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法、显示面板，属于显示技术领域，该方法包括：在衬底基板上依次形成第一栅极、第一绝缘层、有源层；形成第二绝缘层和第二栅极层；在第二栅极层上涂布光阻层，采用半色调光罩进行光刻处理，得到显示区光阻层和感光区光阻层；刻蚀未被显示区光阻层和感光区光阻层覆盖的第二绝缘层和第二栅极层；刻蚀感光区光阻层和感光区光阻层下方的第二栅极；刻蚀显示区光阻层，对有源层进行导体化处理；沉积形成第三绝缘层，在第三绝缘层上图形化形成深孔；在第三绝缘层上沉积电极层，使电极层通过深孔和有源层的导体化部分接触。本发明实现了简化环境光感测显示面板的制备工艺流程，降低成本的技术效果。
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公开(公告)号：CN116887616B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202310851010.5
申请日：2023-07-11
申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC分类号： H10K59/12 , H10K59/122 , H10K59/80 , H10K71/20 , H10K71/60
摘要： 本申请公开了一种显示面板及其制备方法，属于显示技术领域。显示面板制备方法包括：提供阵列基板，对阵列基板上依次沉积的第一有机发光层和第一阴极层进行刻蚀，得到层叠在一起的图形化第一有机发光层和图形化第一阴极；进而依次沉积第二有机发光层和第二阴极层，并在刻蚀过程中，通过图形化第一阴极保护图形化第一有机发光层，以得到图形化第二有机发光层和图形化第二阴极，进而采用相同方法得到图形化第三有机发光层和图形化第三阴极，并沉积辅助电极，以使图形化第一阴极、图形化第二阴极和图形化第三阴极相连接，制得显示面板。本申请解决了常规的显示面板制备成本较高的技术问题。
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公开(公告)号：CN118284158A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410370900.9
申请日：2024-03-28
申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC分类号： H10K59/121 , H10K59/126 , H10K59/12 , H01L27/12 , H01L29/786
摘要： 本申请提供了显示面板及其制备方法、电子设备。显示面板包括基板、及设于基板的一侧的薄膜晶体管。驱动薄膜晶体管包括设于基板的多晶硅层，开关薄膜晶体管包括与多晶硅层设于基板同一侧的非晶硅层、及设于非晶硅层背离基板一侧的遮光层，多晶硅层与非晶硅层间隔设置，多晶硅层、非晶硅层、及遮光层均用于通过一个掩膜件得到。薄膜晶体管还包括第一绝缘层，第一绝缘层覆盖多晶硅层与遮光层。本申请的显示面板通过使多晶硅层、非晶硅层、及遮光层可通过一个掩膜件得到，且使第一绝缘层同时覆盖多晶硅层与遮光层，在显示面板的制备过程中，既减少了掩膜件的数量，又减少了相关技术中薄膜晶体管的绝缘层数量，提高了制备效率，降低了制作成本。
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公开(公告)号：CN116864508A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310641324.2
申请日：2023-05-31
申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC分类号： H01L27/12
摘要： 本申请提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板。阵列基板包括基板、栅极、像素电极、绝缘层、漏极、保护层和公共电极，所述栅极和所述像素电极设于所述基板的同一侧，所述像素电极与所述栅极同层并间隔设置，所述绝缘层覆盖所述栅极和所述像素电极，所述漏极位于所述绝缘层背离所述基板的一侧，所述保护层设于所述绝缘层背离所述基板的一侧，所述保护层覆盖所述漏极，所述公共电极的至少部分设于所述保护层背离所述绝缘层的一侧，所述公共电极与所述漏极和所述像素电极电连接。本申请的技术方案能够提升公共电极与薄膜晶体管电连接的稳定性并且简化阵列基板的制备流程。
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公开(公告)号：CN116887616A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202310851010.5
申请日：2023-07-11
申请人： 滁州惠科光电科技有限公司 , 惠科股份有限公司
IPC分类号： H10K59/12 , H10K59/122 , H10K59/80 , H10K71/20 , H10K71/60
摘要： 本申请公开了一种显示面板及其制备方法，属于显示技术领域。显示面板制备方法包括：提供阵列基板，对阵列基板上依次沉积的第一有机发光层和第一阴极层进行刻蚀，得到层叠在一起的图形化第一有机发光层和图形化第一阴极；进而依次沉积第二有机发光层和第二阴极层，并在刻蚀过程中，通过图形化第一阴极保护图形化第一有机发光层，以得到图形化第二有机发光层和图形化第二阴极，进而采用相同方法得到图形化第三有机发光层和图形化第三阴极，并沉积辅助电极，以使图形化第一阴极、图形化第二阴极和图形化第三阴极相连接，制得显示面板。本申请解决了常规的显示面板制备成本较高的技术问题。
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公开(公告)号：CN116568099B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202310606738.1
申请日：2023-05-25
申请人： 惠科股份有限公司
摘要： 本申请提供一种阵列基板及其制备方法，显示面板，阵列基板包括薄膜晶体管、依次层叠设置于薄膜晶体管的第一导电层、反射层、第二导电层和半导体层，薄膜晶体管包括第一区域和第二区域，第一导电层、反射层和第二导电层位于第一区域和第二区域，半导体层位于第一区域，位于第一区域的第一导电层、反射层、第二导电层和半导体层配合形成第一阳极结构，第一阳极结构用于与第一发光层连接，第一发光层的发光颜色为蓝色，位于第二区域的第一导电层、反射层和第二导电层配合形成第二阳极结构，第一阳极结构的厚度大于第二阳极结构的厚度。本申请的技术方案能够解决OLED显示器出现暗点的问题。
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公开(公告)号：CN116568099A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310606738.1
申请日：2023-05-25
申请人： 惠科股份有限公司
摘要： 本申请提供一种阵列基板及其制备方法，显示面板，阵列基板包括薄膜晶体管、依次层叠设置于薄膜晶体管的第一导电层、反射层、第二导电层和半导体层，薄膜晶体管包括第一区域和第二区域，第一导电层、反射层和第二导电层位于第一区域和第二区域，半导体层位于第一区域，位于第一区域的第一导电层、反射层、第二导电层和半导体层配合形成第一阳极结构，第一阳极结构用于与第一发光层连接，第一发光层的发光颜色为蓝色，位于第二区域的第一导电层、反射层和第二导电层配合形成第二阳极结构，第一阳极结构的厚度大于第二阳极结构的厚度。本申请的技术方案能够解决OLED显示器出现暗点的问题。
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