一种光纤连接器
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112269227A

    公开(公告)日:2021-01-26

    申请号:CN202011136452.4

    申请日:2020-10-21

    IPC分类号: G02B6/38

    摘要: 本发明涉及光纤连接技术领域,公开了一种光纤连接器,包括壳体和光缆夹块,壳体的尾端设有用于容纳光缆夹块的容纳腔,容纳腔贯穿于壳体的一侧以形成有供光缆夹块插入的插入口;容纳腔的底部开设有卡槽,光缆夹块设有与卡槽配合卡接的突起;容纳腔的内侧壁上设有导向槽,且导向槽的长度方向与光缆夹块在容纳腔的插入方向相同,光缆夹块设有与导向槽配合导向的导向块;导向块在沿导向槽的宽度方向上与导向槽的内侧壁之间预留有移动间隙。本发明的光缆夹块通过导向块在导向槽的宽度方向上与导向槽的内侧壁之间预留有移动间隙,避免了光缆夹块在容纳腔移动时突起抵顶容纳腔的底部而导致壳体发生形变,避免壳体因形变发生疲劳现象。

    一种光纤连接器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111610601A

    公开(公告)日:2020-09-01

    申请号:CN202010502372.X

    申请日:2020-06-04

    发明人: 郑镇宏 黄雪云

    IPC分类号: G02B6/38

    摘要: 本发明涉及连接器技术领域,尤其涉及一种光纤连接器,包括插芯组件和连接器外壳,连接器外壳开设有轴向延伸的内腔,内腔的内侧壁设有限位凸起,插芯组件的尾部设有限位卡勾,插芯组件插设于内腔并通过限位卡勾与限位凸起卡接以限制插芯组件向内腔前端移动,连接器外壳对应限位凸起的位置开设有轴向延伸的窗口。本发明一方面,通过限位卡勾与限位凸起卡接实现插芯组件的轴向限位,防止插芯组件从连接器前端移出;另一方面,连接器外壳一侧对应限位凸起的位置开设有轴向延伸的窗口,当插芯组件拆卸时,通过使插芯组件尾部的限位卡勾向窗口方向移动,实现插芯组件与连接器外壳的分离,避免了插芯组件拆卸过程中损坏零部件。

    一种光纤连接结构
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110673273A

    公开(公告)日:2020-01-10

    申请号:CN201910961103.7

    申请日:2019-10-10

    发明人: 郑镇宏 黄雪云

    IPC分类号: G02B6/38

    摘要: 本发明涉及光纤技术领域,尤其涉及一种光纤连接结构,包括连接器外壳和光缆夹块,连接器外壳设有用于容纳光缆夹块的容纳腔,光缆夹块设有沿光缆夹块轴向方向延伸的导向臂,容纳腔的内侧壁开设有用于与导向臂配合引导光缆夹块定向移动的导向槽。本发明通过设置导向臂与导向槽配合,在光缆通过光缆夹块插入光纤快速连接器与预埋光纤对接时,导向臂嵌入导向槽内,从而使光缆夹块在与光纤快速连接器对接过程中沿着导向槽移动,实现光纤对接移动时的导正作用,避免光纤的端面与连接器外壳碰撞产生损伤,降低光纤对接后的插入损耗。

    一种氮化铝烧结体及应用

    公开(公告)号:CN110540429A

    公开(公告)日:2019-12-06

    申请号:CN201910811486.X

    申请日:2019-08-29

    发明人: 黄雪云 江楠

    IPC分类号: C04B35/582 C04B35/64

    摘要: 本发明公开了一种氮化铝烧结体,包含以下质量百分含量的成分:氮化锆0.5-20wt%、氟化钙0-3wt%、含钇化合物(以氧化钇形式计算)0-5wt%、含硅化合物(以氧化硅形式计算)0-0.5wt%、含镁化合物(以氧化镁形式计算)0-3wt%;其中,在所述氮化铝烧结体中,氮化铝的质量百分含量大于75%。本发明利用原位合成的方法,生成的氮化锆可均匀的分散在基底材料中,并能与AlN晶粒紧密结合,达到弥散增韧基板的效果;可有效提升基板强度,使基板强度高达600Mpa,在市场上能与Si3N4竞争,可应用于IGBT模块中。同时,本发明还公开一种包含上述烧结体的氮化铝基板。

    一种氮化铝烧结体及应用

    公开(公告)号:CN110540429B

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN201910811486.X

    申请日:2019-08-29

    发明人: 黄雪云 江楠

    IPC分类号: C04B35/582 C04B35/64

    摘要: 本发明公开了一种氮化铝烧结体,包含以下质量百分含量的成分:氮化锆0.5‑20wt%、氟化钙0‑3wt%、含钇化合物(以氧化钇形式计算)0‑5wt%、含硅化合物(以氧化硅形式计算)0‑0.5wt%、含镁化合物(以氧化镁形式计算)0‑3wt%;其中,在所述氮化铝烧结体中,氮化铝的质量百分含量大于75%。本发明利用原位合成的方法,生成的氮化锆可均匀的分散在基底材料中,并能与AlN晶粒紧密结合,达到弥散增韧基板的效果;可有效提升基板强度,使基板强度高达600Mpa,在市场上能与Si3N4竞争,可应用于IGBT模块中。同时,本发明还公开一种包含上述烧结体的氮化铝基板。

    一种清洗设备
    6.
    发明公开
    一种清洗设备 审中-实审

    公开(公告)号:CN113333371A

    公开(公告)日:2021-09-03

    申请号:CN202110647834.1

    申请日:2021-06-10

    摘要: 本发明公开了一种清洗设备,包括载料容器、清洁容器、超声波发生模块和驱动模块,载料容器具有料口,载料容器内设有导引结构;清洁容器具有清洁空间,清洁空间的底部设有用于分隔清洁空间的隔层,清洁空间至少被分隔为第一空间和第二空间,第一空间用于放置载料容器,载料容器的料口伸入第二空间中;超声波发生模块与清洁容器连接;驱动模块与载料容器连接,驱动模块用于驱动载料容器绕预设轴向方向转动,预设轴向方向贯穿料口。驱动模块驱动载料容器转动,从而导引结构可将物料导引出料口,物料脱离料口后落入第二空间中,无需拆卸载料容器即可实现物料的倒出,也能快捷收集清洗后的物料,节省了人工成本,提高了自动化程度。

    一种大规格的陶瓷基板
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112863793A

    公开(公告)日:2021-05-28

    申请号:CN202110037581.6

    申请日:2021-01-12

    IPC分类号: H01C7/00 H01C17/00

    摘要: 本发明公开了一种大规格的陶瓷基板。这种大规格的陶瓷基板包括陶瓷基板本体;成片区,所述成片区设置在所述陶瓷基板本体的表面;白边,所述白边设置在所述成片区的四周;所述成片区设有若干形成在陶瓷基板本体表面的一次凹痕和二次凹痕;所述一次凹痕与所述二次凹痕垂直相交;所述一次凹痕的深度大于所述二次凹痕的深度;所述陶瓷基板的外尺寸如下:长度≥89.60mm,宽度≥79.60mm,厚度≥0.43mm。本发明通过增大陶瓷基板的长宽尺寸,极大地增加了基片的生产效率,并且能够有效控制翘曲的发生,有利于大规模地自动化生产,降低材料、人工及时间成本。

    一种氧化锆复合氧化铝陶瓷烧结体、其制备方法及应用

    公开(公告)号:CN110330317A

    公开(公告)日:2019-10-15

    申请号:CN201910670185.X

    申请日:2019-07-23

    摘要: 本发明公开了一种氧化锆复合氧化铝陶瓷烧结体,包含以下质量百分含量的成分:含锆化合物(含量以氧化锆形式计算)0.01-20%、含钇化合物(含量以氧化钇形式计算)0-1.75%、含硅化合物(含量以氧化硅形式计算)0.01-0.8%、含钙化合物(含量以氧化钙形式计算)0-0.035%、含镁化合物(含量以氧化镁形式计算)0-0.05%,余量为氧化铝。本发明通过降低助熔剂含量,降低助熔剂对晶界强度及声子传递速率的影响,通过控制ZrO2初始粒径及分散均匀性实现ZrO2助熔Al2O3基体致密化,提升氧化铝陶瓷基体的机械强度及热导率。同时,本发明还公开了包含上述烧结体的氧化铝基板及其制备方法。

    一种陶瓷基板坯体的敷粉工艺和系统

    公开(公告)号:CN108058264A

    公开(公告)日:2018-05-22

    申请号:CN201711265175.5

    申请日:2017-12-04

    发明人: 黄雪云 江楠

    IPC分类号: B28B11/06 B28B11/04 B28B17/04

    摘要: 本发明公开了一种陶瓷基板坯体的敷粉工艺,包含以下步骤:(1)、在陶瓷基板坯体的表面形成一层均匀的粘结剂膜层,得具有粘结剂膜层的陶瓷基板坯体;(2)、在具有粘结剂膜层的陶瓷基板坯体的表面形成一层隔粘粉层,即得敷粉后的陶瓷基板坯体。本发明所述敷粉工艺将粘结剂和隔粘粉分为两步单独实施,有效地避免了粘结剂在坯体表面受张力作用形成液珠从而造成隔粘粉在坯体表面团聚;改善隔粘粉分散均匀性及粉体密度均匀性,同时未敷在坯体表面的隔粘粉可直接回收重复利用,显著提高了隔粘粉的利用率,降低了隔粘粉的回收难度。本发明还公开了一种陶瓷基板坯体的敷粉系统,陶瓷基板坯体经过本发明所述敷粉系统后可保证表面粉体均匀。