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公开(公告)号：CN113363379A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202011203558.1
申请日：2020-11-02
申请人： 爱思开海力士有限公司
摘要： 一种用于制造包括半导体存储器的电子设备的方法可以包括：形成第一碳电极材料；对第一碳电极材料进行表面处理以减小第一碳电极材料的表面粗糙度；以及在处理后的第一碳电极材料的表面上形成第二碳电极材料。第二碳电极材料的厚度可以大于第一碳电极材料的厚度。
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公开(公告)号：CN104123960B
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201310646378.4
申请日：2013-12-04
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： G11C13/00
CPC分类号： G11C13/003 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0033 , G11C13/004 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/0073 , G11C2013/0092 , G11C2213/15 , G11C2213/73
摘要： 本发明提供一种电阻式存储器件，其包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括耦接于字线与位线之间的单位存储器单元，其中单位存储器单元包括串联耦接的数据储存材料和基于非硅衬底型双向存取器件；路径设定电路，耦接于位线与字线之间，适用于基于路径控制信号、正向写入命令和反向写入命令而向位线或字线提供编程脉冲；以及控制单元，适用于基于外部命令信号而提供写入路径控制信号、正向编程命令和反向编程命令。
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公开(公告)号：CN106469687A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610249846.8
申请日：2016-04-20
申请人： 爱思开海力士有限公司
CPC分类号： H01L21/4857 , H01L21/6835 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L2221/68345 , H01L2221/68386 , H01L2224/16 , H01L2224/48228 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H05K1/181 , H05K3/007 , H05K3/4007 , H05K2203/0369 , H05K2203/041 , H05K2203/049 , H01L2924/00012 , H01L23/12 , H01L23/48 , H01L24/26 , H01L24/27 , H01L24/31 , H01L2224/3301 , H01L2224/331 , H05K3/40
摘要： 具有嵌入式电路图案的封装基板其制造方法及半导体封装。提供了一种制造封装基板的方法。该方法可包括在导电层中形成隔离沟，并且在所述导电层上形成第一介电层，以提供填充所述隔离沟的隔离壁部分。该方法可包括使所述导电层凹进，以在由所述隔离壁部分限定并分离的电路沟中形成电路图案。该方法可包括形成覆盖所述电路图案的第二介电层，并且对所述第一介电层和所述第二介电层进行构图，以暴露部分所述电路图案。所述电路图案的暴露的部分可充当连接器。
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公开(公告)号：CN118450713A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410407712.9
申请日：2020-11-02
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： H10B61/00 , H10B63/00 , H10B63/10 , H10N50/10 , H10N50/80 , H10N50/01 , H10N70/20 , H10N70/00
摘要： 一种用于制造包括半导体存储器的电子设备的方法可以包括：形成第一碳电极材料；对第一碳电极材料进行表面处理以减小第一碳电极材料的表面粗糙度；以及在处理后的第一碳电极材料的表面上形成第二碳电极材料。第二碳电极材料的厚度可以大于第一碳电极材料的厚度。
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公开(公告)号：CN112151570B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN201911293574.1
申请日：2019-12-16
申请人： 爱思开海力士有限公司
摘要： 本公开提供一种半导体存储器，所述半导体存储器包括：第一线；第二线；第三线；第一存储单元，其设置在所述第一线和所述第二线之间处在所述第一线和所述第二线的相交区域，所述第一存储单元包括第一选择元件层和耦接到所述第一选择元件层的第一电极；以及第二存储单元，其设置在所述第二线和所述第三线之间处在所述第二线和所述第三线的相交区域，所述第二存储单元包括第二选择元件层和耦接到所述第二选择元件层的第二电极，其中，所述第一选择元件层的阈值电压大于所述第二选择元件层的阈值电压，并且所述第二电极的电阻大于所述第一电极的电阻。
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公开(公告)号：CN110858499B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN201910584876.8
申请日：2019-07-01
申请人： 爱思开海力士有限公司
摘要： 一种包括半导体存储器的电子设备，其中半导体存储器包括写入电路以及存储单元阵列，该写入电路适用于：基于写入命令信号、写入数据信号和延时信息信号，在与比写入延时短的预写入延时相对应的第一时间点产生第一写入电流，并且在与写入延时相对应的第二时间点产生第二写入电流，该存储单元阵列适用于：基于第一写入电流和第二写入电流来储存与写入数据信号相对应的数据值。
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公开(公告)号：CN106449602B
公开(公告)日：2019-09-13
申请号：CN201610147421.6
申请日：2016-03-15
申请人： 爱思开海力士有限公司
IPC分类号： H01L23/60
摘要： 具有EMI屏蔽部分的半导体封装及其制造方法。一种半导体封装可包括：半导体器件，其被安装在封装基板上；导电顶，其被设置在所述半导体器件上方；多个导电壁，其被设置在所述封装基板上并且被排列在包围所述半导体器件的闭合回路线中。导电柱可被设置在所述封装基板上的导电壁之间的区域中并且接合到所述导电顶。所述半导体封装可包括填充所述封装基板与所述导电顶之间的空间的第一介电层。
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公开(公告)号：CN103872244A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310201328.5
申请日：2013-05-27
申请人： 爱思开海力士有限公司
CPC分类号： H01L45/06 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/124 , H01L45/1608 , H01L45/1666
摘要： 一种阻变存储器件可以包括：底结构；存储器单元结构，所述存储器单元结构被设置在底结构上；以及数据储存材料，所述数据储存材料被设置成包围存储器单元结构的外侧壁。
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公开(公告)号：CN112614934A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202010652320.0
申请日：2020-07-08
申请人： 爱思开海力士有限公司
发明人： 金明燮
摘要： 电子设备可以包括半导体存储器。该半导体存储器可以包括：第一可变电阻层，其包含锑(Sb)；第二可变电阻层，其包含的锑(Sb)的含量与第一可变电阻层不同，第二可变电阻层的结晶速度与第一可变电阻层的结晶速度不同；以及第一电极，其介于第一可变电阻层与第二可变电阻层之间。
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