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公开(公告)号：CN109036493A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810592209.X
申请日：2018-06-11
申请人： 西北工业大学
CPC分类号： G11C29/42 , G11C29/18 , G11C29/44 , G11C2029/1806 , G11C2029/4402
摘要： 本发明提供了一种具有检错纠错机制的NAND Flash控制器，控制器状态机实现页编程操作、页读取操作、块擦除操作、读状态操作、读取ID操作以及设备复位操作；寄存器组包括命令寄存器、地址寄存器、数据寄存器和状态寄存器；ECC校验模块在执行页编程操作或者页读取操作时对数据寄存器中读出或者写入的数据进行实时校验检测，如果检测到数据出错，则配合控制器状态机模块对错误进行纠正，并将校正后的正确数据存放到数据寄存器。本发明以NAND Flash特点为约束，具有检错纠错机制，能够提升固态存储设备整体性能。
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公开(公告)号：CN108962331A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710860503.X
申请日：2017-09-21
申请人： 爱思开海力士有限公司
CPC分类号： H01L22/34 , G01R31/026 , G01R31/2853 , G01R31/2856 , G11C29/025 , G11C29/1201 , G11C29/18 , G11C29/50008 , G11C2029/0403 , G11C2029/0407 , H01L22/32 , H01L25/0657 , H01L2225/0651 , H01L2225/06586 , G11C29/56
摘要： 公开了一种半导体器件、测试方法和包括该半导体器件的系统，其可以涉及一种用于测试半导体器件的焊盘的开路状态和短路状态的技术。
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公开(公告)号：CN108694986A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201710655025.9
申请日：2017-08-03
申请人： 格罗方德半导体股份有限公司
发明人： I·阿尔索夫斯基 , E·D·亨特-施罗德 , M·A·齐格霍弗尔
CPC分类号： G11C29/12 , G06F12/1027 , G06F2212/65 , G06F2212/68 , G11C8/16 , G11C2029/0409 , G11C29/18
摘要： 本发明涉及使用背景内建自测试的零测试时间存储器。本公开涉及一种结构，包括存储器，其被配置为在读取端口处执行至少一个功能读取操作的同时，能够在读取/写入端口处进行零测试时间内建自测试(BIST)。
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公开(公告)号：CN108062965A
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201710846920.9
申请日：2017-09-19
申请人： 爱思开海力士有限公司
CPC分类号： G06F11/1056 , G06F11/1048 , G11C16/0483 , G11C16/06 , G11C29/025 , G11C29/20 , G11C29/34 , G11C29/44 , G11C29/46 , G11C29/48 , G11C2029/1202 , G11C2029/4402 , G11C29/18 , G11C29/26 , G11C2029/1204 , G11C2029/1806
摘要： 半导体存储装置、控制器及其操作方法。一种半导体存储装置包括存储单元阵列、读/写电路、控制逻辑和块缺陷信息存储单元。所述控制逻辑控制所述读/写电路对所述存储单元阵列执行读/写操作。所述块缺陷信息存储单元存储关于所述存储单元阵列的存储块的访问记录和在所述存储块中是否发生缺陷的信息。当请求操作的性能时，所述控制逻辑控制所述读/写电路参照所述块缺陷信息存储单元的访问记录来确定所述存储块是否是被首次访问，并且基于确定来执行所述存储块的字线测试。
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公开(公告)号：CN107068196A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710322134.9
申请日：2017-05-09
申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
CPC分类号： G11C29/44 , G11C29/04 , G11C29/12 , G11C29/1201 , G11C29/12015 , G11C29/18 , G11C2029/0401 , G11C2029/4402
摘要： 本发明提供了一种用于闪存的内建自测试电路、系统及方法，其中：所述自读取测试模块用于测试所述闪存的读取操作，并将读取测试结果发给所述命令转换模块；所述自擦除测试模块用于测试所述闪存的擦除操作，并将擦除测试结果发给所述命令转换模块；所述自编程测试模块用于测试所述闪存的编程操作，并将编程测试结果发给所述命令转换模块；所述命令转换模块用于将所述测试机台输入的测试命令发给所述自读取测试模块、所述自擦除测试模块和所述自编程测试模块，以及将所述读取测试结果、所述擦除测试结果和所述编程测试结果发给所述测试机台。
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公开(公告)号：CN106653094A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201610772489.3
申请日：2016-08-30
申请人： 北京中电华大电子设计有限责任公司
CPC分类号： G11C29/50016 , G11C29/18
摘要： 本发明公开了一种消除高安全智能卡芯片数据加解密对非易失存储器可靠性测试影响的方法。针对数据加密后写入存储器的物理数据与编程预期数据不一致，在测试COS中嵌入预加解密函数，对数据进行预加解密处理，保证写入存储器的物理数据与预期数据一致。本发明提出的非易失存储器物理数据模型测试方法，能够覆盖典型物理失效模式，有效地考核高安全智能卡芯片中非易失存储器的本征可靠性水平。
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公开(公告)号：CN106205736A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201610500517.6
申请日：2016-06-29
申请人： 联想(北京)有限公司
发明人： 王宏伟
摘要： 本发明实施例公开了一种测试方法及测试设备。所述测试设备用于测试芯片中的存储模块；所述方法包括：生成多个第一伪随机序列；将所述多个第一伪随机序列分别写入所述存储模块；读取所述存储模块中存储的多个第二伪随机序列；比对写入所述存储模块的所述多个第一伪随机序列和从所述存储模块读取的所述多个第二伪随机序列；当所述多个第一伪随机序列和所述多个第二伪随机序列不完全匹配时，判定所述存储模块处于异常状态。
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公开(公告)号：CN103021467A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110304946.3
申请日：2011-09-27
申请人： 意法半导体研发(深圳)有限公司 , 意法半导体股份有限公司
IPC分类号： G11C29/12
摘要： 本发明公开了一种故障诊断电路以及集成电路。该电路包括多路选择器与控制器。多路选择器用于接收多个地址信号，并响应于选择信号而将所述多个地址信号中的一个地址信号选择地输出至可寻址模块，所述可寻址模块具有一组可寻址单元。控制器用于生成所述多个地址信号中的第一地址信号以及所述选择信号，并响应于所述第一地址信号读出所述可寻址模块的输出。
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公开(公告)号：CN102682853A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110230338.2
申请日：2011-08-12
申请人： 南亚科技股份有限公司
发明人： 杨永庆
IPC分类号： G11C29/20
CPC分类号： G11C29/18 , G11C11/401
摘要： 本发明提供一种用于存储器的测试系统及测试方法，该测试系统包含：一控制装置、一地址产生装置、一数据扰乱装置以及一比较装置。该控制装置用以写入一第一数据至一存储器。该地址产生装置用以产生相应于该存储器的多个第一地址及多个第二地址。该数据扰乱装置利用第一地址扰乱第一数据，以取得一第二数据，及利用第二地址扰乱第二数据，以取得一第三数据。该比较装置用以比较第三数据及第一数据。利用本发明，地址可简单地及随机地以一维方式产生以模拟测试环境，且关于地址的参数可编程规划以应用至不同型式的存储器，以延展测试存储器的应用范围。
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公开(公告)号：CN1137677A
公开(公告)日：1996-12-11
申请号：CN96100432.0
申请日：1996-01-16
申请人： 三菱电机株式会社
发明人： 前野秀史
IPC分类号： G11C11/413 , G11C29/00
CPC分类号： G11C7/1006 , G11C29/18
摘要： 通过部件本身如半导体单元或带有半导体的计算机单元执行测试以便无须使用昂贵的激光装置便可适当地切换冗余电路。通过借助分别和多条外部位线OBL1至OBL4连接的控制存储单元C11至C14控制选择器SEL1至SEL4以及通过切换外部位线OBL1至OBL4和内部位线BL1至BL5之间的对应关系来排除故障。控制存储单元C11至C14的数据是从外部位线OBL1至OBL4上给出的。
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