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发明公开
半导体存储器设备和半导体存储器设备的制造方法审中-公开

公开(公告)号：CN116896896A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202211465513.0

申请日：2022-11-22

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 李建泳 , 金尚秀 , 陈尚完

IPC分类号： H10B43/27 , H10B43/35 , H10B41/27 , H10B41/35

摘要： 本公开涉及半导体存储器设备和半导体存储器设备的制造方法。一种半导体存储器设备包括：第一栅极堆叠结构，包括在垂直方向上交替堆叠的第一层间绝缘层和第一导电层；穿入第一栅极堆叠结构的虚设垂直通道；在虚设垂直通道的两侧处穿入第一栅极堆叠结构的下部垂直通道；第二栅极堆叠结构，包括在垂直方向上交替堆叠在第一栅极堆叠结构上的第二层间绝缘层和第二导电层；部分地穿入第二栅极堆叠结构的第一选择线隔离结构；连接到下部垂直通道、同时穿入第二栅极堆叠结构的上部垂直通道；以及在垂直方向上与虚设垂直通道重叠的第二选择线隔离结构，第二选择线隔离结构穿入第二栅极堆叠结构的一部分。