公开(公告)号：CN103081016A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180041359.8

申请日：2011-08-25

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 ,  株式会社船井电机新应用技术研究所 ,  船井电机株式会社

Inventor： 高桥刚 ,  增田雄一郎 ,  古田成生 ,  角谷透 ,  小野雅敏 ,  林豊 ,  福冈敏美 ,  清水哲夫 ,  库玛拉古卢巴兰·索姆 ,  菅洋志 ,  内藤泰久

IPC: G11C13/00 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/02

CPC classification number: G11C13/0002 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C17/16 ,  G11C2013/009 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/74 ,  G11C2213/79

Abstract: 更稳定地进行开关动作。存储元件10具有绝缘性基板1、设置于绝缘性基板的第一电极2及第二电极3、产生第一电极与第二电极之间的电阻值的变化现象的电极间间隙部4，通过从脉冲发生源向存储元件10施加用于从规定的低电阻状态向规定的高电阻状态转换的第一电压脉冲，经由串联的电阻体向存储元件10施加用于从高电阻状态向低电阻状态转换的第二电压脉冲，来减小流向变化为低电阻值之后的存储元件的电流值，与从低电阻状态向所述高电阻状态转换的情况相比，在从高电阻状态向低电阻状态转换的情况下，在使在脉冲发生源与存储元件之间的电阻变大之后，施加电压脉冲。

公开(公告)号：CN103081017B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201180041391.6

申请日：2011-08-25

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 ,  株式会社船井电机新应用技术研究所 ,  船井电机株式会社

Inventor： 高桥刚 ,  增田雄一郎 ,  古田成生 ,  角谷透 ,  小野雅敏 ,  林豊 ,  福冈敏美 ,  清水哲夫 ,  库玛拉古卢巴兰·索姆 ,  菅洋志 ,  内藤泰久

IPC: G11C13/00 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0002 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101

Abstract: 更稳定地进行开关动作。存储元件10具有：绝缘性基板；第一电极2及第二电极3，其设置于绝缘性基板；电极间间隙部4，其设置在第一电极与第二电极之间，具有产生第一、第二电极之间的电阻值的变化现象的纳米级的间隙，该存储元件10能够从规定的低电阻状态向规定的高电阻状态转换以及能够从高电阻状态向所述低电阻状态转换，该存储元件10的驱动方法的特征在于，在从高电阻状态向所述低电阻状态转换时，通过恒流电路向存储元件施加电流脉冲。

公开(公告)号：CN103081017A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN201180041391.6

申请日：2011-08-25

Applicant: 独立行政法人产业技术综合研究所 ,  株式会社船井电机新应用技术研究所 ,  船井电机株式会社

Inventor： 高桥刚 ,  增田雄一郎 ,  古田成生 ,  角谷透 ,  小野雅敏 ,  林豊 ,  福冈敏美 ,  清水哲夫 ,  库玛拉古卢巴兰·索姆 ,  菅洋志 ,  内藤泰久

IPC: G11C13/00 ,  H01L27/10 ,  H01L27/105 ,  H01L45/00 ,  H01L49/00

CPC classification number: G11C13/0069 ,  G11C13/0002 ,  G11C2213/79 ,  H01L27/101

Abstract: 更稳定地进行开关动作。存储元件10具有：绝缘性基板；第一电极2及第二电极3，其设置于绝缘性基板；电极间间隙部4，其设置在第一电极与第二电极之间，具有产生第一、第二电极之间的电阻值的变化现象的纳米级的间隙，该存储元件10能够从规定的低电阻状态向规定的高电阻状态转换以及能够从高电阻状态向所述低电阻状态转换，该存储元件10的驱动方法的特征在于，在从高电阻状态向所述低电阻状态转换时，通过恒流电路向存储元件施加电流脉冲。