公开(公告)号：CN109416760A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780042139.4

申请日：2017-06-14

申请人： 阿姆有限公司

发明人： S·达斯 ,  R·霍尔姆

IPC分类号： G06N3/063

CPC分类号： G06N3/063 ,  G11C11/54 ,  G11C13/0002

摘要： 一种人工神经网络。广义地说，本技术的实施例提供了可重新配置的基于硬件的人工神经网络，其中经由在神经网络外部执行的训练来获得人工神经网络的每个神经网络节点的权重。

公开(公告)号：CN108475527A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680075550.7

申请日：2016-12-13

申请人： ARM有限公司

发明人： 帕拉姆施瓦拉帕·阿南德·库马尔·塞万斯 ,  詹姆斯·爱德华·迈尔斯 ,  什哈尔塔·达斯

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C11/419 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0078 ,  H03K17/687 ,  H03K2217/0036

摘要： 根据本公开的一个实施例，提供了一种装置。该装置包括用于接收数据信号的数据输入。该装置还包括锁存电路。锁存电路包括第一相关电子开关(CES)元件和第二CES元件。锁存电路还包括耦合到第一CES元件和第二CES元件的控制电路。控制电路被配置为基于数据信号来编程第一CES元件和第二CES元件的阻抗状态。

公开(公告)号：CN108461518A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201711327488.9

申请日：2017-12-13

申请人： 爱思开海力士有限公司

发明人： 李宰演

IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L27/22 ,  G11C17/18 ,  G11C17/16

CPC分类号： H01L23/5256 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0033 ,  G11C17/165 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/224 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/141 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1633

摘要： 在一个实施例中，交叉点阵列器件包括设置在第一导电线与第二导电线交叠的交叉区域中的柱状结构。柱状结构包括设置在第一导电线与第二导电线之间的电阻变化材料层。柱状结构包括一个或更多个导电熔丝材料层，每个导电熔丝材料层设置在第一导电线或第二导电线与电阻变化材料层之间。

公开(公告)号：CN108281167A

公开(公告)日：2018-07-13

申请号：CN201711247786.7

申请日：2017-11-30

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 林菜昱 ,  朴贤国 ,  鲜于桢 ,  吴荣训 ,  李墉焌

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G06F11/1048 ,  G06F11/1068 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C29/52 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2029/0411 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/76 ,  G11C2213/79 ,  G11C13/0021

摘要： 提供了具有电阻变化材料的存储器件和该存储器件的操作方法。存储器件包括：存储器单元阵列，包括根据电阻的变化存储不同的数据的第一电阻式存储器单元和第二电阻式存储器单元；缓冲器，包括分别与第一电阻式存储器单元和第二电阻式存储器单元相对应的第一存储区域和第二存储区域；以及控制电路，接收要编程到存储器单元阵列的程序数据，比较存储在第一存储区域中的第一数据和存储在第一电阻式存储器单元中的第二数据，并且作为比较的结果，确定第一存储区域和第二存储区域中的一个作为程序数据要被写入到的存储区域。

公开(公告)号：CN108231822A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711040240.4

申请日：2017-10-31

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 崔惠珍 ,  吴廷翼 ,  元福渊 ,  白光铉

IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC分类号： H01L27/2463 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/126 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/148 ,  H01L45/12

摘要： 一种可变电阻存储装置包括：第一电极线；单元结构，包括位于所述第一电极线上的可变电阻层以及保护所述可变电阻层的第一阻挡层；以及第二电极线，位于所述单元结构上，其中所述第一阻挡层位于以下中的至少一个上：所述可变电阻层的上表面、所述可变电阻层的下表面及所述可变电阻层的所述上表面与所述下表面二者，且所述第一阻挡层包括金属层或含碳导电层。

公开(公告)号：CN104767487B

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201410325046.0

申请日：2014-07-09

申请人： 新唐科技股份有限公司

发明人： 王政治

IPC分类号： H03B5/36

CPC分类号： H03K3/0315 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0045

摘要： 本发明实施例提供了一种电压产生器以及振荡装置与操作方法。所述振荡装置包括非易失性存储器、电压产生器以及压控振荡电路。所述电压产生器使用所述非易失性存储器所提供的非易失性电阻值来产生偏压。所述压控振荡电路耦接至该电压产生器，用以根据该偏压来产生对应的一振荡频率。

公开(公告)号：CN108028064A

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：CN201680054943.X

申请日：2016-09-21

申请人： ARM 有限公司

发明人： 阿齐兹·巴夫纳加尔瓦拉 ,  罗伯特·坎贝尔·艾特肯 ,  卢西恩·斯弗恩

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G11C13/0069 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/003 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0054 ,  G11C2213/75

摘要： 公开了用于双非易失性存储器设备的操作的方法、系统和设备。在实施例中，通过控制施加到非易失性存储器设备的端子的电流和电压，可以在写入操作中将串联耦合的一对非易失性存储器设备置于互补存储器状态中。

公开(公告)号：CN107863122A

公开(公告)日：2018-03-30

申请号：CN201711385604.2

申请日：2012-03-26

申请人： 英特尔公司

发明人： M.海姆 ,  J.S.霍伊 ,  D.阮 ,  A.叶

IPC分类号： G11C7/10 ,  G11C7/18 ,  G11C8/14

CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C5/025 ,  G11C5/12 ,  G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C8/14 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0023 ,  G11C16/24 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11529 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  Y10T29/49155 ,  G11C7/10

摘要： 一种集成电路包括存储器阵列、分成至少两个子电路以控制存储器阵列的字线电路、和分成至少两个子电路以控制存储器阵列的位线电路。字线子电路和位线子电路至少部分地重叠存储器阵列的单独的各自区域。

公开(公告)号：CN107689241A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710524262.1

申请日：2017-06-30

申请人： 爱思开海力士有限公司 ,  高丽大学校产学协力团

发明人： 金善郁 ,  韩美仙 ,  李好均 ,  朴一

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： G06F11/1068 ,  G06F3/0616 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0679 ,  G06F11/1012 ,  G06F11/108 ,  G11C7/1006 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/0035 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C29/52 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0059

摘要： 一种用于延长阻变存储器的寿命的方法可以包括：响应于针对阻变存储器的写入请求，通过利用哈希候选将写入数据的比特位置置乱来产生数据和哈希候选；计算产生的数据和哈希候选与储存的数据和储存的哈希的汉明距离；当卡滞数据处于预定比特处时，将阻变存储器中预定比特处的卡滞数据与产生的数据和哈希候选进行匹配，以及在产生的数据和哈希候选之中排除与卡滞数据不匹配的不匹配数据和哈希候选；在匹配的数据和哈希候选之中寻找具有最短汉明距离的数据和哈希候选，以及选择所找到的数据和哈希候选作为编码的数据和哈希；以及将编码的数据和哈希储存在阻变存储器中。

公开(公告)号：CN103456341B

公开(公告)日：2018-01-30

申请号：CN201310218365.7

申请日：2013-06-04

申请人： 三星电子株式会社

发明人： Y.允 ,  A.E.翁 ,  S.车 ,  C.金

IPC分类号： G11C7/06

CPC分类号： G11C7/062 ,  G11C7/12 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0011 ,  G11C13/004 ,  G11C2013/0042 ,  G11C2207/063

摘要： 示范性实施例包括一种电阻型存储器电流感测放大器电路，包括：差分输出端子、第一和第二输入端子、预充电晶体管和直接耦合到预充电晶体管的电流调制晶体管。在电流感测放大器电路操作的“就绪”或者“预充电”阶段期间，预充电结构提供了高峰值电流对位线和参考线充电。电流调制晶体管被配置成至少在“置位”或者“放大”阶段期间操作于饱和区模式。在“置位”或者“放大”阶段期间，电流调制晶体管连续地平均位线电流和参考线电流，从而提高了电路的抗噪声性。在操作的“go”或者“锁存”阶段期间，逻辑值“0”或者“1”被基于锁存电路的正反馈锁存在差分输出端子。