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公开(公告)号：CN103858172B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201180074092.2
申请日：2011-10-12
Applicant: 慧与发展有限责任合伙企业
CPC classification number: H01L27/2463 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0045 , G11C2213/33 , G11C2213/72 , H01L29/88 , H01L45/16
Abstract: 本公开提供了一种存储器单元，其包括放置在第一导体和第二导体之间的电阻存储器元件，第一导体和第二导体被配置用来激活电阻存储器元件。存储器单元还包括与存储器元件串联放置在存储器元件和第一导体或第二导体之间的反向二极管。
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公开(公告)号：CN103403807B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201280010795.3
申请日：2012-03-21
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C13/0097 , G11C13/0002 , G11C13/0011 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0088 , G11C2213/33 , G11C2213/77
Abstract: 根据一个实施例，非易失性半导体存储器设备包括存储器单元阵列和控制电路。该存储器单元阵列包括存储器单元，每一个存储器单元都包括可变电阻元件，其中在复位操作中流动的复位电流比在置位操作中流动的置位电流小不少于一个数量级。该控制电路对存储器单元执行复位操作和置位操作。该控制电路对处于低电阻状态并连接到选择的第一互连和选择的第二互连的所有存储器单元执行复位操作。
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公开(公告)号：CN103858172A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201180074092.2
申请日：2011-10-12
CPC classification number: H01L27/2463 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/0011 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0045 , G11C2213/33 , G11C2213/72 , H01L29/88 , H01L45/16
Abstract: 本公开提供了一种存储器单元，其包括放置在第一导体和第二导体之间的电阻存储器元件，第一导体和第二导体被配置用来激活电阻存储器元件。存储器单元还包括与存储器元件串联放置在存储器元件和第一导体或第二导体之间的反向二极管。
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公开(公告)号：CN102177584B
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN200980139738.3
申请日：2009-10-08
Applicant: 密执安大学评议会
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C11/56 , G11C13/0002 , G11C13/003 , G11C2213/11 , G11C2213/15 , G11C2213/33 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/148
Abstract: 一种非易失性固态电阻器件，所述非易失性固态电阻器件包括第一电极、p型硅第二电极、和电连接在所述电极之间的非结晶硅纳米结构。所述纳米结构具有响应于通过所述电极施加到所述纳米结构的电压可调的电阻。所述纳米结构可以被形成为被嵌入位于所述电极之间的绝缘层中的纳米柱。第一电极可以是银或其它导电金属电极。第三（金属）电极可以在邻近纳米结构的位置处连接到p型多晶硅第二电极以允许所述两个金属电极连接到其它电路。电阻器件可以被用作数字非易失性存储器件的单位存储单元以通过在两个或更多个值之间改变它的电阻来存储一位或更多位数字数据。
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公开(公告)号：CN101720485A
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200880021393.7
申请日：2008-06-23
Applicant: 桑迪士克3D公司
Inventor： S·B·赫纳
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C13/0002 , G11C17/16 , G11C17/165 , G11C2213/32 , G11C2213/33 , G11C2213/34 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L27/1021
Abstract: 一种非易失性存储器装置，其包括：至少一个存储器单元，所述至少一个存储器单元包括二极管和金属氧化物反熔丝介电层；以及电接触所述至少一个存储器单元的第一电极和第二电极。在使用中，所述二极管通过响应于所施加的偏置从第一电阻率状态切换到第二电阻率状态而用作所述存储器单元的读/写元件，所述第二电阻率状态与所述第一电阻率状态不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101636841A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200780052299.3
申请日：2007-11-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/33 , G11C2213/34 , G11C2213/76 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147
Abstract: 本发明提供存储元件和存储装置。以矩阵状配置于存储装置(21)的存储元件(3)包括：通过施加极性为正或负的电脉冲，其电阻值变化，并且维持该变化后的电阻值的电阻变化元件(1)；和抑制在对上述电阻变化元件施加上述电脉冲时流动的电流的电流抑制元件(2)，上述电流抑制元件具有：第一电极、第二电极、和配置在上述第一电极与上述第二电极之间的电流抑制层，上述电流抑制层由SiN x (x为正实数)构成。
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公开(公告)号：CN1368763A
公开(公告)日：2002-09-11
申请号：CN01125482.3
申请日：2001-06-27
Applicant: 索尼公司
IPC: H01L27/10 , H01L27/115 , H01L21/82 , H01L21/8239
CPC classification number: G11C17/16 , G11C2213/33 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/112 , H01L2224/48091 , H01L2225/06568 , H01L2924/13091 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体非易失性存储器件及其制造方法,它提高了氧化硅膜的绝缘破坏的再现性和可靠性并且能降低生产成本,其中,排列成矩阵形式的多个存储单元的每个存储单元具有绝缘膜破坏型保险丝,绝缘膜破坏型保险丝包括在半导体衬底上形成的第一导电类型的杂质区、在半导体衬底上形成的覆盖杂质区的第一绝缘膜、在第一绝缘膜中形成的达到杂质区的开口以及从杂质区一侧顺序叠置在开口中的第一导电类型的第一半导体层、第二绝缘膜和第二导电类型的第二半导体层;或者,具有绝缘膜破坏型保险丝,绝缘膜破坏型保险丝包括在具有SOI结构的第一半导体层中的第一导电类型的杂质区、在SOI层上的第一绝缘膜、达到杂质区的开口以及叠置在开口中的第二绝缘膜和第二导电类型的第二半导体层。
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公开(公告)号：CN105977377A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201510556122.3
申请日：2015-09-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0033 , G11C13/0035 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C13/0097 , G11C2013/005 , G11C2013/0073 , G11C2013/009 , G11C2013/0092 , G11C2213/33 , G11C2213/35 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/74 , G11C2213/79 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/1608
Abstract: 根据实施方式，存储装置具有控制部、连接于所述控制部的第1电极及第2电极、及设置在所述第1电极与所述第2电极之间且具有硫属化合物的电阻变化层。所述电阻变化层具有第1结构、及具有与所述第1结构不同的结晶结构的第2结构。所述控制部具有：第1动作，对所述第1电极与所述第2电极之间施加第1电压；第2动作，对所述第1电极与所述第2电极之间施加低于所述第1电压的第2电压，判定所述电阻变化层是否为所述第2结构；及第3动作，对夹隔所述第2动作中判定并非为所述第2结构的所述电阻变化层的所述第1电极与所述第2电极之间施加高于所述第1电压及所述第2电压的第3电压。
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公开(公告)号：CN105938842A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201510555674.2
申请日：2015-09-02
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L27/2481 , G11C13/0007 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0092 , G11C2213/32 , G11C2213/33 , G11C2213/34 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/145 , H01L45/146
Abstract: 本申请涉及一种电阻随机存取存储器装置。电阻随机存取存储器装置包含：第一线路，其在第一方向上延伸；第一离子源层，其经提供于所述第一线路上的第一部分中；及第一可变电阻层，其经提供于所述第一离子源层上。所述电阻随机存取存储器装置还包含第二线路，其经提供于所述第一可变电阻层上、面向所述第一部分且在不同于所述第一方向的第二方向上延伸。所述电阻随机存取存储器装置还包含：第二可变电阻层，其经提供于所述第二线路上的第二部分中；第二离子源层，其经提供于所述第二可变电阻层上；及第三线路，其经提供于所述第二离子源层上、面向所述第二部分且在所述第一方向上延伸。所述第一离子源层由不同于所述第二离子源层材料的材料形成。
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公开(公告)号：CN105849809A
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201380081430.4
申请日：2013-12-06
Applicant: 英派尔科技开发有限公司
Inventor： 马延军
IPC: G11C13/00
CPC classification number: G11C14/009 , G11C11/1675 , G11C11/1693 , G11C11/412 , G11C11/56 , G11C11/5607 , G11C11/5614 , G11C11/5685 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C14/0081 , G11C2013/0078 , G11C2213/33
Abstract: 本文中一般地描述了用于具有多个存储状态的非易失性静态随机存取存储装置的技术。在一些示例中，多存储状态非易失性随机存取存储装置具有两个或更多个存储单元。每个存储单元可包括可被动态地编程为将该存储单元配置为处于特定逻辑状态的一对可编程电阻性器件。
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