纤维强化复合材料的制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN116829320A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202280014065.4

    申请日:2022-08-03

    IPC分类号: B29B7/38

    摘要: 纤维强化复合材料的制造方法包括:纤维分散工序,将树脂10a与纤维10b混练,来使纤维10b分散于树脂10a中而制成纤维分散树脂;以及低分子量化工序,在沿着内部包括通路88的螺杆主体37的外周面搬送纤维分散树脂时,通过设置于外周面上的通路88的入口91与出口92之间的障壁部82来限制纤维分散树脂的搬送,并对纤维分散树脂施加剪切力,并且使纤维分散树脂从通路88的入口91通过至通路88的出口92。

    微粒子的制造装置以及微粒子的制造方法

    公开(公告)号:CN113543876B

    公开(公告)日:2023-06-20

    申请号:CN201980093381.3

    申请日:2019-03-01

    IPC分类号: B01J19/08 H05H1/30

    摘要: 本发明提供一种可控制微粒子的粒径,且可有效率地大量制造粒径均一性良好的微粒子的微粒子的制造装置及微粒子的制造方法。微粒子的制造装置具有:原料供给部,其将微粒子制造用的原料供给至热等离子体焰中;等离子体炬,其内部生成热等离子体焰,且将由原料供给部所供给的原料在热等离子体焰蒸发而形成气相状态的混合物;及等离子体生成部,其在等离子体炬的内部生成热等离子体焰。等离子体生成部具有:包围等离子体炬的周围的第1线圈、设置于第1线圈的下方且包围等离子体炬的周围的第2线圈、对第1线圈供给高频电流的第1电源部、及对第2线圈供给振幅调制的高频电流的第2电源部,第1线圈与第2线圈并排配置在等离子体炬的长度方向上。

    安装用衬套
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111005968B

    公开(公告)日:2021-08-24

    申请号:CN201910896731.1

    申请日:2019-09-20

    IPC分类号: F16F9/53 F16F9/32

    摘要: 提供能够与通电状态及无通电状态无关地得到期望的衰减特性及刚性的安装用衬套。安装用衬套具备:筒构件;轴构件,其在所述筒构件的内侧同轴地配置,且具有线圈;永久磁铁,其设置于所述筒构件及所述轴构件中的任一方;磁粘弹性流体,其填充于内部空间;第一液室,其位于所述内部空间的一侧;第二液室,其与所述第一液室连通;以及第三液室,其与所述第二液室连通,所述线圈配置为通过通电而形成在沿着所述轴向及与所述轴向正交的径向中的任一方的方向上通过所述第二液室的磁路,所述永久磁铁配置为磁化方向沿着所述磁路。

    安装用衬套
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111005969B

    公开(公告)日:2021-08-10

    申请号:CN201910897774.1

    申请日:2019-09-20

    IPC分类号: F16F9/53 F16F9/32 F16F9/346

    摘要: 提供对磁粘弹性流体所包含的磁性粉体的沉淀进行了抑制的高性能的安装用衬套。安装用衬套具备:筒构件;轴构件,其与所述筒构件同轴配置,且具有线圈;第一液室,其位于所述筒构件与所述轴构件之间的内部空间的上方侧;第二液室,其与所述第一液室的下方侧连通,且具有磁粘弹性流体;以及第三液室,其与所述第二液室的下方侧连通,且具有多孔质体,所述线圈配置为通过通电而能够形成在沿着轴向及径向中的至少一方的方向上通过所述第二液室的磁路。

    金刚石衬底及其制造方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112813409A

    公开(公告)日:2021-05-18

    申请号:CN202011286501.2

    申请日:2020-11-17

    IPC分类号: C23C16/27

    摘要: 本发明为一种形成具有氮空位中心的金刚石晶体层的金刚石衬底的制造方法,其为利用CVD法并使用包含烃气与氢气的原料气体而在基底衬底上形成金刚石晶体的方法,该方法中,为了在所述金刚石晶体的至少一部分形成所述具有氮空位中心的金刚石晶体层,在将氮气或氮化物气体混入所述原料气体的同时,对于所述原料气体所包含的各种气体的量,将烃气的量设为0.005体积%以上且6.000体积%以下;将氢气的量设为93.500体积%以上且小于99.995体积%;将氮气或氮化物气体的量设为5.0×10‑5体积%以上且5.0×10‑1体积%以下。由此,提供一种金刚石衬底的制造方法,其通过以规定的条件进行CVD,能够在基底衬底上形成一种NV轴为[111]高度取向且具有高密度的氮‑空位中心(NVC)的金刚石晶体。