公开(公告)号：CN103413789B

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201310364531.4

申请日：2009-05-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 千叶原宏幸 ,  石井敦司 ,  和泉直生 ,  松本雅弘

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/522 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L23/02 ,  H01L23/522 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法，在该半导体器件中难以出现由层间电介质膜的裂缝造成的对密封环的破坏。第一叠层包括具有第一机械强度的第一层间电介质膜。第二叠层包括具有比第一机械强度高的机械强度的第二层间电介质膜。第一区域包括设置在第一叠层内的过孔和第一金属层。第二区域包括设置在第二叠层内的过孔和第二金属层。当从平面上看时，第二区域至少与第一区域的一部分重叠，第二区域不通过过孔与第一区域耦合，且在第二区域与第一区域之间夹持第二层间电介质膜。

公开(公告)号：CN101593738B

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN200910203111.1

申请日：2009-05-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 千叶原宏幸 ,  石井敦司 ,  和泉直生 ,  松本雅弘

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/522 ,  H01L21/304

CPC classification number: H01L23/02 ,  H01L23/522 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法，在该半导体器件中难以出现由层间电介质膜的裂缝造成的对密封环的破坏。第一叠层包括具有第一机械强度的第一层间电介质膜。第二叠层包括具有比第一机械强度高的机械强度的第二层间电介质膜。第一区域包括设置在第一叠层内的过孔和第一金属层。第二区域包括设置在第二叠层内的过孔和第二金属层。当从平面上看时，第二区域至少与第一区域的一部分重叠，第二区域不通过过孔与第一区域耦合，且在第二区域与第一区域之间夹持第二层间电介质膜。

公开(公告)号：CN103413789A

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：CN201310364531.4

申请日：2009-05-27

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 千叶原宏幸 ,  石井敦司 ,  和泉直生 ,  松本雅弘

IPC: H01L23/02 ,  H01L23/522 ,  H01L23/58

CPC classification number: H01L23/02 ,  H01L23/522 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法，在该半导体器件中难以出现由层间电介质膜的裂缝造成的对密封环的破坏。第一叠层包括具有第一机械强度的第一层间电介质膜。第二叠层包括具有比第一机械强度高的机械强度的第二层间电介质膜。第一区域包括设置在第一叠层内的过孔和第一金属层。第二区域包括设置在第二叠层内的过孔和第二金属层。当从平面上看时，第二区域至少与第一区域的一部分重叠，第二区域不通过过孔与第一区域耦合，且在第二区域与第一区域之间夹持第二层间电介质膜。