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公开(公告)号：CN102157431A
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201110025275.7
申请日：2011-01-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/762 , H01L27/088
CPC classification number: H01L21/76283 , H01L21/76232 , H01L21/823878 , H01L22/34 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法，该半导体器件可以使用简单工艺制造而无需确保高掩埋性质。在根据本发明的半导体器件的制造方法中，首先制备具有通过依次堆叠支撑衬底、埋置绝缘膜和半导体层而得到的配置的半导体衬底。然后，在半导体层的主表面之上完成具有导电部分的元件。形成在平面图中包围元件并且从半导体层的主表面到达埋置绝缘膜的沟槽。在元件之上以及在沟槽中形成第一绝缘膜(层间绝缘膜)，以相应地覆盖元件并在沟槽中形成气隙。然后，在第一绝缘膜中形成到达元件的导电部分的接触孔。
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公开(公告)号：CN104377200A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410393695.4
申请日：2014-08-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L27/0922 , H01L21/30604 , H01L21/31111 , H01L21/743 , H01L21/76802 , H01L21/76877 , H01L21/823814 , H01L21/823871 , H01L21/823892 , H01L23/528 , H01L29/0684 , H01L29/1087 , H01L29/1095 , H01L29/41758 , H01L29/7827 , H01L29/7833 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。形成从半导体衬底的主表面在半导体衬底的内部延伸的第一凹部。在主表面之上、第一凹部的侧壁和底壁之上形成绝缘膜，以便覆盖元件并且在第一凹部内形成带盖的中空。在绝缘膜内形成第一孔部分，以便从绝缘膜的上表面到达第一凹部内的中空，并且到达第一凹部的底壁上的半导体衬底，而保留第一凹部的侧壁之上的绝缘膜。形成从绝缘膜的上表面到达导电部分的第二孔部分。以相同的蚀刻处理形成第一孔部分和第二孔部分。
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公开(公告)号：CN104377200B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201410393695.4
申请日：2014-08-12
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。形成从半导体衬底的主表面在半导体衬底的内部延伸的第一凹部。在主表面之上、第一凹部的侧壁和底壁之上形成绝缘膜，以便覆盖元件并且在第一凹部内形成带盖的中空。在绝缘膜内形成第一孔部分，以便从绝缘膜的上表面到达第一凹部内的中空，并且到达第一凹部的底壁上的半导体衬底，而保留第一凹部的侧壁之上的绝缘膜。形成从绝缘膜的上表面到达导电部分的第二孔部分。以相同的蚀刻处理形成第一孔部分和第二孔部分。
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公开(公告)号：CN102157431B
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201110025275.7
申请日：2011-01-19
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/762 , H01L27/088
CPC classification number: H01L21/76283 , H01L21/76232 , H01L21/823878 , H01L22/34 , H01L27/1203 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供半导体器件及其制造方法，该半导体器件可以使用简单工艺制造而无需确保高掩埋性质。在根据本发明的半导体器件的制造方法中，首先制备具有通过依次堆叠支撑衬底、埋置绝缘膜和半导体层而得到的配置的半导体衬底。然后，在半导体层的主表面之上完成具有导电部分的元件。形成在平面图中包围元件并且从半导体层的主表面到达埋置绝缘膜的沟槽。在元件之上以及在沟槽中形成第一绝缘膜(层间绝缘膜)，以相应地覆盖元件并在沟槽中形成气隙。然后，在第一绝缘膜中形成到达元件的导电部分的接触孔。
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