公开(公告)号：CN104466677A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410483638.5

申请日：2014-09-19

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 阿江敬 ,  北村昌太郎 ,  奥田哲朗 ,  加藤豪 ,  渡边功

IPC分类号： H01S5/227

CPC分类号： H01S5/3202 ,  H01S5/2201 ,  H01S5/2224 ,  H01S5/2272 ,  H01S5/34313 ,  H01S2304/04

摘要： 本发明的各个实施例涉及半导体器件的方法及半导体器件。为了改进半导体器件(半导体激光器)的特性，由InP构成的有源层波导(AWG)形成为，在从(100)平面在[1-1-1]方向上偏离了0.5°至1.0°范围内的角度的衬底的表面的暴露部分之上，在[0-1-1]方向上延伸。以2000或更高的Ⅴ/Ⅴ比，在AWG之上形成由p型InP构成的覆盖层。因此，可以通过减少AWG的膜厚度变化来获得优异的多量子阱(MQW)。此外，可以形成具有这样的侧面的覆盖层，在该侧面处主要出现与衬底表面几乎垂直的(0-11)平面。覆盖层与AWG的叠层部分的截面形状变为接近矩形的形状。因此，可以扩大电气化区域，从而可以降低半导体器件的电阻。

公开(公告)号：CN104466677B

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201410483638.5

申请日：2014-09-19

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 阿江敬 ,  北村昌太郎 ,  奥田哲朗 ,  加藤豪 ,  渡边功

IPC分类号： H01S5/227

摘要： 本发明的各个实施例涉及半导体器件的方法及半导体器件。为了改进半导体器件(半导体激光器)的特性，由InP构成的有源层波导(AWG)形成为，在从(100)平面在[1‑1‑1]方向上偏离了0.5°至1.0°范围内的角度的衬底的表面的暴露部分之上，在[0‑1‑1]方向上延伸。以2000或更高的Ⅴ/Ⅴ比，在AWG之上形成由p型InP构成的覆盖层。因此，可以通过减少AWG的膜厚度变化来获得优异的多量子阱(MQW)。此外，可以形成具有这样的侧面的覆盖层，在该侧面处主要出现与衬底表面几乎垂直的(0‑11)平面。覆盖层与AWG的叠层部分的截面形状变为接近矩形的形状。因此，可以扩大电气化区域，从而可以降低半导体器件的电阻。