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公开(公告)号：CN104466677A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410483638.5
申请日：2014-09-19
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01S5/227
CPC分类号： H01S5/3202 , H01S5/2201 , H01S5/2224 , H01S5/2272 , H01S5/34313 , H01S2304/04
摘要： 本发明的各个实施例涉及半导体器件的方法及半导体器件。为了改进半导体器件(半导体激光器)的特性，由InP构成的有源层波导(AWG)形成为，在从(100)平面在[1-1-1]方向上偏离了0.5°至1.0°范围内的角度的衬底的表面的暴露部分之上，在[0-1-1]方向上延伸。以2000或更高的Ⅴ/Ⅴ比，在AWG之上形成由p型InP构成的覆盖层。因此，可以通过减少AWG的膜厚度变化来获得优异的多量子阱(MQW)。此外，可以形成具有这样的侧面的覆盖层，在该侧面处主要出现与衬底表面几乎垂直的(0-11)平面。覆盖层与AWG的叠层部分的截面形状变为接近矩形的形状。因此，可以扩大电气化区域，从而可以降低半导体器件的电阻。
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公开(公告)号：CN101944549A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010194262.8
申请日：2010-05-28
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L31/10 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/107
CPC分类号： H01L31/1844 , H01L31/105 , Y02E10/544
摘要： 本发明提供一种台面型光电二极管及其制造方法。该台面光电二极管包括台面，台面的侧壁是在台面底部变宽的方向上倾斜的表面。用第一导电类型、第二导电类型、半绝缘型或未掺杂型的半导体层覆盖台面的至少侧壁。在台面的至少侧壁上生长半导体层。台面在上端部处的倾斜表面的倾斜角小于台面在下端部处的倾斜表面的倾斜角。
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公开(公告)号：CN101989630A
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN201010220526.2
申请日：2010-06-29
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L31/10 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/107
CPC分类号： H01L31/105 , H01L31/1035 , H01L31/107
摘要： 本发明提供了一种台面光电二极管及其制造方法。一种台面光电二极管，其包括台面，台面(光接收区台面)的侧壁和台面的上表面中的至少台面的肩部部分被生长在台面的侧壁和上表面上的第一导电型、第二导电型、半绝缘型或者未掺杂型的半导体层(例如，未掺杂的InP层)连续覆盖。在半导体层中，覆盖台面的侧壁的部分的层厚度D1等于或者大于850nm。
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公开(公告)号：CN104466677B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201410483638.5
申请日：2014-09-19
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01S5/227
摘要： 本发明的各个实施例涉及半导体器件的方法及半导体器件。为了改进半导体器件(半导体激光器)的特性，由InP构成的有源层波导(AWG)形成为，在从(100)平面在[1‑1‑1]方向上偏离了0.5°至1.0°范围内的角度的衬底的表面的暴露部分之上，在[0‑1‑1]方向上延伸。以2000或更高的Ⅴ/Ⅴ比，在AWG之上形成由p型InP构成的覆盖层。因此，可以通过减少AWG的膜厚度变化来获得优异的多量子阱(MQW)。此外，可以形成具有这样的侧面的覆盖层，在该侧面处主要出现与衬底表面几乎垂直的(0‑11)平面。覆盖层与AWG的叠层部分的截面形状变为接近矩形的形状。因此，可以扩大电气化区域，从而可以降低半导体器件的电阻。
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公开(公告)号：CN101944549B
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201010194262.8
申请日：2010-05-28
申请人： 瑞萨电子株式会社
IPC分类号： H01L31/10 , H01L31/0352 , H01L31/18 , H01L31/107
CPC分类号： H01L31/1844 , H01L31/105 , Y02E10/544
摘要： 本发明提供一种台面型光电二极管及其制造方法。该台面光电二极管包括台面，台面的侧壁是在台面底部变宽的方向上倾斜的表面。用第一导电类型、第二导电类型、半绝缘型或未掺杂型的半导体层覆盖台面的至少侧壁。在台面的至少侧壁上生长半导体层。台面在上端部处的倾斜表面的倾斜角小于台面在下端部处的倾斜表面的倾斜角。
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