公开(公告)号：CN1331207C

公开(公告)日：2007-08-08

申请号：CN200510001833.0

申请日：2005-01-13

申请人： 瑞萨科技有限公司

发明人： 伊部英史 ,  矢作保夫 ,  龟山英明

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01R31/16 ,  G01R31/28 ,  G06F17/00

CPC分类号： G01R31/31816 ,  G01R31/002 ,  G01R31/2849 ,  G01R31/2881 ,  G01R31/30

摘要： 在对半导体器件的由宇宙射线中子引起的错误的抵抗能力进行评价的场合，在评价装置的存储部，存储具有各自不同的频谱形状的多个白色中子的频谱数据和用该多个频谱数据各自进行的由白色法所得到的多个SEE(SingleEvent Effect)数；而后，演算部从存储部读出频谱数据，分割成多个能量群，对于上述多个频谱数据各自进行计算并存储各能量群的总通量的处理。而且，从存储部读出上述多个频谱数据各自的SEE数和各能量群的总通量，并代入表示多个频谱数据各自的各能量群的总通量的矩阵元素和表示各能量群的SEE截面积的矢量之积、表示上述多个频谱数据各自的SEE数的联立方程式，算出各能量群的SEE截面积。而后，为由多个频谱和近似函数的积分所得到的错误数的计算值与实际测量值充分一致，演算部，计算决定作为能量函数的SEE截面积的近似函数的形式的参数。通过进行这样的处理，就能进行不依赖于加速器、使用了白色中子的半导体器件的错误评价。

公开(公告)号：CN1674245A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510001833.0

申请日：2005-01-13

申请人： 瑞萨科技有限公司

发明人： 伊部英史 ,  矢作保夫 ,  龟山英明

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01R31/16 ,  G01R31/28 ,  G06F17/00

CPC分类号： G01R31/31816 ,  G01R31/002 ,  G01R31/2849 ,  G01R31/2881 ,  G01R31/30

摘要： 在对半导体器件的由宇宙射线中子引起的错误的抵抗能力进行评价的场合，在评价装置的存储部，存储具有各自不同的频谱形状的多个白色中子的频谱数据和用该多个频谱数据各自进行的由白色法所得到的多个SEE(Single Event Effect)数；而后，演算部从存储部读出频谱数据，分割成多个能量群，对于上述多个频谱数据各自进行计算并存储各能量群的总通量的处理。而且，从存储部读出上述多个频谱数据各自的SEE数和各能量群的总通量，并代入表示多个频谱数据各自的各能量群的总通量的矩阵元素和表示各能量群的SEE截面积的矢量之积、表示上述多个频谱数据各自的SEE数的联立方程式，算出各能量群的SEE截面积。而后，为由多个频谱和近似函数的积分所得到的错误数的计算值与实际测量值充分一致，演算部，计算决定作为能量函数的SEE截面积的近似函数的形式的参数。通过进行这样的处理，就能进行不依赖于加速器、使用了白色中子的半导体器件的错误评价。