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公开(公告)号:CN109633412A
公开(公告)日:2019-04-16
申请号:CN201811576039.2
申请日:2018-12-22
申请人: 张富森
发明人: 张富森
IPC分类号: G01R31/28
CPC分类号: G01R31/2843 , G01R31/2849
摘要: 本发明涉及现代电子技术领域,具体地涉及一种基于门替换技术的电路老化检测预防系统。基于门替换技术的电路老化检测预防系统,包括主控处理器、总线控制器、激励信号模块、响应模块及被测对象,其中,所述主控处理器与被测对象之间分别通过总线控制器、激励信号模块以及响应模块进行连接,所述激励信号模块与响应模块实现连接。本发明根据电路老化检测预防原理,提出一种基于门替换技术的电路老化检测预防系统,经检测得到,该基于门替换技术的电路老化检测预防系统对电路老化数据收集准确,且检测预防效果较好。
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公开(公告)号:CN108693409A
公开(公告)日:2018-10-23
申请号:CN201810263265.9
申请日:2018-03-28
申请人: 东京毅力科创株式会社
IPC分类号: G01R27/26
CPC分类号: G01R27/2605 , G01R31/2831 , G01R31/2849 , G01R31/2865 , G01R31/2875 , G01R31/2881 , H01J37/32091 , H01J2237/334 , H01L21/67069 , H01L21/67167 , H01L21/67259 , H01L21/67742 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H05K1/0237 , H05K2201/10151
摘要: 本发明涉及静电电容测量用的测量器,能够对由环境引起的静电电容的测量值的变动进行修正。测量器具备基底基板、第一传感器、一个以上的第二传感器、以及电路基板。第一传感器具有沿着基底基板的边缘设置的第一电极。一个以上的第二传感器提供一个以上的第二电极,分别固定在基底基板上。电路基板搭载在基底基板上,与第一传感器及一个以上的第二传感器连接。电路基板构成为:对第一电极和一个以上的第二电极提供高频信号,根据第一电极中的电压振幅获取与静电电容对应的第一测量值,根据一个以上的第二电极中的电压振幅获取与静电电容对应的一个以上的第二测量值。测量器具有被固定在该测量器内并且面对一个以上的第二电极的一个以上的基准面。
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公开(公告)号:CN102257398B
公开(公告)日:2014-04-23
申请号:CN200980150974.5
申请日:2009-12-02
申请人: 欧洲航空防务与空间公司EADS法国
IPC分类号: G01R31/28
CPC分类号: G01R31/2881 , G01R31/002 , G01R31/2849
摘要: 本发明的目的在于一种集成电路(2)的测试装置(2),所述装置包括:板(3),用于接纳所述集成电路(2)并使所述集成电路(2)受到测试,所述板(3)包括用于在测试期间对所述集成电路(2)供电并使其运转的电路(4)和用于测量所述集成电路(2)的运转的电路(5);辐射设备(6),用于使所述电路(2)受到质子(7)的轰击,其特征在于,其包括厚度改变的掩模(8),所述掩模被设置在所述集成电路(2)上的轰击入口区域(9)和所述集成电路(2)的注入区(10)之间。
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公开(公告)号:CN102959416A
公开(公告)日:2013-03-06
申请号:CN201180033072.0
申请日:2011-06-30
申请人: 欧洲航空防务与空间公司-EADS法国
IPC分类号: G01R31/28 , G01R31/00 , G01R31/311
CPC分类号: G01R31/002 , G01B1/00 , G01R31/2848 , G01R31/2849 , G01R31/2881 , G01R31/311 , G01R31/31816 , H01L21/00 , H01L2221/00
摘要: 本发明的目标在于表征电子元件对天然辐射事件的敏感度的表征方法,其中:使电子元件投入使用;对于给定的粒子或入射束的特征,如能量和/或入射角和/或路径,确定SOA电压范围,超过该电压范围将发生所述元件的损毁事件;在接近所确定的SOA电压范围的最大电压值的工作条件中,用粒子或入射束的特征激励投入使用的电子元件;确定被放大的瞬时事件的有效截面,该有效截面对应所述元件的损毁现象的估值;修正所述粒子或所述入射束的特征,和重复对所述元件的激励;对于特征的每次修正,确定有效截面。
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公开(公告)号:CN101329387A
公开(公告)日:2008-12-24
申请号:CN200710200844.0
申请日:2007-06-20
申请人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 , 鸿海精密工业股份有限公司
IPC分类号: G01R31/40
CPC分类号: G01R31/2849 , G01R31/42
摘要: 一种电源测试系统,用于一电源的温度测试,其包括一容置所述电源用于提供测试环境的测试箱、一电子负载、一测试板及一连接于所述电源的交流电源,所述电源通过所述测试板与所述电子负载相连,所述电源上设有一电压选择开关,所述测试板上设有一电源开机信号控制开关,所述电源测试系统还包括一分别连接所述电源、所述交流电源及所述测试板的可编程逻辑控制器,所述可编程逻辑控制器检测所述交流电源的输出电压及所述电子负载的负载状态,并根据检测结果控制所述电压选择开关及电源开机信号控制开关的开闭。所述电源测试系统可自动切换测试条件,提高了测试人员的工作效率,且减少了人力需求,降低了成本。
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公开(公告)号:CN1849055A
公开(公告)日:2006-10-18
申请号:CN200610067018.9
申请日:2006-03-31
申请人: 安捷伦科技有限公司
发明人: 佛瑞德·H·艾夫斯 , 詹姆士·B·萨姆纳斯 , 布莱德·E·安德森
CPC分类号: G01R35/005 , G01R31/2849 , H05K1/0201 , H05K1/0237 , H05K1/0268 , H05K1/162 , H05K2201/10151 , H05K2203/163 , H05K2203/165
摘要: 本发明公开了一种系统和方法,其被用于测量其自己的由于环境引起的不准确,并且基于这些测量来调整其自身以补偿所述不准确。在一个实施例中,测试系统首先测量通过模型“长”路径的信号损耗,所述“长路径”被构建在与主测试电路相同的基板上。由于测试路径被构建在相同的基板上,因此它代表了环境对测试电路的实际影响。然后,测试信号被发送通过“短”测试路径,由于两个路径之间的参考测量条件所引起的比值差异产生了必需的补偿,然后该补偿被用于校准测试电路。在另一实施例中,测试信号被施加到由基板材料的不同层上的铜构成的电容两端。基板层上的实际环境条件改变了测量到的电容值,该电容值与温度一起作为输入被提供到一个模型,该模型确定对测试电路的补偿。两个实施例都可被应用于受到环境导致的传输线损耗特性改变的影响的单个电路或者系统。
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公开(公告)号:CN1674245A
公开(公告)日:2005-09-28
申请号:CN200510001833.0
申请日:2005-01-13
申请人: 瑞萨科技有限公司
CPC分类号: G01R31/31816 , G01R31/002 , G01R31/2849 , G01R31/2881 , G01R31/30
摘要: 在对半导体器件的由宇宙射线中子引起的错误的抵抗能力进行评价的场合,在评价装置的存储部,存储具有各自不同的频谱形状的多个白色中子的频谱数据和用该多个频谱数据各自进行的由白色法所得到的多个SEE(Single Event Effect)数;而后,演算部从存储部读出频谱数据,分割成多个能量群,对于上述多个频谱数据各自进行计算并存储各能量群的总通量的处理。而且,从存储部读出上述多个频谱数据各自的SEE数和各能量群的总通量,并代入表示多个频谱数据各自的各能量群的总通量的矩阵元素和表示各能量群的SEE截面积的矢量之积、表示上述多个频谱数据各自的SEE数的联立方程式,算出各能量群的SEE截面积。而后,为由多个频谱和近似函数的积分所得到的错误数的计算值与实际测量值充分一致,演算部,计算决定作为能量函数的SEE截面积的近似函数的形式的参数。通过进行这样的处理,就能进行不依赖于加速器、使用了白色中子的半导体器件的错误评价。
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公开(公告)号:CN1177187A
公开(公告)日:1998-03-25
申请号:CN97113226.7
申请日:1997-05-11
申请人: 三星电子株式会社
CPC分类号: G06F11/2221 , G01R31/2849 , G06F11/24 , G11B27/36
摘要: 一种用于对若干个硬盘驱动器(HDD)进行多测试的系统,包括一个按行和列有次序堆放HDD的高温老化柜;一个控制柜,该柜用一个间壁和所述的老化柜隔离,用于按行和列可拆卸地安装若干个HDD测试计算机,并且和所述的HDD电连接;以及,一个用于控制老化柜和HDD测试计算机内部环境的主机。
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公开(公告)号:CN109683083A
公开(公告)日:2019-04-26
申请号:CN201811635802.4
申请日:2018-12-29
申请人: 泛仕达机电股份有限公司
CPC分类号: G01R31/2849 , G01R31/003 , H04L69/06 , H04L69/22 , H04L69/26
摘要: 本发明公开了一种应用于风机控制电路板的低速通讯方法,包括以下步骤:将控制电路板与主控制器连接。所述主控制器接收控制电路板调速接口的模拟信号,并通过主控制器的模数转化模块,将接收的模拟信号转化为数字信号;所述判断模块用于将转化后的数学信号与V_THR进行比较,当VSP>V_THR时,判断为逻辑高电平;当VSP
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公开(公告)号:CN102177625B
公开(公告)日:2014-12-10
申请号:CN200980140294.5
申请日:2009-08-13
申请人: 菲尼萨公司
发明人: 须藤剑 , 罗伯特·W·赫里克 , 查尔斯·B·罗斯洛 , T·H·奥拉·舍隆德
IPC分类号: H01S5/00 , H01S3/0941
CPC分类号: H01S5/0021 , G01R31/2849 , G02B6/4246 , H01S5/02248 , H01S5/22
摘要: 对半导体激光器进行老化以鉴别不耐用的或有缺陷的器件,使得剩余器件的可靠度提高。可以使用大功率光老化对激光器进行老化,包括:为激光器提供大驱动电流一个时间段,以及将激光器的环境温度维持在低的温度。在进行了大功率光老化之后,可以测量激光器的输出以确定激光器是否在规格范围内工作。不在规格范围内工作的激光器可被摒除,而在规格范围内工作的激光器可被进一步使用高温热老化进行老化,包括:为激光器提供驱动电流,同时将激光器的环境温度维持在高的温度。
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