破碎多晶硅棒的装置和方法

    公开(公告)号:CN103567040A

    公开(公告)日:2014-02-12

    申请号:CN201310328379.4

    申请日:2013-07-31

    CPC classification number: B02C19/08 B02C1/025 B02C1/14 C01B33/02 C01B33/035

    Abstract: 本发明涉及用于破碎多晶硅棒的装置,该装置包括底座以及至少一个可移动的破碎凿及至少一个不可移动的砧座,其中至少一个破碎凿的纵轴以平行于或者几乎平行于底座的表面的方式取向,其中位于底座的表面上的待破碎的硅棒能够各自在破碎凿与砧座之间以如下方式加以调节,破碎凿和砧座能够各自在硅棒的区域内与硅棒接触,硅棒与砧座的接触点以及延伸穿过棒中心的硅棒横轴或者与该横轴平行并且相对于棒中心的距离最大为棒直径的30%的硅棒的轴各自位于破碎凿的纵轴上或者位于与破碎凿的纵轴平行并且相对于破碎凿的纵轴的距离最大为棒直径的30%的轴上。本发明还涉及用于破碎多晶硅棒的方法。

    多晶硅部分及破碎硅体的方法

    公开(公告)号:CN103172068A

    公开(公告)日:2013-06-26

    申请号:CN201210557088.8

    申请日:2012-12-20

    CPC classification number: C01B33/02 B26F3/002 C01B33/035 Y10T225/10

    Abstract: 本发明涉及多晶硅部分,其具有至少一个断裂面或切割面,所述多晶硅部分包含0.07ng/cm2-1ng/cm2的金属污染。本发明还涉及破碎硅体,优选多晶硅棒的方法,其包括步骤:a)测定所述硅体的最低固有弯曲频率;b)利用振荡发生器,以所述硅体的最低固有弯曲频率对其进行激励,所述激励在所述硅体的激励点处进行,从而使所述硅体在激励点处破碎;由此产生具有断裂面的硅部分,其包含0.07ng/cm2-至多1ng/cm2的金属污染物。

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