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公开(公告)号：CN108028160A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680052353.3
申请日：2016-08-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/14 , H01J37/141 , H01J37/147 , H01J37/317
CPC classification number: H01J37/1475 , H01J37/14 , H01J37/1471 , H01J37/1478 , H01J37/3171 , H01J2237/1415 , H01J2237/152 , H01J2237/31701
Abstract: 一种方法可包括：从离子源产生离子束，离子束具有初始传递方向；以相对于初始传递方向的初始倾斜角度偏转离子束；使离子束穿过在磁性组件中的孔；以及在孔中产生下述：沿着与离子束的初始传递方向垂直的第一方向延伸的四极场以及沿着与第一方向和初始传递方向垂直的第二方向延伸的偶极场。
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公开(公告)号：CN108028160B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201680052353.3
申请日：2016-08-25
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
IPC: H01J37/14 , H01J37/141 , H01J37/147 , H01J37/317
Abstract: 一种操作离子束的方法可包括：从离子源产生离子束，离子束具有初始传递方向；以相对于初始传递方向的初始倾斜角度偏转离子束；使离子束穿过在磁性组件中的孔；以及在孔中产生下述：沿着与离子束的初始传递方向垂直的第一方向延伸的四极场以及沿着与第一方向和初始传递方向垂直的第二方向延伸的偶极场。也提供了用于操作离子束的装置与离子植入机。
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公开(公告)号：CN101563750B
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN200780043233.8
申请日：2007-09-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 维克多·本夫尼斯特
IPC: H01J37/317 , H01J37/05
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J2237/004 , H01J2237/028 , H01J2237/04756
Abstract: 本发明公开一种用于改善离子植入的技术。在一特定例示性实施例中，可如下来实现所述技术，一种离子植入系统包括：离子源，用于产生离子束；质量分析器，用于从离子束中的离子粒子中选择所要离子种类；离子减速器，经配置以减少离子束中的离子的能量；终端站，用于支撑将利用来自离子束的离子进行植入的至少一工件；以及中性粒子分离器，经配置以在离子束到达离子减速器之前从离子束中移除带中性电荷的粒子。
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公开(公告)号：CN101563750A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200780043233.8
申请日：2007-09-26
Applicant: 瓦里安半导体设备公司
Inventor： 维克多·本夫尼斯特
IPC: H01J37/317 , H01J37/05
CPC classification number: H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J2237/004 , H01J2237/028 , H01J2237/04756
Abstract: 公开一种用于改善离子植入的技术。在一特定例示性实施例中，可如下来实现所述技术，一种离子植入系统包括：离子源，用于产生离子束；质量分析器，用于从离子束中的离子粒子中选择所要离子种类；离子减速器，经配置以减少离子束中的离子的能量；终端站，用于支撑将利用来自离子束的离子进行植入的至少一工件；以及中性粒子分离器，经配置以在离子束到达离子减速器之前从离子束中移除带中性电荷的粒子。
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