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公开(公告)号：CN103080388A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180040439.1
申请日：2011-07-18
申请人： 瓦里安半导体设备公司
CPC分类号： C30B11/00 , B22D11/1206 , B22D11/143 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/36 , C30B29/406 , C30B29/64 , C30B35/00 , G01B7/105 , G01B7/107 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1032 , Y10T117/1044 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068 , Y10T117/1088
摘要： 一种材质的薄板配置在相同材质的熔融物中。在一实例中，此薄板是利用冷却板来形成。激发线圈和感测线圈配置在冷却板的下游。此激发线圈和感测线圈使用涡电流来测定位于熔融物顶部的固体薄板的厚度。
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公开(公告)号：CN101322216B
公开(公告)日：2011-07-06
申请号：CN200680045225.2
申请日：2006-11-15
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 史费特那·B·瑞都凡诺 , 安东尼·雷诺 , 詹姆士·S·贝福
IPC分类号： H01J37/12 , H01J37/30 , H01J37/317
摘要： 本发明揭示一种在离子植入机中提供成段的静电透镜的技术。在一特定例示性实施例中，可将技术实现为用于离子植入机中的静电透镜。透镜可包含以第一电压电位偏压的入口电极，其中离子束经由入口电极进入静电透镜。透镜亦可包含以第二电压电位偏压的出口电极，其中离子束经由出口电极离开静电透镜。透镜可更包含位于入口电极与出口电极之间的抑制电极，抑制电极包含一上部分和一下部分，所述上部分和所述下部分经配置而使所述离子束在所述上部分和所述下部分之间被传送，其中所述上部分和所述下部分之中的至少一个包含经独立地偏压以操纵离子束的能量以及形状的多个段。
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公开(公告)号：CN103080388B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201180040439.1
申请日：2011-07-18
申请人： 瓦里安半导体设备公司
CPC分类号： C30B11/00 , B22D11/1206 , B22D11/143 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B29/08 , C30B29/36 , C30B29/406 , C30B29/64 , C30B35/00 , G01B7/105 , G01B7/107 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1032 , Y10T117/1044 , Y10T117/1048 , Y10T117/1068 , Y10T117/1088
摘要： 一种材质的薄板配置在相同材质的熔融物中。在一实例中，此薄板是利用冷却板来形成。激发线圈和感测线圈配置在冷却板的下游。此激发线圈和感测线圈使用涡电流来测定位于熔融物顶部的固体薄板的厚度。
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公开(公告)号：CN102203914B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200980143988.4
申请日：2009-11-12
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 维克多·M·本夫尼斯特 , 詹姆士·S·贝福 , 法兰克·辛克莱 , 约瑟·C·欧尔森
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/05 , H01J37/08 , H01J37/3171 , H01J49/30 , H01J2237/022 , H01J2237/055 , H01J2237/057 , H01J2237/083 , H01J2237/31705
摘要： 一种带状离子束质量分析器，具有第一螺线管线圈、第二螺线管线圈以及钢质磁轭配置。每个螺线管线圈具有大致的“轨道”组态，界定了一个可供带状离子束从中穿行的空间。这两个螺线管线圈沿着带状离子束的穿行方向而分开。每个螺线管线圈产生均匀的磁场，供较宽的带状离子束进行质量解析，以产生想要的离子图像，其中离子是由离子源产生的。
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公开(公告)号：CN101578682B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200880001671.2
申请日：2008-01-08
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 肯尼士·H·波什 , 詹姆士·S·贝福 , 维克多·M·本夫尼斯特
IPC分类号： H01J37/317 , H01J37/141 , H01J37/153
CPC分类号： H01J37/141 , H01J37/153 , H01J37/3171 , H01J2237/1501 , H01J2237/1526 , H01J2237/24528
摘要： 一种在注入位置降低磁场的技术。在一实施例中，此技术可为在注入位置降低磁场的装置及方法。此装置及方法可包括：校正条总成(400)，其包括一组磁芯构件(402)；沿此组磁芯构件分布的多个线圈(408a、b、c)；以及将此组磁芯构件的末端彼此连接以形成矩形校正条结构的连接元件(404)。校正条总成可位于磁偏转器(101、509)的出口区域以改良具有从磁偏转器输出的多个细光束的带状光束(10)的均匀性，而且矩形校正条结构可提供所需的磁场夹紧作用。
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公开(公告)号：CN105283975A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201480033457.0
申请日：2014-06-13
申请人： 瓦里安半导体设备公司
CPC分类号： H01J37/3007 , H01F7/20 , H01F27/10 , H01J37/1472 , H01J37/1475 , H01J37/3171 , H01J2237/002 , H01J2237/152 , H01J2237/1526 , H01J2237/303 , H01J2237/31701 , H05K7/20
摘要： 大致描述一种具有环形冷却剂流体通道的磁铁。各种示例提供一种包括配置于离子束耦合器周围的第一磁铁与第二磁铁的磁铁，所述离子束耦合器具有孔隙通过之。第一磁铁与第二磁铁的各者包括具有空腔于其中的金属核心、配置于金属核心周围的一或多个导线包以及经设置以嵌入于空腔中的环形核心元件，其中在空腔与环形核心元件之间形成环形冷却剂流体通道。此外，各环形核心元件可具有第一直径且中间部分具有第二直径，第二直径小于第一直径。已揭示与主张其他实施例。
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公开(公告)号：CN102301453B
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201080005824.8
申请日：2010-02-12
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 詹姆士·S·贝福 , 史费特那·瑞都凡诺史费特那 , 具本雄 , 威尔汉·P·普拉托 , 法兰克·辛克莱 , 杰弗里·D·里斯查尔 , 奎格·R·钱尼 , 史蒂芬·C·鲍里雪柏史凯 , 捷葛泰普·玫尔 , 艾利克·R·科步 , 肯尼夫·H·普许尔 , 沙杜·佩特尔 , 维克多·M·本夫尼斯特
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J27/024 , H01J37/08 , H01J37/09 , H01J37/304 , H01J2237/0453 , H01J2237/0458 , H01J2237/083 , H01J2237/24542
摘要： 揭示一种使用高透明电极改善撷取的离子束的品质的技术。在一特定的示例实施例中，技术可以实现为一种用于离子植入的装置。装置可包括用以产生离子束的离子源，离子源包括具有孔径的面板，且离子束行进通过所述孔径。装置亦可包括撷取电极组，撷取电极组包括至少一抑制电极与一高透明接地电极，其中撷取电极组可经由面板从离子源撷取离子束，以及其中高透明接地电极可经组态以最佳化抑制电极与高透明接地电极之间的气体传导，以改善撷取的离子束的品质。
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公开(公告)号：CN102696091A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：CN201080055374.3
申请日：2010-11-12
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 法兰克·辛克莱 , 维克多·M·本夫尼斯特 , 史费特那·瑞都凡诺 , 詹姆士·S·贝福
IPC分类号： H01J37/153 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/153 , H01J2237/1532
摘要： 一种用于操控具有主轴(7)的离子束(104)的系统，其包含具有第一线圈以及第二线圈的上部部件，所述线圈大体配置于所述上部部件的不同区域中且经组态以独立于彼此而分别传导第一电流(808或810)以及第二电流(808或810)。下部部件包含第三线圈以及第四线圈，所述线圈大体配置成与各别第一线圈以及第二线圈相对且经组态以独立于彼此而分别传导第三电流(812或814)以及第四电流(814或812，分别地)。透镜间隙(306)界定于所述上部部件与所述下部部件之间，且经组态以传输所述离子束，其中所述第一电流至所述第四电流产生45度四极场，所述四极场围绕所述离子束的主轴在所述离子束上施加旋转力(F5，F6)。
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公开(公告)号：CN101322216A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200680045225.2
申请日：2006-11-15
申请人： 瓦里安半导体设备公司
发明人： 史费特那·B·瑞都凡诺 , 安东尼·雷诺 , 詹姆士·S·贝福
IPC分类号： H01J37/12 , H01J37/30 , H01J37/317
摘要： 本发明揭示一种在离子植入机中提供成段的静电透镜的技术。在一特定例示性实施例中，可将技术实现为用于离子植入机中的静电透镜。透镜可包含以第一电压电位偏压的入口电极，其中离子束经由入口电极进入静电透镜。透镜亦可包含以第二电压电位偏压的出口电极，其中离子束经由出口电极离开静电透镜。透镜可更包含位于入口电极与出口电极之间的抑制电极，抑制电极包含经独立地偏压以操纵离子束的能量以及形状的多个段。
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公开(公告)号：CN108028160A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680052353.3
申请日：2016-08-25
申请人： 瓦里安半导体设备公司
IPC分类号： H01J37/14 , H01J37/141 , H01J37/147 , H01J37/317
CPC分类号： H01J37/1475 , H01J37/14 , H01J37/1471 , H01J37/1478 , H01J37/3171 , H01J2237/1415 , H01J2237/152 , H01J2237/31701
摘要： 一种方法可包括：从离子源产生离子束，离子束具有初始传递方向；以相对于初始传递方向的初始倾斜角度偏转离子束；使离子束穿过在磁性组件中的孔；以及在孔中产生下述：沿着与离子束的初始传递方向垂直的第一方向延伸的四极场以及沿着与第一方向和初始传递方向垂直的第二方向延伸的偶极场。
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