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公开(公告)号：CN111712912A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201980013082.4
申请日：2019-02-12
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明涉及光学元件的封装体的密封用盖，其应用能够使可见光等透过的玻璃等透光性材料。本发明含有由透光性材料构成的盖主体，盖主体具备与盖主体的外周形状对应的框状的接合区域。并且，在盖主体的接合区域上熔接有由两片以上共晶合金构成的钎料。作为钎料的配置状态，可以列举将球状的钎料连续地对齐排列配置成沿着接合区域的框状。
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公开(公告)号：CN1300440A
公开(公告)日：2001-06-20
申请号：CN00800609.1
申请日：2000-04-20
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
CPC classification number: C22C5/06 , B22F2009/046 , B22F2998/10 , C22C32/0021 , H01H1/02372 , B22F9/04 , C22C1/1078 , B22F3/16 , B22F3/20
Abstract: 本发明的目的是提供一种Ag－ZnO系电触点材料的制造方法,该方法可使ZnO更均匀且微细地分散于Ag中,能够维持较低的接触电阻,并提高耐熔焊性和耐损耗性,且制造成本较低。该方法是对熔解铸造规定组成量的Ag和Zn而获得的Ag－Zn合金进行内部氧化处理,使ZnO分散于Ag中制得Ag－ZnO系电触点材料的方法,其特征是,将以金属重量换算的5～10重量%的Zn和余量的Ag熔解铸造而成的Ag－Zn合金切成小段并进行内部氧化处理,然后,集中经过内部氧化处理的小段,压缩成型形成坯段,再对该坯段进行压缩加工和烧结处理,最后进行加压加工,使ZnO均匀且微细地分散于Ag中。
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公开(公告)号：CN1146931C
公开(公告)日：2004-04-21
申请号：CN00800609.1
申请日：2000-04-20
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
CPC classification number: C22C5/06 , B22F2009/046 , B22F2998/10 , C22C32/0021 , H01H1/02372 , B22F9/04 , C22C1/1078 , B22F3/16 , B22F3/20
Abstract: 本发明提供Ag-ZnO系电触点材料的制造方法，包括：对Ag-Zn合金进行熔解铸造；将铸造的合金切成小段；对小段进行内部氧化处理；集中经过内部氧化处理的小段，压缩成型形成坯段；对该坯段进行压缩加工和烧结处理数次，除去坯段的内部缺陷，此时，坯段中ZnO以条纹状分散状态沉积在Ag中；和对坯段进行加压加工，加压在坯段截面和压出的线状材料截面的面积比在51∶1以上的状态下进行，靠加压期间材料内产生的剪切力将条纹状沉积的ZnO转变成颗粒状，从而使ZnO微细地分散于Ag中。
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公开(公告)号：CN111712912B
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN201980013082.4
申请日：2019-02-12
Applicant: 田中贵金属工业株式会社
Abstract: 本发明涉及光学元件的封装体的密封用盖，其应用能够使可见光等透过的玻璃等透光性材料。本发明含有由透光性材料构成的盖主体，盖主体具备与盖主体的外周形状对应的框状的接合区域。并且，在盖主体的接合区域上熔接有由两片以上共晶合金构成的钎料。作为钎料的配置状态，可以列举将球状的钎料连续地对齐排列配置成沿着接合区域的框状。
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