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公开(公告)号：CN109128212A
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201810934764.6
申请日：2018-08-16
Applicant: 西安工程大学
CPC classification number: B22F9/24 , B22F1/0085 , C01G5/00 , C01G9/02 , C22C1/05 , C22C5/06 , C22C32/0021
Abstract: 本发明公开的一种银镍氧化锌电接触合金的制备方法，包括以下步骤：制备Zn(NO3)2和AgNO3的混合溶液A，在混合溶液A中加入依次聚乙烯吡咯烷酮溶液、抗坏血酸溶液，并搅拌均匀，得到混合溶液B，向混合溶液B中滴加氨水并调节pH值，得到沉淀产物，利用沉淀产物制备银氧化锌复合粉体，将银氧化锌复合粉体和Ni粉按比例放入球磨机中进行球磨混粉，并在还原性气体的气氛中进行退火处理后，得到混合均匀的银镍氧化锌复合粉体，将银镍氧化锌复合粉体制备成银镍氧化锌电接触合金。能保证了触头材料具有较高的导电、导热性能。
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公开(公告)号：CN105358640B
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201480037398.4
申请日：2014-06-12
Applicant: 富士胶片株式会社
IPC: C09D201/00 , C09D1/00 , C09D5/24 , C09D7/63 , H01B1/00 , H01B1/22 , H01B13/00 , H05K1/09 , H05K3/12
CPC classification number: C09D5/24 , B22F2003/248 , C08K5/053 , C08K2003/085 , C08K2003/2248 , C09D1/00 , C09D7/40 , C09D7/61 , C09D7/63 , C09D201/00 , C22C29/12 , C22C32/0021 , C23C18/08 , H01B1/22 , H05K1/097 , H05K2203/1157
Abstract: 本发明的课题在于提供一种能够形成导电性优异且空洞少的导电膜的导电膜形成用组合物以及使用该组合物的导电膜的制造方法。本发明的导电膜形成用组合物含有平均粒径为1nm～10μm的铜颗粒、平均粒径为1nm～500nm的氧化铜颗粒、具有羟基的还原剂、含有铜以外的金属的金属催化剂和溶剂，所述氧化铜颗粒的含量相对于所述铜颗粒的含量为50质量％～300质量％，所述还原剂的含量相对于所述氧化铜颗粒的含量为100摩尔％～800摩尔％，所述金属催化剂的含量相对于所述氧化铜颗粒的含量为10质量％以下。
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公开(公告)号：CN107523712A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710624634.8
申请日：2017-07-27
Applicant: 深圳市远思达成科技有限公司 , 泰兴市金錋科技有限公司
CPC classification number: C22C1/1036 , C22C5/06 , C22C32/0021
Abstract: 本发明涉及金属基复合材料制造领域，特别涉及一种银氧化铜复合材料的制备工艺，该工艺包括如下主要步骤：步骤S5：将步骤S1中的基体银高温加热，得到液态银熔液，将液态银熔液浇铸到步骤S4中的模具内，使液态银熔液与混合增强体粉末预制块充分混合；步骤S6：对步骤S5中盛放液态银熔液与混合增强体粉末预制块的模具施加压力，使液态银熔液充分渗入到混合增强体粉末预制块颗粒之间的孔隙中，待液态银熔液充分渗入到混合增强体粉末预制块颗粒之间的孔隙中后继续保持压力。与现有技术相比，本发明的银氧化铜复合材料的制备工艺工艺简单，成本低，所得材料致密度高，材料性能高且质量稳定。
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公开(公告)号：CN107502774A
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201710874887.0
申请日：2017-09-25
Applicant: 常州市沃兰特电子有限公司
CPC classification number: C22C5/06 , B22F9/24 , C22C1/05 , C22C32/0021
Abstract: 本发明属于金属基材料制造领域，具体涉及一种银氧化锡材料的制备方法。本发明以苯乙烯和过氧化苯甲酰为单体，加入马来酸酐对其进行改性，形成大孔树脂，大孔树脂包裹着硝酸银中的银离子，锡酸钠溶液中的酸根离子，置换出硝酸银中的极性基团，加入催化剂后，锡离子和银离子形成共沉淀。通过树脂的化合物的选择性，从而达到分离纯化。在大孔树脂作用下，能改善银和锡混合颗粒的分散性，降低粒子间的团聚，使颗粒更加均匀。提高微粒表面活性，有利于其它组分在其表面的负载，解决了目前采用化学混粉加工的方法，虽然氧化物分散性较好，但易引入杂质，这都会造成合金的加工性能以及使用性能下降的问题。
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公开(公告)号：CN107365921A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710478687.3
申请日：2017-06-22
Applicant: 中国科学院兰州化学物理研究所 , 兰州工业研究院
CPC classification number: C22C9/06 , C22C1/05 , C22C9/00 , C22C9/02 , C22C32/0021
Abstract: 本发明公开了一种在室温至500℃使用的CuNiSn合金基自润滑复合材料及其制备方法。该材料由Ni 1％～12％、Sn 3％～6％、Fe 0.5～3%、Al 0.01～0.08%、Ti 0.01～0.08%、石墨1.0～4.0%、PbO 1.0～6.0%、CeF3 0.1％～1.0％以及余量Cu组成，按质量分数计。该材料在室温～500℃具有高硬度、高强度、低摩擦、耐磨损及自润滑特性，适用于制造上述温度范围的设备用滑动轴承、滑板、滚动轴承保持架或其它零部件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107354507A
公开(公告)日：2017-11-17
申请号：CN201710641592.9
申请日：2017-07-31
Applicant: 尚成荣
Inventor： 尚成荣
CPC classification number: C30B29/02 , C22C1/1036 , C22C9/01 , C22C32/0021 , C22C2001/1047 , C30B11/001 , C30B11/02
Abstract: 本发明公开了一种单晶导电铜杆上引连铸法生产工艺，包括以下步骤：将电解铜原料投放入封闭混合熔料炉中进行熔炼，向熔融的铜液中投入铝锑合金粉末、氧化铕粉末和铍铝合金粉末，通过封闭混合熔料炉底部的通气进口向封闭混合熔料炉通氮气和一氧化碳的混合气体，混合气体再由封闭混合熔料炉顶部的通气出口排出；熔融混合物转移至上引连铸熔料炉中，通过虹吸作用使熔融混合物进入到上引连铸结晶器中，通过引拉装置将上引连铸结晶器中已结晶的导电铜杆从上引连铸结晶器的顶部引出，最后将制成的导电铜杆打包成卷。本发明生产加工的单晶导电铜杆相较于多晶导电铜材杆，延伸率可以增加60%～80%，电阻率可以降低15%～20%。
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公开(公告)号：CN104205508B
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201280071621.8
申请日：2012-12-27
Applicant: 恩普乐股份有限公司
Inventor： 小田享弘
IPC: H01R13/03 , C25D5/12 , C25D7/00 , G01R1/067 , H01R13/24 , H01R33/76 , B23K35/26 , C22C5/04 , C22C5/06 , C22C13/00 , C22C32/00
CPC classification number: H01R13/03 , B23K35/262 , B23K35/3013 , B32B15/01 , B32B15/018 , C22C5/04 , C22C5/06 , C22C9/04 , C22C13/00 , C22C19/03 , C22C32/0021 , C25D5/12 , C25D7/00 , G01R1/06761 , H01R13/24 , H01R13/2421
Abstract: 本发明提供防止电气部件的端子(2a)与电触头(14)在连续性试验后发生黏附、使耐久性提高的电触头(14)以及使用了其的电气部件用插座(10)。本发明的电触头(14)在具有导电性的基材(31)的表面形成有以Ni作为主成分的基底层(32)、以Pd和Ag作为主成分的表层(33)、以及以Sn或Au作为主成分的最表层(34)。
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公开(公告)号：CN106483481A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201611180457.0
申请日：2016-12-20
Applicant: 河南中医药大学
IPC: G01R33/341 , C22C9/01 , C22C32/00 , C22C30/02
CPC classification number: G01R33/341 , C22C9/01 , C22C30/02 , C22C32/0021
Abstract: 本发明公开了一种核磁共振设备的磁体组件，包括被定位在低温恒温器内的圆筒形磁体，所述低温恒温器包括冷冻剂容器，冷冻剂容器具有外部圆柱形壁、内部圆柱形膛管以及呈平面状的环形末端端盖，外部真空容器围绕冷冻剂容器，其具有外部圆柱形壁、内部圆柱形膛管以及呈平面状的环形末端端盖，外部真空容器内放置热辐射屏蔽，其具有外部圆柱形壁、内部圆柱形膛管以及呈平面状的环形末端盖，所述内部圆柱形膛管上设有螺旋形卡槽，所述内部圆柱形膛管设有布线机构，所述布线机构包括设置在支架上与之转动连接的螺管，可以快速调节的磁通量。
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公开(公告)号：CN106048545A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610562180.1
申请日：2013-02-26
Applicant: 吉坤日矿日石金属株式会社
CPC classification number: H01J37/3426 , B22F3/15 , C04B35/6455 , C22C1/10 , C22C19/07 , C22C27/04 , C22C32/0021 , C22C32/0026 , C22C33/0278 , C22C38/002 , C22C2202/02 , C22F1/10 , C23C14/3414 , G11B5/851 , C23C14/3407 , C22C5/04 , C22C32/0005
Abstract: 本发明涉及磁性材料溅射靶及其制造方法。一种磁性材料溅射靶，其为含有氧化物的磁性材料溅射靶，其特征在于，氧化物的平均粒径为400nm以下。一种含有氧化物的磁性材料溅射靶的制造方法，其特征在于，通过PVD或CVD法在基板上将磁性材料成膜，接着从该成膜后的磁性材料上除去基板，接着将该成膜后的磁性材料粉碎而得到靶用原料，然后将该原料烧结。本发明的课题在于得到能够抑制导致溅射时产生粉粒的氧化物的异常放电的磁性材料靶、特别是非磁性材料颗粒分散型强磁性材料溅射靶。
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公开(公告)号：CN106030869A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580009884.X
申请日：2015-02-25
Applicant: 新日铁住金株式会社
IPC: H01M4/38 , B22F1/00 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/06 , C22C9/10 , H01M4/36
CPC classification number: H01M4/364 , C22C9/00 , C22C9/01 , C22C9/02 , C22C9/04 , C22C9/06 , C22C9/10 , C22C29/005 , C22C29/06 , C22C29/067 , C22C29/12 , C22C29/14 , C22C29/16 , C22C32/0021 , C22C32/0052 , C22C32/0068 , C22C32/0073 , C22C32/0078 , H01M4/38 , H01M10/052 , H01M10/0525 , H01M2004/027 , Y02T10/7011
Abstract: 提供能够改善单位体积的放电容量和/或充放电循环特性的负极活性物质材料。本实施方式的负极活性物质材料含有合金相和陶瓷。合金相在释放金属离子时或在吸收金属离子时发生热弹性型无扩散相变。陶瓷分散于合金相中。合金相中的陶瓷的含量相对于合金相和前述陶瓷的总质量为超过0～50质量％。
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