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公开(公告)号：CN112260531B
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202011082247.4
申请日：2020-10-12
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于谐振开关电容变换器的降压PFC电路，属于电力电子领域，该电路突破了传统谐振开关电容变换器应用于PFC电路时的增益限制，因此可以表现出良好的功率因数校正等性能。同时，结合谐振开关电容变换器的自身优势，实现高效率、高功率密度，因此在便携式设备的电源适配器等对变换器体积、效率要求较高的场合具有较高的应用价值。
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公开(公告)号：CN109912224B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201910076707.3
申请日：2019-01-26
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种用于光学测温的氟磷灰石纳米玻璃陶瓷材料及制备方法。所述纳米玻璃陶瓷材料包括氧化物玻璃基体，所述氧化物玻璃基体中含有掺杂了Yb3+和Er3+的Ca5(PO4)3F纳米晶体；氧化物玻璃基体的组成中至少含有15～25mol％的CaF2、25～35mol％的ZnO、6～12mol％的P2O5和34～44mol％的B2O3，外加占上述氧化物总量0.5～1.5mol％的Yb2O3和0.04～0.08mol％的Er2O3。所述纳米玻璃陶瓷材料的制备方法：按照氧化物玻璃基体的组成配比，配制成的混合粉体研磨混合均匀后置于坩埚中，加热到1100～1250℃，保温1～2小时；然后将所得玻璃熔液快速倒入420～450℃预热的铜模中成型并退火10小时得到基质玻璃；退火后的基质玻璃继续在660～680℃保温2～6小时使之发生晶化。
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公开(公告)号：CN113315374A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110590354.6
申请日：2021-05-28
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供一种基于Buck变换器的占空比调制脉冲序列控制方法及装置，属于电力电子技术领域。该控制方法在稳态时脉冲序列循环周期的组合方式恒为“1高功率脉冲+不定周期零脉冲(零占空比空白脉冲)”或“1低功率脉冲+不定周期零脉冲”，使之克服现有脉冲序列控制工作在电感电流非连续导电模式时的技术缺点，具有输出电压纹波小，稳定性和抗干扰能力强，轻载或空载效率高，显著拓宽变换器工作范围等优点。
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公开(公告)号：CN106927047B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201710174508.7
申请日：2017-03-22
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种无人机抓取装置，包括安装在无人机下部的机械臂，机械臂下端与弹舱相连，弹舱包括通过连接柱相连的弹舱上板和弹舱下板，弹舱上板和弹舱下板之间还设有弹簧，弹簧和连接柱间隔设置，相邻的弹簧和连接柱之间的净距小于待取球体的直径。本发明所提供的一种无人机抓取装置，利用弹簧特性，并联机械臂带动弹舱直接取球，弹舱又具有投球功能，功能全面。装置整体结构简单，重量可控，可用于高尔夫球的移动和拾取，或者球状包裹的拾取和投放。
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公开(公告)号：CN112260531A
公开(公告)日：2021-01-22
申请号：CN202011082247.4
申请日：2020-10-12
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种基于谐振开关电容变换器的降压PFC电路，属于电力电子领域，该电路突破了传统谐振开关电容变换器应用于PFC电路时的增益限制，因此可以表现出良好的功率因数校正等性能。同时，结合谐振开关电容变换器的自身优势，实现高效率、高功率密度，因此在便携式设备的电源适配器等对变换器体积、效率要求较高的场合具有较高的应用价值。
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公开(公告)号：CN107572827A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710998285.6
申请日：2017-10-20
申请人： 桂林电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种微晶玻璃基板材料及其制备方法。所述材料的组成中至少包括了：9～10 mol%的CaO，40～42 mol%的ZnO，13～15 mol%的B2O3，35 mol%的P2O5和0～1.5mol%的TiO2。所述基板材料是一种具有低介电常数、高品质因数以及小谐振频率温度系数的微晶玻璃基板材料，其在测试频率（13-15GHz）下的相对介电常数（Er）低至4.18-4.76，谐振频率温度系数绝对值（Tcf）低至13-28 ppm/oC，品质因数（Qxf）可以达到9100-25000GHz。
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公开(公告)号：CN105206584A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510540631.7
申请日：2015-08-28
申请人： 西安电子科技大学
CPC分类号： H01L21/84 , H01L27/1203
摘要： 本发明涉及一种异质沟道槽型栅CMOS集成器件及其制备方法，该制备方法包括:选取SOI衬底；形成SiGe层；连续生长N型应变Ge层和N型应变Si层；采用刻蚀工艺形成隔离沟槽，形成NMOS有源区和PMOS有源区；刻蚀NMOS有源区表面的N型应变Si层，并注入N型离子以形成增强型NMOS有源区；在指定的栅极区表面采用刻蚀工艺形成双倒梯形凹槽；在表面生长氧化层，刻蚀部分区域的氧化层形成PMOS栅介质层；向PMOS有源区表面注入P型离子形成PMOS源漏区；在PMOS的栅介质层表面生长栅极材料形成PMOS栅极；在所述NMOS栅极区生长栅极材料形成NMOS栅极；金属化处理，并光刻漏极引线、源极引线和栅极引线，最终形成异质沟道槽型栅CMOS集成器件。
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公开(公告)号：CN104992930A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510393906.9
申请日：2015-07-07
申请人： 西安电子科技大学
CPC分类号： H01L21/84 , H01L27/1203
摘要： 本发明涉及一种应变Ge CMOS集成器件的制备方法及其CMOS集成器件，该制备方法包括:选取SOI衬底；生长N型应变Ge层以形成NMOS有源区和PMOS有源区；采用刻蚀工艺形成隔离沟槽；在PMOS有源区内注入P型离子形成PMOS的源漏区，在NMOS有源区内注入N型离子形成NMOS的源漏区；在PMOS和NMOS有源区表面且异于源漏区位置处形成金属栅极，且NMOS的栅极为高功函数的金属栅极；金属化处理，并光刻漏极引线、源极引线和栅极引线，最终形成应变Ge CMOS集成器件。本发明实施例实现了高性能应变Ge CMOS器件的制备。
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公开(公告)号：CN113315374B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202110590354.6
申请日：2021-05-28
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明提供一种基于Buck变换器的占空比调制脉冲序列控制方法及装置，属于电力电子技术领域。该控制方法在稳态时脉冲序列循环周期的组合方式恒为“1高功率脉冲+不定周期零脉冲(零占空比空白脉冲)”或“1低功率脉冲+不定周期零脉冲”，使之克服现有脉冲序列控制工作在电感电流非连续导电模式时的技术缺点，具有输出电压纹波小，稳定性和抗干扰能力强，轻载或空载效率高，显著拓宽变换器工作范围等优点。
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公开(公告)号：CN112230253B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202011094683.3
申请日：2020-10-13
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明涉及信息技术处理技术领域，提供了一种基于公共切片子序列的轨迹特征异常检测方法。解决传统方法仅仅考虑公共部分的情况下，会容易把异常的轨迹误认为成正常的轨迹。主要方案包计算两轨迹间非公共部分的差异D′，判断两轨迹非公共部分的差异小于差异判别阈值，且最长公共部分占整条轨迹的比例超过阈值，则两轨迹特征相似；判断轨迹集中与当前轨迹特征相似的其他轨迹数占轨迹集中所有轨迹数的比值超过阈值，则代表当前轨迹为特征正常轨迹，否则特征异常轨迹。
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