公开(公告)号：CN110504354A

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201910638661.X

申请日：2019-07-16

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 金立川 ,  贾侃成 ,  何昱杰 ,  张怀武 ,  唐晓莉 ,  钟智勇 ,  杨青慧

IPC: H01L43/06 ,  H01L43/10 ,  H01L43/14

Abstract: 一种基于反铁磁性材料的纳米太赫兹波振荡器阵列及制备方法，属于微波电子设备技术领域。所述纳米太赫兹波振荡器阵列为多个单元器件组成的阵列结构，所述单元器件包括非磁性重金属薄膜层和位于非磁性重金属薄膜层之上的反铁磁薄膜层，多个单元器件通过位于非磁性重金属薄膜层下表面的电极串联。本发明基于反铁磁性材料的纳米太赫兹波振荡器阵列，通过调节导电电极流过的电流强度可实现不同功率的高频太赫兹波输出，输出太赫兹波信号性能良好，并且结构简单，功耗低，易与CMOS集成。

公开(公告)号：CN111121835B

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201911147559.6

申请日：2019-11-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 金立川 ,  何昱杰 ,  张岱南 ,  向全军 ,  廖宇龙 ,  白飞明 ,  钟智勇

IPC: G01D5/26 ,  G01J5/02

Abstract: 本发明涉及一种热释电/光电双功能集成传感器件。该传感器件为预极化半导体薄膜的热释电/光电双功能集成传感器件，由光电传感阵列和导电接线金属薄膜层组成，该光电传感阵列由光电传感单元以并联的形式组成，该光电传感单元由铁电性半导体薄膜层和透明导电薄膜层以面外异质结的形式组成，该铁电性半导体薄膜层是含有氧空位的多晶型薄膜层，该透明导电薄膜层是具有高功函数的金属薄膜层。该集成传感器件不仅可以通过调整退极化场的强度和方向来进行控制，还可以通过热释电效应的电势来进行调节。

公开(公告)号：CN111121835A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911147559.6

申请日：2019-11-21

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 金立川 ,  何昱杰 ,  张岱南 ,  向全军 ,  廖宇龙 ,  白飞明 ,  钟智勇

IPC: G01D5/26 ,  G01J5/02

Abstract: 本发明涉及一种热释电/光电双功能集成传感器件。该传感器件为预极化半导体薄膜的热释电/光电双功能集成传感器件，由光电传感阵列和导电接线金属薄膜层组成，该光电传感阵列由光电传感单元以并联的形式组成，该光电传感单元由铁电性半导体薄膜层和透明导电薄膜层以面外异质结的形式组成，该铁电性半导体薄膜层是含有氧空位的多晶型薄膜层，该透明导电薄膜层是具有高功函数的金属薄膜层。该集成传感器件不仅可以通过调整退极化场的强度和方向来进行控制，还可以通过热释电效应的电势来进行调节。

公开(公告)号：CN110176533B

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN201910389022.4

申请日：2019-05-10

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 金立川 ,  朱虹宇 ,  贾侃成 ,  何昱杰 ,  唐晓莉 ,  钟智勇 ,  张怀武

IPC: H01L43/04 ,  H01L43/06 ,  H01L43/14 ,  H01L27/22

Abstract: 一种光响应的自旋电子器件及其制备方法，属于自旋电子功能器件技术领域。所述光响应的自旋电子器件，包括衬底，以及依次形成于衬底之上的磁性薄膜、半导体薄膜和重金属电极。本发明自旋电子器件，基于“磁性薄膜/半导体薄膜/重金属电极”异质结构，通过在磁性薄膜与重金属电极之间增加半导体光响应层，使自旋电子器件中的自旋流输运过程具备响应外界光照作用的能力。当光照射自旋电子器件时，会在半导体薄膜中产生光生载流子，改变“磁性薄膜/半导体薄膜/重金属电极”界面阻抗匹配，实现对自旋流从磁性层向半导体薄膜注入效率的调节；同时，光生载流子浓度影响自旋扩散长度，改变逆自旋霍尔电压信号，实现逆自旋霍尔电压对光照强度的检测。

公开(公告)号：CN110176533A

公开(公告)日：2019-08-27

申请号：CN201910389022.4

申请日：2019-05-10

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 金立川 ,  朱虹宇 ,  贾侃成 ,  何昱杰 ,  唐晓莉 ,  钟智勇 ,  张怀武

IPC: H01L43/04 ,  H01L43/06 ,  H01L43/14 ,  H01L27/22

Abstract: 一种光响应的自旋电子器件及其制备方法，属于自旋电子功能器件技术领域。所述光响应的自旋电子器件，包括衬底，以及依次形成于衬底之上的磁性薄膜、半导体薄膜和重金属电极。本发明自旋电子器件，基于“磁性薄膜/半导体薄膜/重金属电极”异质结构，通过在磁性薄膜与重金属电极之间增加半导体光响应层，使自旋电子器件中的自旋流输运过程具备响应外界光照作用的能力。当光照射自旋电子器件时，会在半导体薄膜中产生光生载流子，改变“磁性薄膜/半导体薄膜/重金属电极”界面阻抗匹配，实现对自旋流从磁性层向半导体薄膜注入效率的调节；同时，光生载流子浓度影响自旋扩散长度，改变逆自旋霍尔电压信号，实现逆自旋霍尔电压对光照强度的检测。

公开(公告)号：CN109545956A

公开(公告)日：2019-03-29

申请号：CN201811308918.7

申请日：2018-11-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 金立川 ,  何昱杰 ,  张岱南 ,  贾侃成 ,  张怀武 ,  唐晓莉 ,  钟智勇 ,  白飞明

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

Abstract: 一种电压可调控的各向异性磁阻传感器及其制备方法，属于自旋电子传感器技术领域。所述磁阻传感器包括基片，以及依次形成于基片之上的[非磁性金属氧化薄膜/磁性调控层/磁性响应层]n的多层薄膜和非磁性重金属薄膜，其中，n≥1。本发明提供的一种电压可调控的各向异性磁阻传感器在实现良好的传感特性的同时，还具有磁场探测范围和磁电阻变化率同时可调的特性，可广泛应用于转速控制、角度控制、磁场探测和磁开关等智能控制领域。