公开(公告)号：CN107919517B

公开(公告)日：2020-02-18

申请号：CN201711078137.9

申请日：2017-11-06

申请人： 电子科技大学

发明人： 杨青慧 ,  马博 ,  金立川 ,  郝俊祥 ,  洪彩云 ,  饶毅恒 ,  吴玉娟

IPC分类号： H01P7/08

摘要： 本发明实施例公开了一种平面化高Q值可调静磁波谐振器，包括本体及外置磁场。其中，本体包括输入微带线换能器、输出微带线换能器、钇铁石榴石薄膜、钆镓石榴石基片以及接地电极，钇铁石榴石薄膜覆盖于钆镓石榴石基片的正面，输入微带线换能器及输出微带线换能器设置于钇铁石榴石薄膜上，接地电极设置于钆镓石榴石基片的背面，外置磁场设置于本体一侧且垂直于钇铁石榴石薄膜所在的平面。实施本发明实施例，采用了平面集成化的YIG谐振子结构，且无需使用额外的微波介质基片GGG基片便可作为介质基板，从而使得器件的设计更为紧凑，小型化，且易于与MMIC集成，方便了谐振器的组装，缩短了谐振器的制造时长。此外，该谐振器具有极高的Q值。

公开(公告)号：CN108389718A

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201810112294.5

申请日：2018-02-05

申请人： 电子科技大学

发明人： 饶毅恒 ,  张怀武 ,  金立川 ,  钟智勇 ,  杨青慧 ,  马博 ,  吴玉娟

IPC分类号： H01F41/14 ,  C04B41/87

摘要： 本发明涉及一种同时具有面内面外易磁化方向的磁性双层石榴石材料及其制备方法，制备方法包括在钇铁石榴石薄膜基片上制备外延石榴石磁性薄膜的步骤；其中，钇铁石榴石薄膜基片和外延石榴石磁性薄膜的易磁化方向不同。本发明采用面内易磁化的石榴石磁性材料作为外延薄膜材料，并通过液相外延法、磁控溅射法或脉冲激光沉积法制备在钇铁石榴石薄膜基片上，从而增强YIG面外磁矩分量，最终制备得到同时具有面内面外易磁化方向的磁性双层石榴石材料；制备方法简单且多样化。

公开(公告)号：CN109023527B

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN201811000028.X

申请日：2018-08-30

申请人： 电子科技大学

发明人： 杨青慧 ,  吴玉娟 ,  张怀武 ,  张元婧 ,  李苏凡 ,  饶毅恒 ,  文岐业

IPC分类号： C30B29/28 ,  C30B29/64 ,  C30B19/12

摘要： 一种面外各向异性石榴石单晶薄膜及其制备方法，属于电子材料技术领域。所述单晶薄膜的成分为Y3‑(a+b+c)BiaLubCacFe5‑dGedO12，其中0＜a＜0.5，0＜b＜1.0，0＜c＜1.0，0＜d＜1.0，且c＝d。本发明以Y2O3、Lu2O3、Fe2O3、GeO2、CaO、PbO、Bi2O3、MoO3作为原料，采用分层放置原料的方法，在钆镓石榴石基片上得到了厚度最小可达到170nm的面外各向异性石榴石单晶薄膜；且得到的薄膜的生长速率与生长温度呈现非线性关系，呈现面外各向异性，可应用于自旋逻辑器件中。

公开(公告)号：CN108389718B

公开(公告)日：2019-11-19

申请号：CN201810112294.5

申请日：2018-02-05

申请人： 电子科技大学

发明人： 饶毅恒 ,  张怀武 ,  金立川 ,  钟智勇 ,  杨青慧 ,  马博 ,  吴玉娟

IPC分类号： H01F41/14 ,  C04B41/87

摘要： 本发明涉及一种同时具有面内面外易磁化方向的磁性双层石榴石材料及其制备方法，制备方法包括在钇铁石榴石薄膜基片上制备外延石榴石磁性薄膜的步骤；其中，钇铁石榴石薄膜基片和外延石榴石磁性薄膜的易磁化方向不同。本发明采用面内易磁化的石榴石磁性材料作为外延薄膜材料，并通过液相外延法、磁控溅射法或脉冲激光沉积法制备在钇铁石榴石薄膜基片上，从而增强YIG面外磁矩分量，最终制备得到同时具有面内面外易磁化方向的磁性双层石榴石材料；制备方法简单且多样化。

公开(公告)号：CN109023527A

公开(公告)日：2018-12-18

申请号：CN201811000028.X

申请日：2018-08-30

申请人： 电子科技大学

发明人： 杨青慧 ,  吴玉娟 ,  张怀武 ,  张元婧 ,  李苏凡 ,  饶毅恒 ,  文岐业

IPC分类号： C30B29/28 ,  C30B29/64 ,  C30B19/12

CPC分类号： C30B29/28 ,  C30B19/12 ,  C30B29/64

摘要： 一种面外各向异性石榴石单晶薄膜及其制备方法，属于电子材料技术领域。所述单晶薄膜的成分为Y3‑(a+b+c)BiaLubCacFe5‑dGedO12，其中0＜a＜0.5，0＜b＜1.0，0＜c＜1.0，0＜d＜1.0，且c＝d。本发明以Y2O3、Lu2O3、Fe2O3、GeO2、CaO、PbO、Bi2O3、MoO3作为原料，采用分层放置原料的方法，在钆镓石榴石基片上得到了厚度最小可达到170nm的面外各向异性石榴石单晶薄膜；且得到的薄膜的生长速率与生长温度呈现非线性关系，呈现面外各向异性，可应用于自旋逻辑器件中。

公开(公告)号：CN107919517A

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201711078137.9

申请日：2017-11-06

申请人： 电子科技大学

发明人： 杨青慧 ,  马博 ,  金立川 ,  郝俊祥 ,  洪彩云 ,  饶毅恒 ,  吴玉娟

IPC分类号： H01P7/08

摘要： 本发明实施例公开了一种平面化高Q值可调静磁波谐振器，包括本体及外置磁场。其中，本体包括输入微带线换能器、输出微带线换能器、钇铁石榴石薄膜、钆镓石榴石基片以及接地电极，钇铁石榴石薄膜覆盖于钆镓石榴石基片的正面，输入微带线换能器及输出微带线换能器设置于钇铁石榴石薄膜上，接地电极设置于钆镓石榴石基片的背面，外置磁场设置于本体一侧且垂直于钇铁石榴石薄膜所在的平面。实施本发明实施例，采用了平面集成化的YIG谐振子结构，且无需使用额外的微波介质基片GGG基片便可作为介质基板，从而使得器件的设计更为紧凑，小型化，且易于与MMIC集成，方便了谐振器的组装，缩短了谐振器的制造时长。此外，该谐振器具有极高的Q值。