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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111424317B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010286407.0
申请日：2020-04-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种高激光诱导损伤阈值单晶石榴石薄膜的制备方法，包括：1)称取原料：Bi2O3的质量百分含量为91.736％，Lu2O3的质量百分含量为1.888％，Fe2O3的质量百分含量为5.8590％，CaO的质量百分含量为0.021％，V2O5的质量百分含量为0.048％～0.148％，B2O3的质量百分含量为0.348％～0.448％；混料，熔料，得到熔体；2)清洗基片；3)液相外延法生长薄膜。本发明提供的一种高激光诱导损伤阈值的(Lu2.1Bi0.9)Fe5O12单晶石榴石薄膜的制备方法，在熔体中添加氧化钒与氧化硼，有效改善了熔体的黏度，提高了薄膜的表面质量，进而提升了薄膜的激光诱导损伤阈值。
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公开(公告)号：CN111679458A
公开(公告)日：2020-09-18
申请号：CN202010450071.7
申请日：2020-05-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/09
Abstract: 一种平面化磁光开关，属于激光通信技术领域。该平面化磁光开关包括法拉第转子、起偏器和检偏器，所述法拉第转子包括基片，以及对称设置于基片两侧的磁光薄膜层、第一微带线层和第二微带线层，所述第一微带线和第二微带线用于提供直流偏置，且第一微带线和第二微带线相互垂直。本发明提供的一种平面化磁光开关，在磁光薄膜层上设置两层相互垂直的矩形微带线，来代替传统的永磁体或通电线圈提供直流偏置磁场，不仅有效减小了磁光开关的体积，还可通过控制两层微带线的电流实现多路光纤的开关切换，可满足器件小型化、平面化的要求。
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公开(公告)号：CN111424317A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN202010286407.0
申请日：2020-04-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种高激光诱导损伤阈值单晶石榴石薄膜的制备方法，包括：1)称取原料：Bi2O3的质量百分含量为91.736％，Lu2O3的质量百分含量为1.888％，Fe2O3的质量百分含量为5.8590％，CaO的质量百分含量为0.021％，V2O5的质量百分含量为0.048％～0.148％，B2O3的质量百分含量为0.348％～0.448％；混料，熔料，得到熔体；2)清洗基片；3)液相外延法生长薄膜。本发明提供的一种高激光诱导损伤阈值的(Lu2.1Bi0.9)Fe5O12单晶石榴石薄膜的制备方法，在熔体中添加氧化钒与氧化硼，有效改善了熔体的黏度，提高了薄膜的表面质量，进而提升了薄膜的激光诱导损伤阈值。
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公开(公告)号：CN109023527A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811000028.X
申请日：2018-08-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种面外各向异性石榴石单晶薄膜及其制备方法，属于电子材料技术领域。所述单晶薄膜的成分为Y3‑(a+b+c)BiaLubCacFe5‑dGedO12，其中0＜a＜0.5，0＜b＜1.0，0＜c＜1.0，0＜d＜1.0，且c＝d。本发明以Y2O3、Lu2O3、Fe2O3、GeO2、CaO、PbO、Bi2O3、MoO3作为原料，采用分层放置原料的方法，在钆镓石榴石基片上得到了厚度最小可达到170nm的面外各向异性石榴石单晶薄膜；且得到的薄膜的生长速率与生长温度呈现非线性关系，呈现面外各向异性，可应用于自旋逻辑器件中。
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公开(公告)号：CN109023527B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201811000028.X
申请日：2018-08-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种面外各向异性石榴石单晶薄膜及其制备方法，属于电子材料技术领域。所述单晶薄膜的成分为Y3‑(a+b+c)BiaLubCacFe5‑dGedO12，其中0＜a＜0.5，0＜b＜1.0，0＜c＜1.0，0＜d＜1.0，且c＝d。本发明以Y2O3、Lu2O3、Fe2O3、GeO2、CaO、PbO、Bi2O3、MoO3作为原料，采用分层放置原料的方法，在钆镓石榴石基片上得到了厚度最小可达到170nm的面外各向异性石榴石单晶薄膜；且得到的薄膜的生长速率与生长温度呈现非线性关系，呈现面外各向异性，可应用于自旋逻辑器件中。
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