-
公开(公告)号：CN117348680A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311344846.2
申请日：2023-10-17
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种适用于CAN总线的摆率控制电路，包括译码器U0、n个NMOS管、n个阻值为R的电阻和输出端的峰值保持电路U1共同构成了新型电阻阵列；所述峰值保持电路U1的输出端VO与电压跟随器U2的正相输入端相连，电压跟随器U2的反相输入端与输出端相连，并接入MOS器件M0的栅极；密勒电容CM的两端分别接入MOS器件M0的栅极与漏极；负载电容CL的一端连接MOS器件M0的漏极，另一端接地；负载电阻RL的一端接入输出节点VOUT，另一端接地。本发明能够过滤掉过冲电压，保持电阻阵列输出电压的稳定性；在高压功率MOS器件的输出端与输入端串接米勒电容，以稳定MOS器件漏极电流的摆率，进而稳定输出电压的变化速度，达到摆率控制的目的。
-
公开(公告)号：CN117459343A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311346240.2
申请日：2023-10-17
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC分类号： H04L12/40 , H03K5/24 , H03K17/687
摘要： 本发明公开了一种适用于CAN的振铃抑制电路，包括减法器电路、振铃采样电路、振铃采样电路的复位电路以及动态比较器电路及其复位电路；所述减法器电路用于对总线信号做减法，得到纯净的振铃信号；所述振铃采样电路用于将得到的振铃信号进行峰值采样并保存；所述振铃采样电路的复位电路用于控制振铃采样电路的使能与复位功能；所述动态比较器电路及其复位电路用于将振铃采样电路得到的信号与参考电平作比较，进而输出信号控制MOS电阻导通，达到振铃抑制的目的。本发明采用动态比较器，不需要额外的外部控制信号，减少振铃抑制电路对总线的影响。通过振铃采样电路，用较简单的结构就可较好地保持振铃信号的峰值，同时降低了对器件工作频率的要求。
-
公开(公告)号：CN117453593A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311339459.X
申请日：2023-10-17
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种摆率可调的低电磁辐射CAN总线发送器，包括N个高侧电流开关、N个高侧电流源、N个低侧电流开关和N个低侧电流源；电流源用于提供输出电流，高侧电流开关和低侧电流开关用于控制电流源的导通与关断，电流源的电流由功率管提供；高侧电流开关和低侧电流开关通过移位寄存器控制。本发明利用移位寄存器来控制多级电流开关，通过改变时钟频率来控制每一级电流开关的导通延迟，最终达实现摆率可控。由于移位寄存器的作用，相邻两级电流镜的延时固定，这个特点同时解决了CANH与CANL之间的不匹配问题，减弱了工艺因素对CANH与CANL的匹配度的影响，使CANH与CANL的对称性更好，减小共模不匹配引起的电磁辐射。
-
公开(公告)号：CN115332811B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202210887497.8
申请日：2022-07-26
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种兼具发射率可调及波束异向反射功能的红外电磁周期结构，属于红外电磁波束控制超材料、电磁吸波材料领域。所述红外电磁周期结构包括衬底，以及位于衬底之上的、M×N阵列排列的多功能结构单元；多功能结构单元由K个1×K排列的单元组成，单元的相位补偿值自左向右从2π/K到2π、以2π/K的间隔等间距依次递增设置，单元包括自下而上依次设置的金属衬底层、第二相变材料层、低折射率低损耗电磁匹配层、高折射率低损耗电磁匹配层和第一相变材料层。本发明通过高折射率低损耗电磁匹配层实现探测光束的异向偏转，同时，采用多层介质的结构，在常温下实现了3‑14μm波段的低发射率，有效降低了目标体被探测的概率，满足军事领域对红外辐射抑制要求。
-
公开(公告)号：CN111291320B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202010047045.X
申请日：2020-01-16
申请人： 西安电子科技大学
IPC分类号： G06F17/16
摘要： 本发明公开了一种基于HXDSP芯片的双精度浮点复数矩阵运算优化方法，属于数字信号处理器的底层函数优化领域；双精度浮点复数矩阵运算包含由多次第一双精度浮点复数矩阵中的一个元素与第二双精度浮点复数矩阵的前四列的对应行的四个元素相乘后并与第三双精度浮点复数矩阵对应元素相加的过程构成的内循环；多次由第一双精度浮点复数矩阵中的一行与第二双精度浮点复数矩阵的每个四列的对应四个元素相乘的过程构成的外循环；本发明通过对矩阵乘法的优化避免了内存中的读数冲突带来的卡顿现象，同时，充分利用硬件资源，提高运算效率。
-
公开(公告)号：CN117060923A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202310833563.8
申请日：2023-07-07
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种应用于差分输入的极性自控宽带大幅度dither结构，包括：计数器、两个过零比较器、改进的PN码生成器、DAC、寄存器、两个加法器、差分ADC、查找表模块、延迟模块和减法器；本发明在输入端增加过零比较器能以较低的复杂度控制随机噪声的正负极性，保证最终的信号幅度不超过量化范围；除了采用乘同余法与斐波那契数列结合的方法外，利用改进的随机数生成公式更改了斐波那契数列生成的初始序列使随机性增强；对生成的PN码以简单的逻辑结构产生一组不同的均匀分布随机序列以供差分输入。增加了对应差分输入结构ADC的PN码使得该结构的应用范围得以拓宽；且运算需求没有明显增加，结构简单，整体的复杂度较低。
-
公开(公告)号：CN113422605B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202110763310.9
申请日：2021-07-06
申请人： 西安电子科技大学芜湖研究院
IPC分类号： H03M1/10
摘要： 本发明公开了一种溢出校准电路、模数转换器及模数转换方法，基于流水线型ADC第一子级和第二子级输出的数字码同时进行溢出判断，并将判断的结果传输到校准输出电路进行校准，在发生下溢出的时候将校准输出电路的输出全部置0，在发生上溢出的时候将校准输出电路的输出全部置1，完成溢出判断，并校准输出。如果存在因误差导致的溢出判断比较器判断结果出错，可以在溢出判断电路和校准输出电路校准判断失误的溢出位，保证电路的正常输出。
-
公开(公告)号：CN111273889B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202010043946.1
申请日：2020-01-15
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明属于信号处理技术领域，具体涉及一种基于HXDSP1042处理器的浮点复数FIR优化方法，包括：设定浮点复数FIR的函数接口，根据HXDSP1042处理器的寄存器传参规则确定函数接口中每个函数参数对应的传参寄存器；根据每个函数参数对应的传ss参寄存器分别得到输入序列、滤波器序列、输出序列的首地址及输入序列、滤波器序列、输出序列对应的长度；对HXDSP1042处理器进行压栈保护得到压栈保护后的HXDSP1042处理器；根据输入序列、滤波器序列、输出序列对应的长度得到循环控制变量；根据循环变量对输入序列和滤波器序列进行卷积操作得到输出序列，并将输出序列存入输出序列的首地址；对压栈保护后的HXDSP1042处理器进行复位操作。具有处理性能高，应用范围广的有益效果。
-
公开(公告)号：CN115449758A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202210819132.1
申请日：2022-07-12
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明涉及辐射降温领域，具体涉及一种柔性辐射制冷材料及其制备方法。本发明通过先在柔性基底上依次镀膜金属反射层和红外吸收层后，再进行裁剪编织，通过编织的方式提高其能形变的最大程度以及增加了孔隙提高了其热对流性能，而对比于普通辐射降温的织物材料，本发明能解决其材料不均匀性给整体辐射性能带来的不利影响，从而达到更好的降温效果。本发明在保证材料性能的前提下进一步提升了柔韧性，极大的提升了适用物体曲度范围，且整体材料均匀性高。能实现无污染无损耗的被动辐射降温的同时也同时兼顾应用场景的多样性，同时织物结构的灵活运用加大了热对流保证了更好的降温效果。
-
公开(公告)号：CN115220134A
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202210659856.4
申请日：2022-06-13
申请人： 电子科技大学
摘要： 本发明属于红外隐身领域，具体涉及一种疏水红外低发射镜面低反射材料及其制备方法。本发明通过把表面微/纳结构的疏水性及低反射特性与金属材料本身的低发射率特性相结合，改变薄膜的厚度，调控薄膜的疏水性及发射率特性，降低镜面反射，使其镜面反射率≤0.1，红外发射率≤0.63，从而同时实现兼具疏水性的红外低发射镜面低反射特性，有效改善了当前红外隐身材料的全方位、全天候红外隐身效果，以解决当前红外隐身材料不能兼具低发、低反和防污导致红外隐身性能降低的问题。并且所用材料成本低廉、便于大量采购，且制备工艺简单、便于大规模的制备。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
111 条记录 (耗时 0.038 秒)