公开(公告)号：CN114229811B

公开(公告)日：2023-06-02

申请号：CN202111614611.1

申请日：2021-12-27

申请人： 杭州电子科技大学

发明人： 蔡庆锋 ,  彭雪 ,  吕燕飞 ,  席俊华 ,  赵士超

IPC分类号： C01B25/14

摘要： 本发明公开了一种含铜、磷、硫的材料的制备方法，本发明在管式炉中，通过固相和气相反应，合成了主成分为CuPS3三元材料，形貌为片状，片之间相互堆叠成枝叶状，分布于三维空间中。这种结构使得材料三维贯通的孔洞多，比表面积大，对可见光的吸收性能好，有助于推动该材料的研究和应用。

公开(公告)号：CN113391309B

公开(公告)日：2022-09-09

申请号：CN202110658684.4

申请日：2021-06-15

申请人： 电子科技大学

发明人： 张永超 ,  张寅 ,  罗嘉伟 ,  黄钰林 ,  彭雪 ,  张永伟 ,  杨建宇 ,  杨海光

IPC分类号： G01S13/89 ,  G01S13/90

摘要： 本发明公开一种火星探测器雷达径向下视成像方法，应用于雷达成像领域，为解决现有技术无法应用于火星探测器径向下视成像模式的问题，本发明首先对火星表面进行雷达径向下视回波精准表征，突破径向下视成像机理性瓶颈；然后构建描述天线方向图与火星表面回波信号关系的可解析二维加权最小二乘代价函数，将径向下视雷达分辨率提升问题转化为最优化求解问题；最后采用快速二维自相关迭代重构方法求取全局最优解，实现雷达径向下视超分辨成像。与传统深空探测器着陆指示方法相比，本发明方法能够全天时、全天候表征火星探测器径向下视方向的地形变化信息，为火星探测器的软着陆选址提供新的技术手段。

公开(公告)号：CN112941466B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN202110122717.3

申请日：2021-01-29

申请人： 杭州电子科技大学

发明人： 吕燕飞 ,  彭雪 ,  蔡庆锋 ,  赵士超

IPC分类号： C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C16/34

摘要： 本发明公开了一种金掺杂氮化硼薄膜的制备方法，现有技术中贵金属元素掺杂后，可以改变h‑BN的导电类型、降低禁带宽度和电导能力。不同于石墨烯，h‑BN单分子层薄膜的制备非常困难；本发明采用氨硼烷和金作为h‑BN前驱物和掺杂剂，通过气相法在基底上制备出金掺杂h‑BN薄膜，厚度从单分子层厚度到20nm。制备的h‑BN其光学、电学性能可通过金掺杂量进行调节。

公开(公告)号：CN113285005B

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202110593629.1

申请日：2021-05-28

申请人： 杭州电子科技大学

发明人： 彭雪 ,  吕燕飞 ,  蔡庆锋 ,  赵士超

IPC分类号： H01L33/50 ,  C09K11/70 ,  C09K11/02

摘要： 本发明公开了一种近红外发光器件的制备方法，本发明将近红外荧光材料涂覆到能发射短波长光的电致发光二极管(LED)表面，制备了近红外发射器件；所述的近红外荧光材料为核壳结构的磷化亚铜‑氧化亚铜复合材料。在短波长光LED的激发下，能够发射近红外光。本发明制备的器件发射波长为750nm附近的近红外光；器件结构简单，制备方法简便。

公开(公告)号：CN113136641B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202110275151.8

申请日：2021-03-15

申请人： 杭州电子科技大学

发明人： 吕燕飞 ,  彭雪 ,  蔡庆锋 ,  赵士超

IPC分类号： D01F9/14 ,  C23C16/26

摘要： 本发明公开了一种氮、硼掺杂非晶碳中空纤维膜的制备方法，本发明采用氨硼烷作为氮、硼掺杂剂，苯甲醚作为非晶碳源，铜纤维为生长基底，通过气相法在基底上制备出氮、硼掺杂非晶碳纤维膜，纤维膜厚度从数纳米厚度到100纳米。表面生长有碳纤维膜的铜纤维，经过氯化铁溶解去除后，制备成氮、硼掺杂非晶碳中空纤维膜。本发明以氮、硼为掺杂剂，氮、硼原子的引入，易于非晶碳在铜纤维表面的异质成核；苯甲醚作为碳源，苯甲醚中的氧原子高温下对铜氧化刻蚀，在还原性气体氢的作用下，铜纤维表面粗糙度增加促进非晶碳的生长。制备的氮、硼掺杂非晶碳中空纤维，膜厚度可控、尺寸均匀、膜连续无气孔且表面粗糙度小。

公开(公告)号：CN113247943B

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202110593633.8

申请日：2021-05-28

申请人： 杭州电子科技大学

发明人： 彭雪 ,  吕燕飞 ,  蔡庆锋 ,  赵士超

IPC分类号： C01G3/02 ,  C01B25/08

摘要： 本发明公开了一种磷化亚铜‑氧化亚铜复合材料的制备方法，本发明首先合成纳米磷化亚铜，然后在其外部包裹一层氧化亚铜，形成核壳结构(Cu3P@Cu2O)复合材料；本发明氧化亚铜在纳米磷化亚铜表面生长，形成核壳结构，这种结构提高材料的光致发光性能。另外，本方法制备简单，成本低。

公开(公告)号：CN114284384A

公开(公告)日：2022-04-05

申请号：CN202111617503.X

申请日：2021-12-27

申请人： 杭州电子科技大学

发明人： 彭雪 ,  郭欣 ,  蔡庆锋 ,  陈蔓汝 ,  吕燕飞 ,  席俊华 ,  赵士超

IPC分类号： H01L31/109 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0336 ,  H01L31/18

摘要： 本发明公开一种基于氧化锌‑磷化亚铜光电探测器的制备方法，本发明首先在铜箔片表面生长磷化亚铜，然后，在磷化亚铜表面沉积铝掺杂n型氧化锌薄膜；最后在氧化锌表面沉积铝电极获得器件。本发明在铜箔表面沉积磷化亚铜和氧化锌构成的光电器件，制作方法简单，器件性能重复性高，制备器件所需原材料丰富，制备简单，成本低，对于可见光探测性能较好。

公开(公告)号：CN114150291A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111490272.0

申请日：2021-12-08

申请人： 杭州电子科技大学

发明人： 彭雪 ,  吕燕飞 ,  蔡庆锋 ,  赵士超

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/44

摘要： 本发明公开了一种磷化亚铜二维薄膜的制备方法，本发明采用次磷酸钠和铜箔作为前驱物，通过在惰性气氛中加热，在铜箔表面生长磷化亚铜晶体；然后以表面生长有磷化亚铜的铜箔为源，表面生长有氧化层的硅片(SiO2/Si)为基底，采用采用化学气相沉积法(CVD)在基底表面生长磷化亚铜二维薄膜。本发明薄膜制备的重复性好、晶体结晶质量高。制备的磷化亚铜二维薄膜厚度为2‑10nm。

公开(公告)号：CN112850669A

公开(公告)日：2021-05-28

申请号：CN202110122727.7

申请日：2021-01-29

申请人： 杭州电子科技大学

发明人： 吕燕飞 ,  彭雪 ,  蔡庆锋 ,  赵士超

IPC分类号： C01B25/08 ,  B82Y30/00 ,  B01J27/185 ,  B01J35/02

摘要： 本发明公开了一种钯铜磷化物异质二聚体材料的制备方法，本发明采用红磷、氯化钯作为磷化钯、磷化亚铜异质二聚体的前驱物，在硅基底上通过气固反应，制备磷化钯‑磷化亚铜异质二聚体材料。制备的材料可用于光催化领域。本发明将双金属高温下磷化在硅基片表面制备成双金属磷化物纳米晶体，该材料存在磷化钯和磷化亚铜的晶界，能够增强磷化物的光催化性能。

公开(公告)号：CN112701189A

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN202011593312.X

申请日：2020-12-29

申请人： 杭州电子科技大学

发明人： 吕燕飞 ,  彭雪 ,  蔡庆锋 ,  赵士超

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/109 ,  H01L31/0392 ,  C23C14/06 ,  C23C14/16 ,  C23C14/24 ,  C23C14/35 ,  C23C16/30 ,  C23C28/00

摘要： 本发明公开了一种光探测器及制备方法，探测器包括WSe2薄膜材料、ZnTe薄膜材料、n‑Si基底和金属电极；所述的n‑Si基底上生长WSe2薄膜，WSe2薄膜上生长ZnTe薄膜，n‑Si基底、ZnTe薄膜表面分别生长金属电极。本发明制备的光探测器，以n型硅为基底，与集成电路工艺兼容；具有厚度薄、光响应快、可探测黄绿光到近红外波段光的优点。