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公开(公告)号：CN116953239A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202310693299.2
申请日：2023-06-12
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： G01N33/574 , G01N33/58 , G01N27/72
摘要： 该发明公开了一种应用于乳腺癌细胞检测的双模式传感器，本发明涉及乳腺癌细胞检测、磁学、微电子学与固体电子学等交叉领域，首次提出使用双模式磁传感器检测血液中与抗体偶联的磁性颗粒的方法。该发明通过导线或线圈通电产生磁场吸引血液中的磁性颗粒于芯片上表面；设计了与血液中磁性颗粒的大小相当的小尺寸TMR传感器和霍尔传感器阵列，保证颗粒存在时，传感器能产生明显的输出电压；在TMR传感器中设计了挡板来固定颗粒，使其每个颗粒分割开来，防止颗粒集中或者多个颗粒沿传感器深度方向堆积而检测不到，提高了传感器输出电压和磁性颗粒数目的线性度以及准确率。
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公开(公告)号：CN116707459A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310686329.7
申请日：2023-06-09
摘要： 本发明公开了一种由数值辅助模块控制的误差放大器，涉及一个具有数字辅助模块的高电源抑制比(Power Supply Rejection Ratio,PSRR)模拟LDO，特别涉及一种使用数字辅助模块控制的误差放大器电路的高电源抑制比LDO。从电路的实际应用层进行考虑，该方法与传统的解决方法相比，不需要使用大的负载电容，能够节省芯片面积，便于片上集成，同时也对环路带宽的减小也相对更少，因此对瞬态响应的影响也较小。
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公开(公告)号：CN115051707B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202210322018.8
申请日：2022-03-29
申请人： 电子科技大学
摘要： 一种用于高精度SAR ADC的电容阵列权值校准方法，属于模拟集成电路技术领域。本发明的特征在于：先采用前台方式校准，利用重组算法对高位电容阵列的单位电容进行重组，之后采用后台校准方法对整个电容阵列的权重值进行校准。本发明操作方便、成本低廉，重组算法校准为后台校准提供良好的初值，使收敛速度更快，易于片上实现。
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公开(公告)号：CN114665849B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210184044.9
申请日：2022-02-23
申请人： 电子科技大学
摘要： 该发明公开了一种高精度电流比较器，涉及集成电路领域，特别涉及到比较器。针对传统比较器复杂的问题，本发明通过设计第一电流镜、第二电流镜、控制电容充电开关管MB9、MB10、开关MB12、NMOS管MB11、电容C1、理想电流源Iref以及电压比较器CMP；比较电流分别通过第一电流镜、第二电流镜输入，然后通过比较器进行比较输出，实现提升精度，降低功耗的目的。
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公开(公告)号：CN111290460B
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202010114662.7
申请日：2020-02-25
申请人： 电子科技大学
摘要： 该发明公开了种高电源抑制比快速瞬态响应的低压差线性稳压器，本发明属于低压差线性稳压器LDO领域。本发明提出的高电源抑制比快速瞬态响应的低压差线性稳压器电路，当负载电流瞬间变化时会引起Vout的改变(ΔVout)，此改变量经过误差放大器、单位增益缓冲器、功率调整管组成的负反馈通路后，以与ΔVout反相的量加在输出端，使得Vout最终稳定在Vref值的附近。采用折叠式共源共栅结构作为误差放大器，该结构具有较大增益、较大输入电压范围等优点。单位增益缓冲器电路的负极输入端接输出端，其闭环增益为1，将大电阻和大电容隔离从而满足相位要求并改善瞬态响应特性。利用第一中间电容提升瞬态响应特性和电路稳定性，运用动态偏置结构提升瞬态响应特性和电源抑制比。
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公开(公告)号：CN113131940A
公开(公告)日：2021-07-16
申请号：CN202110371211.6
申请日：2021-04-07
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03M1/46
摘要： 该发明公开了一种用于电容型逐次逼近模数转换器的电容排序电路，涉及微电子学与固体电子学领域。应用于基于电容排序和重组校正方法中，本发明提出的排序电路与现有电路相比，排序N个电容，可以将数模连接信号线数量由N2减小至2N；因此，针对高精度SAR ADC，本发明排序电路可以克服模拟排序电路因连接信号线过多而无法应用于高精度SAR ADC的限制。该方法排序方法与现有电容排序方法相比，大大降低了数模连接信号线的数量。针对高精度SAR ADC，该方法排序方法可以克服现有排序电路因连接信号线过多而无法应用于高精度SAR ADC的限制。并且，该方法排序方法更为简单，大大降低了设计难度。
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公开(公告)号：CN108880546B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201810742310.9
申请日：2018-07-09
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03M1/10
摘要： 该发明公开了一种应用于逐次逼近模数转换器的电容校正方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别是该领域中电阻电容型逐次逼近模数转换器中的电容设置方法。本发明将所有电容分割为单位电容，然后对排序后的单位电容采用奇数选取的方法组成逐次逼近模数转换器的最高级电容，然后每次在剩下的单位电容中再采用奇数选取的方法将选择出的单位电容组成逐次逼近模数转换器的其它级电容。相比于传统校正方法更为均衡，有利于线性度的进一步提升，在动态参数上有显著改善，并且无明显的附加功耗；相较于传统的模拟、数字校正算法，本发明提出的调整校正方法更为简单，并且大大地节省了面积和功耗。
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公开(公告)号：CN111308399A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN202010078369.X
申请日：2020-02-03
申请人： 电子科技大学
摘要： 该发明公开了一种基于COMSOL Multiphysics的3维十字型霍尔器灵敏度计算方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别涉及霍尔传感器。从不同结构对于水平型霍尔传感器灵敏度存在不同影响的角度考虑，通过3维COMSOL模型进行仿真对比0μm至38μm不同叉指长度下相应的霍尔器件模型电压相关灵敏度，提出一款拥有较高灵敏度的水平霍尔传感器，其特征在于所述霍尔器件为90°旋转对称的十字型结构，传感器尺寸的上下和左右宽度为80μm，厚度为5μm，有源区采用硅材料2.6E+16cm-3的N阱掺杂CMOS工艺，叉指长度为18μm时，即霍尔传感器宽长比为0.55时，能得到最佳的0.0652V/(VT)电压相关灵敏度；相较于传统的霍尔片模型得到了灵敏度的提升。
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公开(公告)号：CN106899300B
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201710080955.6
申请日：2017-02-15
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03M1/10
摘要： 该发明公开了一种提高电阻电容型逐次逼近模数转换器SFDR的冗余循环平均方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别是该领域中电阻电容型逐次逼近模数转换器中的电容设置方法。电容失配校正技术研究首先考虑的是易于片上实现，基于LMS算法的校正方案精度高且校准效果好，但初始值若选取不当会导致算法复杂度增加，甚至不收敛，不易于片上实现，而传统辅助DAC的校正技术最易于片上实现且成功率最高，但是不容易实现超高精度的问题，针对上述问题提出一种能提高逐次逼近模数转换器线性度的电容冗余循环平均方法，通过对电容分裂并冗余动态平均，从而具有校正电容失配的效果。
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