公开(公告)号：CN117894350A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202410070263.3

申请日：2024-01-17

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 贺程宇 ,  李建军 ,  李威 ,  李启权

IPC: G11C11/22 ,  G06F7/575

Abstract: 本发明设计并提出了一种基于FRAM的存内计算电路，属于集成电路领域。本文设计了一种基于2T‑2C的FRAM存内计算电路，可以在FRAM单元中实现与、或布尔逻辑运算。本发明还提出了一种4T‑2C结构，可以在2T‑2C FRAM存储单元中实现或运算。基于上述两个结构，我们可以在FRAM中进行所有的布尔逻辑运算，对于打破冯.诺伊曼架构的“内存墙”和“功耗墙”具有重要意义。2T‑2C FRAM单元具有高可靠性和抗辐射性，并且具有非易失性、低功耗、高读写速度、与CMOS工艺兼容等优势，有望应用于类脑芯片，具身智能芯片以及军工，航天等方向的智能芯片。

公开(公告)号：CN118761449A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410646959.6

申请日：2024-05-23

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李建军 ,  李启权 ,  贺程宇 ,  杜涛

IPC: G06N3/065 ,  G11C11/22 ,  G11C11/54

Abstract: 本发明属于集成电路设计技术领域，提出了一种基于1T1C铁电存储单元的神经元电路。该发明采用将脉冲信号存入一列并联1T1C铁电单元中以及读出时脉冲信号自动转换为膜电压，实现对输入脉冲信号进行累计与存储的技术方法；将编程数据存入另一列并联1T1C铁电单元中，读出时转换为发动阈值电压的技术方法；通过灵敏放大器对比二者的值，对脉冲产生进行判断的技术方法，实现了类似于神经元树突，轴突，胞体功能。因为基于1T1C铁电存储单元，具有高可靠性，高速，低功耗等特点，有望应用于类脑芯片和新型神经网络模型中。