一种基于姜泰勒效应改善锌镁钛微波陶瓷性能的方法

    公开(公告)号:CN117964360A

    公开(公告)日:2024-05-03

    申请号:CN202410068516.3

    申请日:2024-01-17

    IPC分类号: C04B35/462 C04B35/622

    摘要: 本发明属于微波介电陶瓷材料领域,具体提供一种基于姜泰勒效应改善锌镁钛微波陶瓷性能的方法,使制备得到的锌镁钛微波介电陶瓷材料具有低的介电损耗和低的谐振频率温度系数,适合于制造性能优异的陶瓷基板。本发明采用Zn0.7Mg0.3TiO3体系,通过引入Mn元素,使材料发生姜泰勒效应,晶体结构发生畸变,阻碍离子迁移,增强了陶瓷的结构稳定性;最终,本发明利用姜泰勒效应改善了Zn0.7Mg0.3TiO3微波陶瓷的介电性能,获得了介电常数为20.689,Q×f=50807.9,谐振频率温度稳定系数为‑22.3ppm/℃的微波介电陶瓷材料,有望用于制造陶瓷基板。

    一种LTCC用Li3Mg2TiO5F微波介质陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN117383927A

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202311456132.0

    申请日:2023-11-03

    IPC分类号: C04B35/462

    摘要: 本发明属于电子信息功能材料及微电子器件领域,具体提供一种LTCC用Li3Mg2TiO5F微波介质陶瓷材料及其制备方法,应用于无线通信技术微波介质基板、集成基板、微波天线和微波滤波器等领域。本发明通过LiF与Li2Mg2TiO5形成Li3Mg2TiO5F固溶体陶瓷材料,有效抑制锂挥发以及四价钛离子的还原,并将烧结温度降至银电极熔点以下,实现700℃~950℃的低温烧结,从而满足LTCC的应用;同时,本发明提供的微波介质陶瓷材料还具有优异的微波介电性能:相对介电常数εr为13.0~15.0,品质因数Q×f为110000GHz~160000GHz,谐振频率温度系数τf为‑15~‑40ppm/℃,为微波电子元器件向高频化、轻量化、便携化发展提供了一种有效的解决方案。

    一种反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24杂化复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN115432731B

    公开(公告)日:2023-07-18

    申请号:CN202211248904.7

    申请日:2022-10-12

    摘要: 本发明属于有机‑无机杂化半导体材料技术领域,具体为一种反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24杂化复合材料及其制备方法;本发明中反型Cs8Sn3GaI24/Cs8Sn3InI24杂化复合材料的形貌为纳米立方体构成的薄膜结构,由Ga3+和In3+离子联合调控能级形成反型Cs2SnI6结构,晶型为面心立方结构,表面形貌为纳米立方体且表面分布有中空结构;本发明制备得杂化薄膜表面均一、致密,同时具有良好晶体学特性和光电性能,在太阳能光伏器件、发光二极管、传感器等领域具备良好的应用前景;并且,其制备方法无需高温煅烧,生产工艺简单、生产效率好、合成成本低且环保节能,适合大规模工业化制造。

    一种高饱和磁化强度低温烧结LiZn铁氧体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113072371B

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202110324931.7

    申请日:2021-03-26

    摘要: 本发明属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域,提供一种高饱和磁化强度低温烧结LiZn铁氧体材料及其制备方法,用以提升LiZn铁氧体材料的饱和磁化强度,进而使之能够适应更多频段的移相器,使微波器件能够满足小型化、集成化、高性能化的趋势。本发明通过Zr离子部分取代的LiZn铁氧体中的Zn离子,得到LiZn铁氧体材料:Li0.43Zn0.27Zr0.13Fe2.17O4,其在保持较低铁磁共振线宽和较低矫顽力的同时、显著提升饱和磁化强度,最高可到高达102.4emu/g;并且,采用Bi2O3作为助烧剂实现该LiZn铁氧体材料的低温烧结,满足LTCC技术的要求;另外,本发明LiZn铁氧体材料的制备工艺简单、制备成本低,利于工业化生产。

    一种低损耗高频磁介材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113264759A

    公开(公告)日:2021-08-17

    申请号:CN202110549706.3

    申请日:2021-05-20

    摘要: 一种低损耗高频磁介材料,属于电子材料领域。所述磁介材料为Ba3Co2Fe24‑x‑yPrxSmyO41六角晶型铁氧体;x=0.05~0.30,y=0.01~0.10。本发明低损耗高频磁介材料采用溶胶凝胶法制备,实现了低损耗和高频磁介特性,在1MHz~1.8GHz的频率范围内具有低损耗和近等磁介特性(其磁导率和介电常数均在5~15左右,且频段内磁损耗系数和介电损耗系数都低于0.005);该低损耗高频磁介材料作为天线基板时,可以很好地实现天线的小型化和高频化,且有利于提高微带天线的传输效率,降低天线的传输损耗,为高频和集成化的小尺寸无线通信设备的设计提供了新的材料。

    一种低温烧结YIG旋磁铁氧体材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN113233885A

    公开(公告)日:2021-08-10

    申请号:CN202110324952.9

    申请日:2021-03-26

    摘要: 本发明属于电子陶瓷技术领域,具体提供一种低温烧结YIG旋磁铁氧体材料及其制备方法,用以解决现有低温烧结YIG旋磁铁氧体材料在LTCC工艺下均难以满足低温烧结以及旋磁性能优异要求的问题。本发明提供一种低温烧结YIG旋磁铁氧体材料:Y2.1Bi0.9Fe5‑3xZn2xVxO12、0<x≤0.06,具有单一石榴石结构,Bi3+离子占据石榴石晶格十二面体、取代一部分Y3+离子,V5+离子占据八面体、取代一部分Fe3+离子,同时引入金属离子Zn2+离子,实现多离子取代活化YIG铁氧体晶格,促进YIG铁氧体900~960℃下低温烧结的同时,改善材料的微波特性:较高的饱和磁化强度、较低的矫顽力、较低的微波介电损耗和磁损耗,使之满足LTCC技术要求,对集成度要求高、体积要求小的微波铁氧体器件的制造提供基础材料。