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    一种高强度空心隔热建筑材料及其应用
    1.
    发明授权
    一种高强度空心隔热建筑材料及其应用 有权 转让

    公开(公告)号：CN108947569B

    公开(公告)日：2021-10-01

    申请号：CN201811002589.3

    申请日：2018-08-30

    申请人： 盛世瑶兰(深圳)科技有限公司

    发明人： 不公告发明人

    IPC分类号： C04B38/06 ,  C04B35/10 ,  C04B26/06 ,  E04B1/76 ,  C04B35/634

    摘要： 本发明公开了一种高强度空心隔热建筑材料，具体制备过程如下：第一步，制备水解塑料微球；第二步，制备成型浆料；第三步，将成型浆料填充在水解塑料微球中；第四步，将填充塑料微球在80‑85℃的烘干室中烘干；第五步，制备包覆液；第六步，将填充塑料微球表面均包覆一层包覆液；第七步，将烘干后的包覆微球焙烧得到高强度多孔空心微球。本发明制备的材料内部为网状空心结构，由于多孔空心微球内部支撑结构主要是由二氧化硅和三氧化二铝制备，具有较低的导热性能，并且由于微球内部的孔道结构使得热量在经过孔空心微球后经过多个孔道的传导时，热量逐级降低，最终传递至墙体表面时热量较低，实现冬季和夏季的隔热保温作用。

    一种瞬态电压抑制器及其制作方法
    2.
    发明公开
    一种瞬态电压抑制器及其制作方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN109360822A

    公开(公告)日：2019-02-19

    申请号：CN201811093615.8

    申请日：2018-09-19

    申请人： 盛世瑶兰(深圳)科技有限公司

    发明人： 不公告发明人

    IPC分类号： H01L27/02

    摘要： 本发明提供一种瞬态电压抑制器及其制作方法，包括：在第一导电类型的衬底中形成第一沟槽和第二沟槽；形成第二导电类型的外延层，包括形成于所述衬底上表面的第一部分，以及分别形成于所述第一沟槽和所述第二沟槽内形成的第二部分；在所述衬底和所述外延层交界处形成覆盖所述第一沟槽和所述第二沟槽上表面，以及所述第一沟槽和所述第二沟槽之间的所述衬底上表面的第一介质层；在所述衬底内形成覆盖所述第一沟槽下表面的第二介质层以及覆盖所述第二沟槽下表面的第三介质层，所述第二介质层和所述第三介质层分别沿着相互背离的方向延伸至所述外延层边缘；在所述外延层上表面形成第一电极；在所述衬底下表面形成第二电极，从而降低了器件制造成本。

    一种电压抑制器及其制备方法
    3.
    发明公开
    一种电压抑制器及其制备方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN109244070A

    公开(公告)日：2019-01-18

    申请号：CN201811114860.2

    申请日：2018-09-25

    申请人： 盛世瑶兰(深圳)科技有限公司

    发明人： 不公告发明人

    IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

    摘要： 本发明公开了一种电压抑制器，包括N型的衬底，形成在衬底的上表面的N型的第一外延层，贯穿第一外延层且与衬底接触的至少一个N型的第二外延层，自第一外延层的上表面向下形成的P型的体区，自体区的上表面向下形成的埋层以及与埋层邻接的至少一个N型的源区，形成在第二外延层一侧壁上且位于体区与第二外延层之间的第一绝缘层，形成在第一绝缘层的上表面上且延伸至源区的上表面的至少一个第二绝缘层，形成在第二外延层的上表面及第二绝缘层的上表面的至少一个多晶硅层，形成在第一外延层、多晶硅层和源区的上表面上的介质层。本发明还公开了一种上述电压抑制器的制备方法。其能实现自启动而不会被较大的电压击穿，且结构简单、成本低。

    一种建筑用环保环氧树脂涂料
    4.
    发明公开
    一种建筑用环保环氧树脂涂料 有权 转让

    公开(公告)号：CN109233390A

    公开(公告)日：2019-01-18

    申请号：CN201811003181.8

    申请日：2018-08-30

    申请人： 盛世瑶兰(深圳)科技有限公司

    发明人： 不公告发明人

    IPC分类号： C09D4/06 ,  C09D7/61 ,  C09D7/65 ,  C09D7/63

    摘要： 本发明公开一种建筑用环保环氧树脂涂料，使用经过高温玻璃鳞片改性的双酚A型环氧树脂作为基料，与环保型的硅胶填料、增韧剂等多种填充料或助剂制备得到水性的环保涂料，无溶剂残留，原料环保低毒，填料能够均匀分散，包括以下重量份的原料：改性环氧树脂基体材料60-90份、环保型硅胶填料12-18份、环氧活性稀释剂6-15份、核壳结构增韧剂8-13份、亚甲基双萘磺酸钠4-8份、炭黑-SiO2双纳米填料2-6份、聚二甲基硅氧烷3-8份、去离子水32-58份，其制备方法包括纳米浆液的制备、组分A制备、混料振荡。本发明的建筑用环保环氧树脂涂料具有良好的耐候性、耐盐雾性、耐磨性，适合作为建筑外墙或内墙涂料。

    一种瞬态电压抑制器及其制作方法
    5.
    发明公开
    一种瞬态电压抑制器及其制作方法 无效

    公开(公告)号：CN109148292A

    公开(公告)日：2019-01-04

    申请号：CN201810934180.9

    申请日：2018-08-16

    申请人： 盛世瑶兰(深圳)科技有限公司

    发明人： 不公告发明人

    IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/73 ,  H01L29/06 ,  H01L27/02

    CPC分类号： H01L29/66234 ,  H01L27/0259 ,  H01L27/0296 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/73

    摘要： 本发明涉及一种瞬态电压抑制器，包括：衬底；形成于所述衬底表面区域的第二导电类型的第一注入区；形成于所述衬底上的第一外延层；形成在所述第一外延层上的第一导电类型的第二外延层；形成在所述第二外延层内且位于所述第一部分上方的第一沟槽，以及形成第二外延层内且位于所述第二部分上方的第二沟槽，所述第一沟槽及第二沟槽贯穿所述第二外延层；分别形成于所述第一沟槽及所述第二沟槽内的第一导电类型的第三外延层及第一导电类型的第四外延层，所述第三外延层与所述第一部分连接且其高度小于所述第一沟槽的深度，所述第四外延层与所述第二部分连接且其高度小于所述第二沟槽的深度；形成在所述第四外延层上表面区域的第二注入区。

    一种防霉涤纶高强丝的制备方法
    6.
    发明公开
    一种防霉涤纶高强丝的制备方法 失效

    公开(公告)号：CN109137130A

    公开(公告)日：2019-01-04

    申请号：CN201810981704.X

    申请日：2018-08-27

    申请人： 盛世瑶兰(深圳)科技有限公司

    发明人： 不公告发明人

    IPC分类号： D01F6/92 ,  C08G63/78 ,  C08G63/553 ,  C08G63/547

    CPC分类号： D01F6/92 ,  C08G63/547 ,  C08G63/553 ,  C08G63/78

    摘要： 本发明公开了一种防霉涤纶高强丝的制备方法，具体包括以下步骤：S1、合成双戊烯‑4‑琥珀酸甲酯；S2、合成异戊烯醇甲酸酯；S3、通过双戊烯‑4‑琥珀酸甲酯和异戊烯醇甲酸酯合成红没药醇衍生物；S4、合成防霉聚酯：将红没药醇衍生物与对苯二甲醇进行酯化缩聚，得到了防霉聚酯；S5、防霉涤纶高强丝的制备：将防霉聚酯、分散剂、消泡剂、柔软剂加入到螺杆挤出机中进行熔融挤压，接着经熔体过滤、液相增粘、喷丝孔挤出形成细流、侧吹风冷却、丝条上油、卷绕成型得到了防霉涤纶高强丝；该方法科学合理，制得的防霉涤纶面料防霉抑菌效果优良，具有良好的透气性和保湿性能，皮肤触感较好，手感柔软，提高了穿着的舒适性。

    一种功率器件保护芯片及其制作方法
    8.
    发明公开
    一种功率器件保护芯片及其制作方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN109103179A

    公开(公告)日：2018-12-28

    申请号：CN201810895430.2

    申请日：2018-08-08

    申请人： 盛世瑶兰(深圳)科技有限公司

    发明人： 不公告发明人

    IPC分类号： H01L27/02

    摘要： 本发明提供一种功率器件保护芯片及其制作方法，包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底上表面生长第二导电类型的第一外延层；在所述第一外延层上表面形成第一导电类型的第二外延层；形成贯穿所述第二外延层并延伸至所述第一外延层的第一沟槽；在所述第一沟槽内交替形成第二导电类型的第三外延层以及第四导电类型的第四外延层；在所述第一沟槽的侧壁形成第一介质层；形成贯穿所述衬底和所述第一外延层并与所述第一沟槽连接的第二沟槽；在所述第二沟槽内形成多晶硅层；在所述第二外延层上表面形成第一电极；在所述衬底的下表面形成第二电极，从而降低了工艺难度，提高了功率器件保护芯片的性能。

    一种VDMOS器件及其制作方法
    9.
    发明公开
    一种VDMOS器件及其制作方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN109103110A

    公开(公告)日：2018-12-28

    申请号：CN201811093637.4

    申请日：2018-09-19

    申请人： 盛世瑶兰(深圳)科技有限公司

    发明人： 不公告发明人

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78

    摘要： 本发明涉及一种VDMOS器件及其制作方法，所述方法包括：在外延层上表面依次生长栅氧化层以及位于所述栅氧化层表面且具有第一开口的多晶硅层；在所述外延层表面区域形成第二导电类型的体区；在所述栅氧化层极及所述多晶硅层上表面形成第一介质层；在所述第一开口内形成多个源区光刻胶，对所述第一介质层进行湿法腐蚀，以去除未被所述源区光刻胶覆盖的第一介质层以及被所述源区光刻胶覆盖的部分所述第一介质层，所保留的第一介质层为第二介质层；对所述栅氧化层进行干法刻蚀，去除所述源区光刻胶下方以外的所述栅氧化层，以形成阶梯状的源区注入窗口；通过注入及热驱入工艺，在所述体区表面区域形成第一导电类型的源区。

    水产养殖池塘监控装置
    10.
    发明公开
    水产养殖池塘监控装置 无效

    公开(公告)号：CN108982798A

    公开(公告)日：2018-12-11

    申请号：CN201810871552.8

    申请日：2018-08-02

    申请人： 盛世瑶兰(深圳)科技有限公司

    发明人： 不公告发明人

    IPC分类号： G01N33/18 ,  H02J7/35

    摘要： 本发明公开了水产养殖池塘监控装置，其结构包括信号指示灯、设备主机、太阳能板、平衡机构、承重圈、检测主机，承重圈为环形结构，且套合于平衡机构下端，平衡机构顶部设有检测主机，设备主机为矩形结构，且通过焊接方式安装于检测主机上表面中部。本发明设有的平衡机构当整体向左倾斜时，设有的水平装置根据水压的推动，控制驱动开关启动左端的驱动机构，再由传动装置带动平稳机构与水面接触划水，将平衡机构底部左端顶起，确保了整体的平稳度，避免出现倾斜的情况发生，有效防止监控装置倒入水面。