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公开(公告)号:CN103280460B
公开(公告)日:2016-09-07
申请号:CN201310194265.5
申请日:2013-05-22
申请人: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
发明人: 韩成功
IPC分类号: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC分类号: H01L29/7835 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/0878 , H01L29/0882 , H01L29/0886 , H01L29/42368 , H01L29/66659 , H01L29/7816 , H01L29/7834 , H01L29/7836
摘要: 本发明提供一种注入形成具有叠加漂移区的高压PMOS晶体管,包括P型硅衬底;位于P型硅衬底中的深N阱;位于深N阱中的水平方向且掺杂浓度和结深按序同时依次递增的叠加漂移区。本发明还提供一种注入形成具有叠加漂移区的高压PMOS晶体管的制造方法,包括提供P型硅衬底;向P型硅衬底中注入N型杂质,以扩散形成深N阱;沿深N阱中的水平方向分别注入不同掺杂浓度的P型杂质,在深N阱的水平方向中依次扩散形成掺杂浓度和结深按序同时依次递增的叠加漂移区。本发明通过用多重漂移区的组合作为高压PMOS的漂移区,使不同的漂移区中的P型杂质注入叠加在高压PMOS的漂移区中可以形成更好的浓度梯度,以使高压PMOS获得更好的击穿电压与导通电阻的特性。
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公开(公告)号:CN103280460A
公开(公告)日:2013-09-04
申请号:CN201310194265.5
申请日:2013-05-22
申请人: 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司
发明人: 韩成功
IPC分类号: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC分类号: H01L29/7835 , H01L29/0653 , H01L29/0847 , H01L29/0878 , H01L29/0882 , H01L29/0886 , H01L29/42368 , H01L29/66659 , H01L29/7816 , H01L29/7834 , H01L29/7836
摘要: 本发明提供一种注入形成具有叠加漂移区的高压PMOS晶体管,包括P型硅衬底;位于P型硅衬底中的深N阱;位于深N阱中的水平方向且掺杂浓度和结深按序同时依次递增的叠加漂移区。本发明还提供一种注入形成具有叠加漂移区的高压PMOS晶体管的制造方法,包括提供P型硅衬底;向P型硅衬底中注入N型杂质,以扩散形成深N阱;沿深N阱中的水平方向分别注入不同掺杂浓度的P型杂质,在深N阱的水平方向中依次扩散形成掺杂浓度和结深按序同时依次递增的叠加漂移区。本发明通过用多重漂移区的组合作为高压PMOS的漂移区,使不同的漂移区中的P型杂质注入叠加在高压PMOS的漂移区中可以形成更好的浓度梯度,以使高压PMOS获得更好的击穿电压与导通电阻的特性。
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