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公开(公告)号：CN105378934B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201480039829.0
申请日：2014-06-28
申请人： 电力集成公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/66659 , H01L21/2652 , H01L21/26586 , H01L29/0634 , H01L29/402 , H01L29/42368 , H01L29/7835
摘要： 一种用于制造高压场效应晶体管的方法，包括在半导体衬底中形成一个主体区域、一个源极区域和一个漏极区域。该漏极区域通过该主体区域与该源极区域分开。形成该漏极区域包括：在半导体衬底的在该漏极区域上方的表面上形成一个氧化物层；以及在使该半导体衬底倾斜的同时穿过该氧化物层执行多个离子注入操作使得离子束以偏离垂线的角度撞击在该氧化物层上。所述多个注入操作在该漏极区域内形成相应的多个分立的注入层。所述注入层中的每一个形成在该漏极区域内的不同深度处。
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公开(公告)号：CN108962986A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710350094.9
申请日：2017-05-18
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/42368 , H01L21/28211 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823462 , H01L27/0886 , H01L29/0847 , H01L29/785 , H01L29/66545 , H01L29/66795
摘要： 本申请公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述装置包括：衬底；在所述衬底上用于第一器件的第一鳍片；在所述第一鳍片的一部分上的第一栅极结构，包括：在所述第一鳍片的一部分上的第一栅极电介质层；和在所述第一栅极电介质层上的第一栅极；以及在所述第一栅极结构两侧至少部分地位于所述第一鳍片中的第一源区和第一漏区；其中，所述第一栅极电介质层与所述第一漏区邻接的部分为第一区，所述第一栅极电介质层与所述第一源区邻接的部分为第二区，所述第一栅极电介质层位于所述第一区和所述第二区之间的部分为第三区，所述第一区的厚度大于所述第三区的厚度。本申请可以减小器件的GIDL。
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公开(公告)号：CN108962985A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201710350087.9
申请日：2017-05-18
发明人： 李勇
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L27/088
CPC分类号： H01L29/7853 , H01L27/0886 , H01L29/42368 , H01L29/66787
摘要： 本申请公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。所述装置包括：衬底；在所述衬底上用于第一器件的第一鳍片；在所述第一鳍片的一部分上的第一栅极结构，包括：在所述第一鳍片的一部分上的第一栅极电介质层；和在所述第一栅极电介质层上的第一栅极；以及在所述第一栅极结构两侧至少部分地位于所述第一鳍片中的第一源区和第一漏区；其中，所述第一栅极电介质层与所述第一漏区邻接的部分为第一部分，所述第一栅极电介质层与所述第一源区邻接的部分为第二部分，所述第一栅极电介质层位于所述第一部分和所述第二部分之间的部分为第三部分，所述第一部分的厚度大于所述第三部分的厚度。本申请可以减小器件的GIDL。
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公开(公告)号：CN108807517A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810696314.8
申请日：2018-06-29
申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人： 李昊
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/66666 , H01L29/7827
摘要： 本发明公开了一种沟槽栅超结器件，包括：超结沟槽，由硬质掩膜层光刻刻蚀形成的第一开口定义；在超结沟槽和顶部的第一开口中填充有P型外延层并组成P型薄层；硬质掩膜层被去除且形成P型薄层的P型突出结构并由P型突出结构之间区域自对准形成顶部沟槽；在顶部沟槽的侧面和底部表面形成有第二N型外延层并自对准围成沟槽栅的栅极沟槽；栅极沟槽中形成由栅介质层和多晶硅栅。由P型薄层之间的第一和二N型外延层叠加形成N型薄层，超结由N型薄层和P型薄层交替排列形成。本发明还公开一种沟槽栅超结器件的制造方法。本发明能自对准定义出沟槽栅，从而能节省一张沟槽栅光罩并节约成本，还有利于器件的尺寸进一步的缩小。
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公开(公告)号：CN108305893A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201711459035.1
申请日：2014-09-19
申请人： 三垦电气株式会社
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/739 , H01L29/10 , H01L29/417
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L29/0619 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/42376
摘要： 本发明提供一种半导体装置，其为沟槽栅型半导体装置，能够充分消除耐压与通态电压的折中，还能够降低反馈电容。半导体装置具有：半导体基板，其层叠有第一半导体区域、第二半导体区域、第三半导体区域、以及第四半导体区域；绝缘膜，其配置于从第四半导体区域的上表面延伸并贯通第四半导体区域以及第三半导体区域而到达第二半导体区域的槽的内壁上；控制电极，其在槽的侧面与第三半导体区域的侧面对置地配置于绝缘膜上；第一主电极，其与第一半导体区域电连接；第二主电极，其与第三半导体区域以及第四半导体区域电连接；以及底面电极，其在槽的底面与控制电极间隔开地配置于绝缘膜之上，并与第二主电极电连接，在俯视观察时，槽在延伸方向上的长度在槽的宽度以上，且槽的宽度比相邻的槽之间的间隔大。
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公开(公告)号：CN108155087A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201810083012.3
申请日：2013-04-22
申请人： 罗姆股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/04 , H01L29/10 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L21/324 , H01L29/06 , H01L29/16
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/02233 , H01L21/02255 , H01L21/049 , H01L21/3247 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/401 , H01L29/41741 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/66068 , H01L29/66734 , H01L29/7811
摘要： 公开了一种半导体装置以及半导体装置的制造方法。提供能够提高沟槽的上部边缘中的栅极绝缘膜的耐压的半导体装置以及其制造方法。半导体装置(1)包含：形成有栅极沟槽(9)的n型SiC基板(2)；一体地包含侧面绝缘膜(18)和底面绝缘膜(19)的栅极绝缘膜(16)；以及被埋入到栅极沟槽(9)的栅极电极(15)，该栅极电极(15)选择性地具有在上部边缘(26)中重叠于SiC基板(2)的表面(21)的重叠部(17)，在该半导体装置(1)中，在侧面绝缘膜(18)以在上部边缘(26)中向栅极沟槽(9)的内部突出的方式，形成与该侧面绝缘膜(18)的其它部分相比选择性地变厚的悬垂部(27)。
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公开(公告)号：CN104576737B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201410543952.8
申请日：2014-10-15
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L27/088 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/0882 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/78 , H01L29/7811 , H01L29/7825 , H01L29/7835 , H01L29/7838 , H01L29/8083
摘要： 本发明涉及半导体器件。半导体器件包含在包含主要表面的半导体衬底中形成的晶体管。晶体管包含源极区、漏极区、沟道区、和栅极电极。源极区和漏极区沿着第一方向被安置，第一方向与主要表面平行。沟道区具有沿着第一方向延伸的脊的形状，脊包含顶侧和第一侧壁和第二侧壁。栅极电极被安置在沟道区的第一侧壁处，并且栅极电极不在沟道区的第二侧壁处。
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公开(公告)号：CN104979360B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201410776215.2
申请日：2014-12-15
申请人： 力旺电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/112 , H01L27/11573 , H01L27/11526 , H01L27/11558 , H01L27/11524 , H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/51 , H01L23/525 , H01L23/528 , G11C5/06 , G11C16/04
CPC分类号： G11C5/06 , G11C16/0408 , G11C16/0425 , G11C16/0433 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/26 , G11C17/16 , G11C17/18 , H01L23/5252 , H01L23/528 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , H01L27/11529 , H01L27/11558 , H01L27/11573 , H01L29/0649 , H01L29/42328 , H01L29/42368 , H01L29/4916 , H01L29/512 , H01L29/7817 , H01L29/7835 , H01L29/93 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括衬底、存储元件以及选择晶体管。存储元件位于衬底上。选择晶体管位于衬底上且与存储元件电连接。选择晶体管包括选择栅极、第一介电层以及第二介电层。选择栅极位于衬底上。第一介电层与第二介电层相邻，且位于选择栅极与衬底之间。第一介电层比第二介电层邻近存储元件，且第一介电层的厚度大于第二介电层厚度。
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公开(公告)号：CN104979353B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201510150703.7
申请日：2015-04-01
申请人： 力旺电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/112 , H01L23/525 , H01L29/06 , H01L21/8246
CPC分类号： G11C5/06 , G11C16/0408 , G11C16/0425 , G11C16/0433 , G11C16/10 , G11C16/14 , G11C16/26 , G11C17/16 , G11C17/18 , H01L23/5252 , H01L23/528 , H01L27/11206 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , H01L27/11529 , H01L27/11558 , H01L27/11573 , H01L29/0649 , H01L29/42328 , H01L29/42368 , H01L29/4916 , H01L29/512 , H01L29/7817 , H01L29/7835 , H01L29/93 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开一种反熔丝单次可编程存储单元以及存储器的操作方法，其单次可编程只读存储单元包括：反熔丝单元及选择晶体管。反熔丝单元分别包括依序设置于基底上的反熔丝层与反熔丝栅极、修改的延伸掺杂区设置于反熔丝层下方的基底中以及设置于反熔丝栅极的相对两侧的基底中的第一掺杂区与第二掺杂区。选择晶体管，包括选择栅极、栅极介电层、第二掺杂区与第三掺杂区。选择栅极设置于基底上。栅极介电层设置于选择栅极与基底之间。第二掺杂区与第三掺杂区，分别设置于选择栅极的相对两侧的基底中。其中反熔丝层、反熔丝栅极与修改的延伸掺杂区构成可变电容器。
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公开(公告)号：CN104282745B
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201410328473.4
申请日：2014-07-11
申请人： 亚德诺半导体集团
发明人： E·J·考尼 , B·P·O·O·汉娜伊德 , S·P·威斯顿 , W·A·拉尼 , D·P·迈克奥里菲
IPC分类号： H01L29/775 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/78 , H01L29/063 , H01L29/0878 , H01L29/1083 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/42368 , H01L29/66477 , H01L29/66681 , H01L29/7824
摘要： 一种半导体器件，具有与半导体层毗连的第一层，还包括至少一个场修正结构，所述场修正结构定位成使得，在使用时，所述场修正结构处的电位使得修正所述半导体层与所述第一层之间的界面区域处的E场向量。
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