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公开(公告)号:CN102113090B
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN200980130447.8
申请日:2009-07-02
申请人: 硅绝缘体技术有限公司
IPC分类号: H01L21/20 , H01L33/00 , H01L31/18 , H01L21/58 , H01L21/762
CPC分类号: H01L33/0079 , H01L21/6835 , H01L31/1848 , H01L31/1852 , H01L31/1892 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/025 , H01L2221/68359 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要: 本发明涉及在目标基板上形成至少部分地松弛的应变材料的方法,该方法包括相继执行的以下步骤:在中间基板上从应变材料层形成岛;通过第一热处理来至少部分地松弛所述应变材料岛;以及,将所述至少部分地松弛的应变材料岛转移到所述目标基板。
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公开(公告)号:CN102113090A
公开(公告)日:2011-06-29
申请号:CN200980130447.8
申请日:2009-07-02
申请人: 硅绝缘体技术有限公司
IPC分类号: H01L21/20 , H01L33/00 , H01L31/18 , H01L21/58 , H01L21/762
CPC分类号: H01L33/0079 , H01L21/6835 , H01L31/1848 , H01L31/1852 , H01L31/1892 , H01L33/007 , H01L33/0095 , H01L33/025 , H01L2221/68359 , Y02E10/544 , Y02P70/521
摘要: 本发明涉及在目标基板上形成至少部分地松弛的应变材料的方法,该方法包括相继执行的以下步骤:在中间基板上从应变材料层形成岛;通过第一热处理来至少部分地松弛所述应变材料岛;以及,将所述至少部分地松弛的应变材料岛转移到所述目标基板。
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