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公开(公告)号：CN101743618A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200880024711.5
申请日：2008-07-25
申请人： 硅绝缘体技术有限公司 , 亚利桑那董事会代表亚利桑那大学
发明人： 尚塔尔·艾尔纳 , 克里斯蒂安·J·韦尔克霍芬 , 罗纳德·托马斯·小伯特伦 , 埃德·林多 , 苏巴实·马哈詹 , 兰詹·达塔 , 拉胡尔·阿贾伊·特里维迪 , 韩日洙
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02645 , H01L21/02647
摘要： 本发明提供了用于制造具有低缺陷密度并可选地具有选定的晶体极性的III族氮化物半导体材料的基本上连续的层的方法。该方法包括在多个以不规则方式排列在模板结构上的III族氮化物材料的柱形物/岛状物的上部外延生长成核和/或引晶。岛状物的上部具有低缺陷密度并可选地具有选定的晶体极性。本发明还包括具有基本上连续的掩蔽材料层的模板结构，通过该层显露出柱形物/岛状物的上部。本发明可应用于大范围的元素和化合物半导体材料。
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公开(公告)号：CN101743618B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200880024711.5
申请日：2008-07-25
申请人： 硅绝缘体技术有限公司 , 亚利桑那董事会代表亚利桑那大学
发明人： 尚塔尔·艾尔纳 , 克里斯蒂安·J·韦尔克霍芬 , 罗纳德·托马斯·小伯特伦 , 埃德·林多 , 苏巴实·马哈詹 , 兰詹·达塔 , 拉胡尔·阿贾伊·特里维迪 , 韩日洙
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02642 , H01L21/02645 , H01L21/02647
摘要： 本发明提供了用于制造具有低缺陷密度并可选地具有选定的晶体极性的III族氮化物半导体材料的基本上连续的层的方法。该方法包括在多个以不规则方式排列在模板结构上的III族氮化物材料的柱形物/岛状物的上部外延生长成核和/或引晶。岛状物的上部具有低缺陷密度并可选地具有选定的晶体极性。本发明还包括具有基本上连续的掩蔽材料层的模板结构，通过该层显露出柱形物/岛状物的上部。本发明可应用于大范围的元素和化合物半导体材料。
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公开(公告)号：CN101730926B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN200880023838.5
申请日：2008-07-25
申请人： 硅绝缘体技术有限公司 , 亚利桑那董事会代表亚利桑那大学
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/0242 , H01L21/0237 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02647
摘要： 本发明提供用于制造具有低缺陷密度的基本上连续的III族氮化物半导体材料层的方法。该方法包括在基础衬底上外延生长成核层、热处理所述成核层和外延生长不连续的掩蔽层。概述的这些方法通过掩蔽、湮灭和聚结促进了缺陷的减少，由此制得具有低缺陷密度的半导体结构体。本发明可应用于大范围的半导体材料，包括元素半导体如Si(硅)与应变Si(sSi)和/或Ge(锗)的组合，以及化合物半导体如II-VI族和III-V族化合物半导体材料。
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公开(公告)号：CN101730926A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200880023838.5
申请日：2008-07-25
申请人： 硅绝缘体技术有限公司 , 亚利桑那董事会代表亚利桑那大学
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/0242 , H01L21/0237 , H01L21/02521 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02647
摘要： 本发明提供用于制造具有低缺陷密度的基本上连续的III族氮化物半导体材料层的方法。该方法包括在基础衬底上外延生长成核层、热处理所述成核层和外延生长不连续的掩蔽层。概述的这些方法通过掩蔽、湮灭和聚结促进了缺陷的减少，由此制得具有低缺陷密度的半导体结构体。本发明可应用于大范围的半导体材料，包括元素半导体如Si(硅)与应变Si(sSi)和/或Ge(锗)的组合，以及化合物半导体如II-VI族和III-V族化合物半导体材料。
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公开(公告)号：CN102822944A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201180015070.9
申请日：2011-03-23
申请人： 索泰克公司 , 亚利桑那董事会代表亚利桑那大学
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/0237 , H01L21/02455 , H01L21/02458 , H01L21/02538 , H01L21/0254 , H01L21/02617 , H01L21/0262
摘要： 本发明的实施例涉及制造半导体结构的方法，并且涉及通过这类方法构成的半导体结构。在一些实施例中，这些方法可用于制造诸如InGaN的III-V族材料的半导体结构。通过使用多组不同的生长条件生长多个子层来制造半导体层，以提高所得层的均一性，提高所得层的表面粗糙度，和/或使所述层能够生长达到经增大的厚度，而应力弛豫并没有开始。
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公开(公告)号：CN102822944B
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201180015070.9
申请日：2011-03-23
申请人： 索泰克公司 , 亚利桑那董事会代表亚利桑那大学
IPC分类号： H01L21/203 , H01L21/205 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/2003 , H01L21/0237 , H01L21/02455 , H01L21/02458 , H01L21/02538 , H01L21/0254 , H01L21/02617 , H01L21/0262
摘要： 本发明的实施例涉及制造半导体结构的方法，并且涉及通过这类方法构成的半导体结构。在一些实施例中，这些方法可用于制造诸如InGaN的III-V族材料的半导体结构。通过使用多组不同的生长条件生长多个子层来制造半导体层，以提高所得层的均一性，提高所得层的表面粗糙度，和/或使所述层能够生长达到经增大的厚度，而应力弛豫并没有开始。
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