公开(公告)号：CN108728812A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201710269837.X

申请日：2017-04-24

申请人： 神华集团有限责任公司 ,  北京低碳清洁能源研究所

发明人： 宋斌斌 ,  郭凯 ,  于涛 ,  张传升 ,  左宁 ,  李新连 ,  赵树利

IPC分类号： C23C14/54 ,  C23C14/18 ,  C23C14/34

摘要： 本申请公开了一种薄膜的光学参数与制备工艺参数对应关系的确定方法，用于解决现有技术中不能定量地确定各层薄膜的致密度等性质的问题，包括：在多个预定制备工艺参数下分别制备薄膜；确定所述多个预定制备工艺参数下制备的各薄膜的光学参数，得到所述薄膜的光学参数与制备工艺参数对应关系，以便根据所述对应关系制备满足制备需求的薄膜。本申请还公开了一种制备薄膜的方法。

公开(公告)号：CN108538955B

公开(公告)日：2020-01-31

申请号：CN201710127908.2

申请日：2017-03-06

申请人： 神华集团有限责任公司 ,  北京低碳清洁能源研究所

发明人： 左宁 ,  于涛 ,  郭凯 ,  张传升 ,  宋彬彬 ,  李新连 ,  赵树利

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0749

摘要： 本发明涉及太阳能电池领域，具体提供了一种预处理装置和制备缓冲层的设备以及太阳能电池及其制备方法。所述制备缓冲层的方法包括将覆盖有吸收层的太阳能电池背电极经抽真空之后浸泡在水中，之后注入沉积反应液以在所述吸收层的表面通过化学水浴沉积形成缓冲层。采用本发明提供的方法制备缓冲层，能够显著提高相应的太阳能电池的光电转化效率。

公开(公告)号：CN108735825A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201710239748.0

申请日：2017-04-13

申请人： 神华集团有限责任公司 ,  北京低碳清洁能源研究所

发明人： 李新连 ,  于涛 ,  张传升 ,  宋斌斌 ,  郭凯 ,  左宁 ,  赵树利

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0749

摘要： 本发明提供了太阳能电池领域，具体公开了一种太阳能电池背电极和太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池背电极的制备方法包括采用磁控溅射法在基底的一侧表面上依次循环交替沉积高气压钼层和低气压钼层以作为底电极，不同高气压钼层的厚度各自独立地为30-200nm，不同低气压钼层的厚度各自独立地为40-300nm，沉积不同高气压钼层的压力各自独立地为0.7-3.0Pa，沉积不同低气压钼层的压力各自独立地为0.01-0.5Pa。本发明利用高、低气压下制备周期性多层交替钼层结构，能够使得到的太阳能电池背电极具有良好的电学性质、附着力及高温稳定性，同时降低其残余应力。

公开(公告)号：CN108735825B

公开(公告)日：2020-04-17

申请号：CN201710239748.0

申请日：2017-04-13

申请人： 神华集团有限责任公司 ,  北京低碳清洁能源研究所

发明人： 李新连 ,  于涛 ,  张传升 ,  宋斌斌 ,  郭凯 ,  左宁 ,  赵树利

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/0749

摘要： 本发明提供了太阳能电池领域，具体公开了一种太阳能电池背电极和太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池背电极的制备方法包括采用磁控溅射法在基底的一侧表面上依次循环交替沉积高气压钼层和低气压钼层以作为底电极，不同高气压钼层的厚度各自独立地为30‑200nm，不同低气压钼层的厚度各自独立地为40‑300nm，沉积不同高气压钼层的压力各自独立地为0.7‑3.0Pa，沉积不同低气压钼层的压力各自独立地为0.01‑0.5Pa。本发明利用高、低气压下制备周期性多层交替钼层结构，能够使得到的太阳能电池背电极具有良好的电学性质、附着力及高温稳定性，同时降低其残余应力。

公开(公告)号：CN108538955A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201710127908.2

申请日：2017-03-06

申请人： 神华集团有限责任公司 ,  北京低碳清洁能源研究所

发明人： 左宁 ,  于涛 ,  郭凯 ,  张传升 ,  宋彬彬 ,  李新连 ,  赵树利

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0749

摘要： 本发明涉及太阳能电池领域，具体提供了一种预处理装置和制备缓冲层的设备以及太阳能电池及其制备方法。所述制备缓冲层的方法包括将覆盖有吸收层的太阳能电池背电极经抽真空之后浸泡在水中，之后注入沉积反应液以在所述吸收层的表面通过化学水浴沉积形成缓冲层。采用本发明提供的方法制备缓冲层，能够显著提高相应的太阳能电池的光电转化效率。

公开(公告)号：CN108231915A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201611145360.6

申请日：2016-12-13

申请人： 神华集团有限责任公司 ,  北京低碳清洁能源研究所

发明人： 郭凯 ,  于涛 ,  张传升 ,  宋斌斌 ,  左宁 ,  李新连 ,  赵树利 ,  陈颉

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及CIGS薄膜太阳能电池领域，公开了一种CIGS薄膜太阳能电池制备方法，该电池包括依次层叠的衬底、金属背电极、铜铟镓硒薄膜、缓冲层、窗口层，所述铜铟镓硒薄膜的导带底比所述缓冲层材料的导带底高0.001～0.1eV。制备CIGS薄膜太阳能电池的方法包括：在衬底上依次层叠形成金属背电极、铜铟镓硒薄膜、缓冲层、窗口层，其中，所述铜铟镓硒薄膜的导带底比所述缓冲层的导带底高0.001‑0.1eV。本发明提供的CIGS薄膜太阳能电池具有无毒且高透过率的优点。