一种蒸镀掩膜板和OLED器件

    公开(公告)号:CN111676444B

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202010494508.7

    申请日:2020-06-03

    发明人: 温质康

    摘要: 本发明涉及蒸镀掩膜板技术领域,特别涉及一种蒸镀掩膜板和OLED器件,包括第一掩膜基板、第二掩膜基板和通电线圈,第一掩膜基板与第二掩膜基板相互贴合,通电线圈套设在第一掩膜基板外壁,使得在通电线圈通上电流时,第一掩膜基板和通电线圈构成一个磁铁,这样可以通过改变电流的方向来改变磁铁的阴阳极,也可以通过调节电流的大小来控制磁铁的磁性大小,进而来调节蒸镀掩膜板的极性和洛伦磁力的大小,实现蒸镀掩膜板的洛伦磁力和本身重力的平衡,以此消除蒸镀掩膜板被磁化带来的影响,从而提高蒸镀器件的良率,提高产品品质。

    一种柔性OLED基板剥离装置及剥离方法

    公开(公告)号:CN114783936A

    公开(公告)日:2022-07-22

    申请号:CN202210508799.X

    申请日:2022-05-10

    摘要: 本发明公开了一种柔性OLED基板剥离装置及剥离方法,包括用于放置基板的机台台板,所述机台台板的上放置有基板,所述基板的顶部表面设置有一层接触面,所述接触面的上方设置有使PI逐渐碳化脱落的激光发射头,所述激光发射头的一侧设置有CCD镜头,用于捕捉反射激光离激光发射时的位移量;通过在LLO设备的激光发射器旁设计CCD激光接受器,通过接受激光在翘曲面发生折射线,检测出激光发生折射之后的位移,逆算出基板翘曲高度,最终修改激光聚焦的位置,使激光始终聚焦在PI薄膜与玻璃的接触面,避免PI薄膜碳化不彻底,避免柔性器件撕裂的异常。

    一种靶材结构及其制作方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113699499A

    公开(公告)日:2021-11-26

    申请号:CN202111027798.5

    申请日:2021-09-02

    IPC分类号: C23C14/35

    摘要: 本发明涉及一种靶材结构及其制作方法,所述靶材结构包括铜背板,铜背板上设有靶材,所述靶材分隔成若干块设在铜背板上,每块靶材与铜背板之间设有绑定金属层,所述绑定金属层由铜铟合金成型,若干块靶材之间形成靶材间隙,所述靶材间隙设有填充物。本发明通过在靶材间隙处设置填充物,该填充物在磁控溅射的环境中,不会被高能电子轰击出原子,其化学结构稳定,由于靶材间隙中的铜背板是直接裸露的,该方案在靶材间隙填充填充物物不仅可以阻挡高能电子直接轰击裸露的铜背板,阻挡溅射出来的铜原子污染靶材材料以及器件中的薄膜纯度,而且作为靶材之间的中间填充物,有利于综合靶材由于热胀冷缩而产生的向左右拉伸的应力,减少靶材开裂和变形的风险。

    一种OLED器件支撑柱的结构及其制作方法

    公开(公告)号:CN113659095A

    公开(公告)日:2021-11-16

    申请号:CN202111062788.5

    申请日:2021-09-10

    摘要: 本发明公开了一种OLED器件支撑柱的结构及其制作方法,包括玻璃基板,玻璃基板上沉积有金属遮光层,且金属遮光层上面沉积一层缓冲层,缓冲层上沉积溅射一层有源层;有源层上沉积一层栅极绝缘层,栅极绝缘层上溅射一层金属栅极,金属层经过曝光显影蚀刻脱膜形成金属源极和金属漏极,金属源极和金属漏极通过钝化层的开孔图案与下层导体化后的非沟道区域的有源层进行欧姆搭接,并且金属源极与下层的金属遮光层搭接在一起。本发明可以增加玻璃基板与掩膜板的吸附力,减少了掩膜板和玻璃基板的缝隙,减少蒸镀薄膜的阴影区域的长度,避免混色异常的出现,并且避免了玻璃基板在掩膜板上滑落和掩膜板摩擦划伤的风险。

    一种激光切割的面板结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN112599568A

    公开(公告)日:2021-04-02

    申请号:CN202011409805.3

    申请日:2020-12-03

    IPC分类号: H01L27/32

    摘要: 本发明涉及激光切割的面板结构技术领域,特别涉及一种激光切割的面板结构及其制备方法,包括玻璃基板,玻璃基板的一侧面的非激光切割区域覆盖有遮光层,玻璃基板的一侧面的激光切割区域覆盖有切割金属层,这样使得在镭射切割工艺中,可以先对切割位置的切割金属层通电,使该层金属原子均带上正电荷,当激光切割该区域时,该区域的玻璃裂化形成玻璃颗粒,该玻璃颗粒上均有带正电荷的金属薄膜,在负数离子风的作用下,带正电荷的玻璃颗粒均被吸走,从而减少了镭射切割中玻璃颗粒的残留,提高了切割环境的洁净度提高切割良率。

    一种柔性Mini LED的封装结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN112467015A

    公开(公告)日:2021-03-09

    申请号:CN202011275850.4

    申请日:2020-11-16

    摘要: 本发明涉及Mini LED技术领域,特别涉及一种柔性Mini LED的封装结构及其制备方法,包括TFT驱动器件层和两个以上的LED灯珠,在TFT驱动器件层的一端面上依次层叠设有玻璃基板、反射层、有机缓冲层和水氧阻挡层,通过将两个以上的LED灯珠等间距嵌设在有机缓冲层中,并在LED灯珠的之间的间隙中加入水氧吸收颗粒,水氧吸收颗粒起到吸收渗透到LED灯珠的水氧,起到保护LED灯珠和延长LED灯珠寿命的作用;在水氧阻挡层上设置两个以上的聚焦凸透层,聚焦凸透层对应设置在相邻两个LED灯珠之间的间隙上方,提高了Mini LED显示器的亮度,减小拼接缝处的暗影面积,提高整体显示屏的亮度均匀性。

    一种检测薄膜膜厚的台阶仪及计算方法

    公开(公告)号:CN111998785A

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN202010894440.1

    申请日:2020-08-31

    IPC分类号: G01B11/06 G01D1/16 G06F17/15

    摘要: 本发明公开了一种检测薄膜膜厚的台阶仪及计算方法,驱动金刚石压头下压,获取金刚石压头压合薄膜样品的压力值;驱动第一CCD镜头测量所述金刚石压头对样品薄膜上金刚石压痕的对角线长度,获取金刚石压痕的对角线长度;获取的金刚石压痕的对角线长度和金刚石压头压合薄膜样品的压力值进行计算,获得金刚石压头压合薄膜的硬度;获取的金刚石压头压合薄膜的硬度与标准压痕长度进行计算,得出触针压头在当前薄膜样品下,触针压头压合薄膜样品的压力值。通过触针压头旁增设金刚石压头,检测自动算出金刚石压头对不同薄膜下压时,压痕的区域对角线长度,逆算计算出触针最佳的下压力大小,提高了薄膜厚度量测的准确性以及减少触针压头的损坏率。

    一种OLED器件TFE结构的制备方法

    公开(公告)号:CN115148943B

    公开(公告)日:2024-08-02

    申请号:CN202210861392.5

    申请日:2022-07-22

    摘要: 本发明提供一种OLED器件TFE结构的制备方法,涉及OLED器件技术领域。所述方法采用3~5层无机/有机的叠层结构,通过在非显示区域涂布有机隔绝保护膜,无机薄膜则可以整面性沉积在玻璃基板上,通过后期的干蚀和蚀刻剥离工艺将覆盖在外围线路和绑定区域的有机保护隔绝层蚀刻剥离,得到的OLED器件是既有薄膜封装区域也有露出的绑定区域,完全省去了TFE遮罩的制备步骤,并进一步节省了TFE遮罩定期维护及清洗的成本。

    一种化学气相沉积台板结构及其控制方法

    公开(公告)号:CN113652673B

    公开(公告)日:2023-11-24

    申请号:CN202111082244.5

    申请日:2021-09-15

    摘要: 本发明公开了一种化学气相沉积台板结构及其控制方法,包括腔体、阳极台板、玻璃基板、气孔扩散板、PIN、PIN孔和陶瓷套筒,所述阳极台板设于腔体内,所述玻璃基板活动设于阳极台板上壁上,所述PIN孔贯穿设于阳极台板上,所述陶瓷套筒固接设于PIN孔内;所述气孔扩散板设于腔体内,所述气孔扩散板设于玻璃基板上端,本发明属于显示面板制作技术领域,具体是指一种化学气相沉积台板结构及其控制方法,改善了台板PIN与台板阳极氧化薄膜的磨损缺陷,消除阳极台板与阴极气孔扩散板的异常放电,改善TFT器件电容击穿的问题。

    一种应力减少的薄膜晶体管结构及制作方法

    公开(公告)号:CN115696979A

    公开(公告)日:2023-02-03

    申请号:CN202211422744.3

    申请日:2022-11-15

    摘要: 本发明公开了一种应力减少的薄膜晶体管结构及制作方法,涉及薄膜晶体管技术领域。所述结构从下到上依次包括:玻璃基板、PI薄膜、保护隔离层、金属栅极层、栅极绝缘层、有源层、蚀刻阻挡层、金属源极和金属漏极、隔绝层、遮光层、平坦层、像素电极层、像素定义层以及OLED器件;其中,在TFT驱动器件与电容之间形成从平坦层贯穿至PI薄膜上表面的第二开孔,在两相邻OLED器件之间形成贯穿像素定义层的第四开孔,在第二开孔内和第四开孔内均填充有柔性填充层。本发明提供的一种应力减少的薄膜晶体管结构及制作方法,通过在TFT驱动器件与电容之间和在OLED器件像素点之间设置开孔并填充柔性填充层,减少了器件内应力的积累,提高器件的可弯折性。