公开(公告)号：CN118398664A

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN202410493939.X

申请日：2024-04-23

Applicant: 福建省晋华集成电路有限公司

Inventor： 张鼎 ,  卢燕端 ,  游晶晶 ,  刘韦廷

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本申请提供一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构随着尺寸的缩小而无法保证半导体结构的性能的技术问题，该半导体结构包括衬底、源极层、漏极层、沟道层、栅极结构、栅极介电层和介质层，源极层和漏极层堆叠设置于衬底上；沟道层位于源极层和漏极层之间；栅极结构位于沟道层侧壁上；栅极介电层位于栅极结构和沟道层之间；部分介质层设置于源极层与栅极结构之间；其中，源极层具有多个朝向衬底一侧延伸的凹陷，沟道层部分填入凹陷，并与源极层电性连接。本申请用于缩减半导体结构的尺寸，并提高半导体结构的性能。

公开(公告)号：CN222106726U

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202420853225.0

申请日：2024-04-23

Applicant: 福建省晋华集成电路有限公司

Inventor： 张鼎 ,  卢燕端 ,  游晶晶 ,  刘韦廷

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本申请提供一种半导体结构，涉及半导体技术领域，用于解决半导体结构随着尺寸的缩小而无法保证半导体结构的性能的技术问题，该半导体结构包括衬底、源极层、漏极层、沟道层、栅极结构、栅极介电层和介质层，源极层和漏极层堆叠设置于衬底上；沟道层位于源极层和漏极层之间；栅极结构位于沟道层侧壁上；栅极介电层位于栅极结构和沟道层之间；部分介质层设置于源极层与栅极结构之间；其中，源极层具有多个朝向衬底一侧延伸的凹陷，沟道层部分填入凹陷，并与源极层电性连接。本申请用于缩减半导体结构的尺寸，并提高半导体结构的性能。