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发明公开
半导体器件及其制作方法审中-实审

公开(公告)号：CN118354604A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202410444709.4

申请日：2024-04-12

申请人： 福建省晋华集成电路有限公司

发明人： 檀遵锟 , 游晶晶 , 吴坤林 , 刘韦廷

IPC分类号： H10B41/27 , H10B41/35 , H10B43/27 , H10B43/35

摘要： 本申请提供一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决器件性能较差的技术问题。该半导体器件包括堆叠结构、连接结构和第一绝缘层，连接结构贯穿堆叠结构，且包括位于堆叠结构内的金属芯、位于金属芯侧壁上的金属氧化物层以及位于金属氧化物层与金属芯之间的阻挡层。金属氧化物层与阻挡层的顶面不等高，金属氧化物层与堆叠结构直接接触。第一绝缘层直接接触金属芯的侧壁。第一绝缘层直接接触金属芯的侧壁，利用第一绝缘层将金属芯之间隔离，从而提高半导体器件的性能。