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发明公开
半导体器件及其制作方法审中-实审

公开(公告)号：CN117936458A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311725920.5

申请日：2023-12-14

申请人： 福建省晋华集成电路有限公司

发明人： 杜小琴 , 蔡建成 , 庄二鹏 , 林昭维 , 颜逸飞 , 陈辉煌

IPC分类号： H01L21/768

摘要： 本发明公开了一种半导体器件，其包含衬底、第一金属层位于所述衬底上、第一介电层位于所述第一金属层上、双镶嵌金属结构穿过所述第一金属层与所述第一介电层且部分位于所述衬底内、氧化半导体层位于所述双镶嵌金属结构与所述第一金属层之间、金属氧化物层位于所述氧化半导体层上且介于所述双镶嵌金属结构与所述氧化半导体层之间，其中所述氧化半导体层的顶面低于所述第一介电层的顶面，所述金属氧化物层包含两种及以上金属元素，并覆盖所述氧化半导体层的顶面。