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公开(公告)号：CN106463428B
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201580023431.2
申请日：2015-05-04
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G06T7/00 , G01N21/8851 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N21/95607 , G01N2021/8887 , G01N2021/95676 , G01N2201/06113 , G01N2201/10 , G01N2201/12 , G06T7/0008 , G06T7/001 , G06T2207/10056 , G06T2207/30148
摘要： 本发明提供用于检测光罩上的缺陷的系统及方法。实施例包含产生及/或使用包含光罩图案的成对的预定分段及对应近场数据的数据结构。可基于光罩的由光罩检验系统的检测器产生的实际图像通过回归来确定所述预定分段的所述近场数据。接着，检验光罩可包含：将所述光罩上的检验区中所包含的图案的两个或两个以上分段分别与所述预定分段进行比较；及基于所述分段中的至少一者最类似于的所述预定分段而将近场数据指派到所述分段中的所述至少一者。接着，可使用所述所指派近场数据来模拟将由所述检测器针对所述光罩形成的图像，可将所述图像与由所述检测器产生的实际图像进行比较以进行缺陷检测。
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公开(公告)号：CN104364605A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201380030349.3
申请日：2013-04-16
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G01B11/24 , H01L21/66 , H01L21/027 , G01N21/88
CPC分类号： G01B11/24 , G01B11/02 , G01B2210/56 , G01N21/8806 , G01N2201/06113 , G03F1/22 , G03F1/70
摘要： 本发明揭示用于促进使用光学检验工具检验样本的方法及设备。使用光学检验工具从EUV光罩获得指定跨越所述EUV光罩的强度变化的光学图像或信号，且将此强度变化转换为移除了杂散光校正CD变化的CD变化，以便产生不具有所述杂散光校正CD变化的临界尺寸均匀性CDU图谱。此经移除的杂散光校正CD变化起源于用于制作所述EUV光罩的设计数据，且此杂散光校正CD变化通常经设计以在光学光刻工艺期间补偿存在于光学光刻工具的视场FOV内的杂散光差异。将所述CDU图谱存储于例如所述检验工具或光学光刻系统的一或多个存储器装置中及/或显示于所述检验工具或光学光刻系统的显示装置上。
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公开(公告)号：CN115943301A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202180043613.1
申请日：2021-08-25
申请人： 科磊股份有限公司
摘要： 本发明提供用于设置样本的检验的方法及系统。一种系统包含一或多个计算机子系统，其经配置以获取样本的参考图像且修改所述参考图像以使所述参考图像适合于设计栅格以从而产生黄金栅格图像。所述一或多个计算机子系统还经配置以存储所述黄金栅格图像用于检验所述样本。所述检验包含使从检验子系统的输出产生的所述样本的测试图像与所述黄金栅格图像对准。
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公开(公告)号：CN111480179A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201880081260.2
申请日：2018-12-14
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G06T7/00
摘要： 本发明揭示用于检验光刻光罩的方法及设备。基于从设计数据库产生的光罩数据库图像来经由深度学习过程产生近场光罩图像，且基于所述近场光罩图像来经由基于物理的过程模拟检验系统的图像平面处的远场光罩图像。所述深度学习过程包含基于最小化所述远场光罩图像与通过使由所述设计数据库制造的训练光罩成像获取的多个对应训练光罩图像之间的差异来训练深度学习模型，且此类训练光罩图像根据图案多样性来选择且是无缺陷的。经由裸片到数据库过程来检验由所述设计数据库制造的测试光罩的测试区域的缺陷，所述裸片到数据库过程包含比较来自参考远场光罩图像的多个参考图像与由所述检验系统从所述测试光罩获取的多个测试图像。基于由所述经训练的深度学习模型产生的参考近场光罩图像来模拟所述参考远场光罩图像。
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公开(公告)号：CN104662543A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201380049662.1
申请日：2013-09-24
申请人： 科磊股份有限公司
CPC分类号： G06T7/001 , G06T2207/10056 , G06T2207/30148
摘要： 本发明揭示一种用于执行基于模型的对齐及临界尺寸测量的方法及系统。所述方法包含：利用成像装置来获得针对光掩模指定的测量部位的至少一个光学图像；检索光掩模的设计并利用所述成像装置的计算机模型来产生所述测量部位的至少一个所模拟图像；调整所述计算机模型的至少一个参数以使所模拟图像与所述光学图像之间的相异性最小化，其中所述参数包含至少图案对齐参数或临界尺寸参数；及在所述所模拟图像与所述光学图像之间的相异性被最小化时，报告所述计算机模型的所述图案对齐参数或所述临界尺寸参数。
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公开(公告)号：CN111837077B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201980018419.0
申请日：2019-02-26
申请人： 科磊股份有限公司
摘要： 本发明揭示一种系统，其包含：光源，其用于产生照射射束；及照射透镜系统，其用于朝向样本引导所述照射射束。所述系统进一步包含：收集透镜系统，其用于响应于所述照射射束而朝向检测器引导来自所述样本的输出光；及检测器，其用于从所述样本接收所述输出光。所述收集透镜系统包含具有可个别选择的滤波器的固定设计补偿器板，所述可个别选择的滤波器具有不同配置以便在不同操作条件下校正所述系统的系统像差。所述系统也包含控制器，其可操作用于：(i)产生并朝向所述样本引导所述照射射束，(ii)选择操作条件及滤波器以便在此些所选择操作条件下校正所述系统像差，(iii)基于所述输出光产生图像，及(iv)基于所述图像确定所述样本是否通过检验或表征此样本。
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公开(公告)号：CN117999474A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202380013729.X
申请日：2023-03-31
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G01N21/88 , G01N21/956 , G06T7/00 , G06N20/00 , G06V10/70
摘要： 一种检验系统可在第一过程步骤之后产生多个样本区的第一步骤图像且在第二过程步骤之后产生所述样本区的第二步骤图像，其中所述第二过程步骤在所述样本区中的至少一者中修改样本。所述系统可进一步将所述样本区中的一者识别为测试区且将剩余样本区中的至少一些识别为比较区，其中所述测试区的所述第二步骤图像是测试图像且所述比较区的所述第二步骤图像是比较图像。所述系统可进一步通过从所述测试图像删减第二步骤比较图像中的至少一者及所述第一步骤图像中的至少两者的组合而产生多步骤差异图像。所述系统可进一步基于所述多步骤差异图像识别与所述第二过程步骤相关联的所述测试区中的缺陷。
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公开(公告)号：CN104364605B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201380030349.3
申请日：2013-04-16
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G01B11/24 , H01L21/66 , H01L21/027 , G01N21/88
CPC分类号： G01B11/24 , G01B11/02 , G01B2210/56 , G01N21/8806 , G01N2201/06113 , G03F1/22 , G03F1/70
摘要： 本发明揭示用于促进使用光学检验工具检验样本的方法及设备。使用光学检验工具从EUV光罩获得指定跨越所述EUV光罩的强度变化的光学图像或信号，且将此强度变化转换为移除了杂散光校正CD变化的CD变化，以便产生不具有所述杂散光校正CD变化的临界尺寸均匀性CDU图谱。此经移除的杂散光校正CD变化起源于用于制作所述EUV光罩的设计数据，且此杂散光校正CD变化通常经设计以在光学光刻工艺期间补偿存在于光学光刻工具的视场FOV内的杂散光差异。将所述CDU图谱存储于例如所述检验工具或光学光刻系统的一或多个存储器装置中及/或显示于所述检验工具或光学光刻系统的显示装置上。
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公开(公告)号：CN111480179B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN201880081260.2
申请日：2018-12-14
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G06T7/00
摘要： 本发明揭示用于检验光刻光罩的方法及设备。基于从设计数据库产生的光罩数据库图像来经由深度学习过程产生近场光罩图像，且基于所述近场光罩图像来经由基于物理的过程模拟检验系统的图像平面处的远场光罩图像。所述深度学习过程包含基于最小化所述远场光罩图像与通过使由所述设计数据库制造的训练光罩成像获取的多个对应训练光罩图像之间的差异来训练深度学习模型，且此类训练光罩图像根据图案多样性来选择且是无缺陷的。经由裸片到数据库过程来检验由所述设计数据库制造的测试光罩的测试区域的缺陷，所述裸片到数据库过程包含比较来自参考远场光罩图像的多个参考图像与由所述检验系统从所述测试光罩获取的多个测试图像。基于由所述经训练的深度学习模型产生的参考近场光罩图像来模拟所述参考远场光罩图像。
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