公开(公告)号：CN110582842B

公开(公告)日：2021-02-23

申请号：CN201880029393.5

申请日：2018-05-04

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： K·沙赫 ,  A·J·克罗斯 ,  A·马尼

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01Q90/00

摘要： 在利用扫描电子显微镜进行检验或再检测期间可使用来自计量工具的信息。在场内对晶片的计量测量进行内插及/或外推，这形成经修改计量数据。使所述经修改计量数据与来自晶片的检验测量的缺陷属性相关联。基于所述缺陷属性及所述经修改计量数据而产生晶片再检测取样计划。在使用所述扫描电子显微镜对晶片进行再检测期间可使用所述晶片再检测取样计划。

公开(公告)号：CN111052331A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880056014.1

申请日：2018-08-29

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： M·普利哈尔 ,  B·达菲 ,  M·冯登霍夫 ,  A·克罗斯 ,  K·沙赫 ,  A·马尼

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 本发明提供用于识别在晶片上检测到的缺陷中的扰乱及所关注缺陷DOI的方法及系统。一种方法包含获取由在测量点的阵列处对所述晶片执行测量的计量工具产生的针对所述晶片的计量数据。在一个实施例中，所述测量点是在于所述晶片上检测所述缺陷之前且独立于在所述晶片上检测到的所述缺陷而确定的。所述方法还包含相对于所述晶片上的所述测量点的位置而确定在所述晶片上检测到的所述缺陷的位置，及基于相对于所述测量点的所述位置而确定的所述缺陷的所述位置来将计量数据作为缺陷属性指派给所述缺陷。另外，所述方法包含基于指派给所述缺陷的所述缺陷属性来确定所述缺陷是扰乱还是DOI。

公开(公告)号：CN111316173A

公开(公告)日：2020-06-19

申请号：CN201880072591.X

申请日：2018-06-24

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： G(俊)·侯 ,  纪方仁 ,  A·玛纳森 ,  L·叶鲁舍米 ,  A·马尼 ,  A·帕克 ,  S·潘戴夫 ,  A·舒杰葛洛夫 ,  J·马德森

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 本发明揭示一种用于在半导体制造过程中测量叠加的方法及系统，其包括：在经预先确定制造阶段捕获对象中的特征的图像；从所述图像导出图像参数的数量；及将所述数量转换成叠加测量。所述转换是参考在相同经预先确定制造阶段从具有已知OVL的特征的参考图像导出的图像参数数量。所述图像并非详细图像且所述特征的大小小于成像工具的分辨率。还揭示一种确定由检验工具使用的装置检验配方的方法，其包括：将装置图案识别为可能对OVL敏感的候选装置关注区域；导出对每一所识别图案的OVL响应；使所述OVL响应与所测量OVL相关；及基于所述相关性选择一些或所有所述装置图案作为装置关注区域。一些实施例使用可打印于裸片区域中或裸片上的新颖目标。

公开(公告)号：CN110582842A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201880029393.5

申请日：2018-05-04

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： K·沙赫 ,  A·J·克罗斯 ,  A·马尼

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01Q90/00

摘要： 在利用扫描电子显微镜进行检验或再检测期间可使用来自计量工具的信息。在场内对晶片的计量测量进行内插及/或外推，这形成经修改计量数据。使所述经修改计量数据与来自晶片的检验测量的缺陷属性相关联。基于所述缺陷属性及所述经修改计量数据而产生晶片再检测取样计划。在使用所述扫描电子显微镜对晶片进行再检测期间可使用所述晶片再检测取样计划。

公开(公告)号：CN111316173B

公开(公告)日：2024-02-20

申请号：CN201880072591.X

申请日：2018-06-24

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： G(俊)·侯 ,  纪方仁 ,  A·玛纳森 ,  L·叶鲁舍米 ,  A·马尼 ,  A·帕克 ,  S·潘戴夫 ,  A·舒杰葛洛夫 ,  J·马德森

IPC分类号： G03F7/20

摘要： 本发明揭示一种用于在半导体制造过程中测量叠加的方法及系统，其包括：在经预先确定制造阶段捕获对象中的特征的图像；从所述图像导出图像参数的数量；及将所述数量转换成叠加测量。所述转换是参考在相同经预先确定制造阶段从具有已知OVL的特征的参考图像导出的图像参数数量。所述图像并非详细图像且所述特征的大小小于成像工具的分辨率。还揭示一种确定由检验工具使用的装置检验配方的方法，其包括：将装置图案识别为可能对OVL敏感的候选装置关注区域；导出对每一所识别图案的OVL响应；使所述OVL响应与所测量OVL相关；及基于所述相关性选择一些或所有所述装置图案作为装置关注区域。一些实施例使用可打印于裸片区域中或裸片上的新颖目标。

公开(公告)号：CN111052331B

公开(公告)日：2021-03-23

申请号：CN201880056014.1

申请日：2018-08-29

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： M·普利哈尔 ,  B·达菲 ,  M·冯登霍夫 ,  A·克罗斯 ,  K·沙赫 ,  A·马尼

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 本发明提供用于识别在晶片上检测到的缺陷中的扰乱及所关注缺陷DOI的方法及系统。一种方法包含获取由在测量点的阵列处对所述晶片执行测量的计量工具产生的针对所述晶片的计量数据。在一个实施例中，所述测量点是在于所述晶片上检测所述缺陷之前且独立于在所述晶片上检测到的所述缺陷而确定的。所述方法还包含相对于所述晶片上的所述测量点的位置而确定在所述晶片上检测到的所述缺陷的位置，及基于相对于所述测量点的所述位置而确定的所述缺陷的所述位置来将计量数据作为缺陷属性指派给所述缺陷。另外，所述方法包含基于指派给所述缺陷的所述缺陷属性来确定所述缺陷是扰乱还是DOI。