公开(公告)号：CN112740355B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN201980061438.1

申请日：2019-09-28

申请人： 科磊股份有限公司 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所

发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 ,  银英·肖-李 ,  E·加西亚-贝里奥斯 ,  约翰·费尔登 ,  长尾昌善

IPC分类号： H01J37/073 ,  H01J37/04

摘要： 本发明揭示一种用于电子显微镜或类似装置的电子枪，其包含：场发射器阴极，其具有从单晶硅衬底的输出表面延伸的场发射器突出部；及电极，其经配置以增强来自所述场发射器突出部的尖端部分的电子发射以产生主电子束。连续SiC薄层使用最小化所述SiC层中的氧化及缺陷的过程直接安置于所述场发射器突出部的至少所述尖端部分上。任选栅极层可被放置于所述场发射器尖端部分的高度、略低于或略高于所述高度以实现高发射电流及所述主发射束的快速及精确控制。所述场发射器可经p型掺杂且经配置以在反向偏压模式中操作，或所述场发射器可经n型掺杂。

公开(公告)号：CN112740355A

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201980061438.1

申请日：2019-09-28

申请人： 科磊股份有限公司 ,  国立研究开发法人产业技术综合研究所

发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 ,  银英·肖-李 ,  E·加西亚-贝里奥斯 ,  约翰·费尔登 ,  长尾昌善

IPC分类号： H01J37/073 ,  H01J37/04

摘要： 本发明揭示一种用于电子显微镜或类似装置的电子枪，其包含：场发射器阴极，其具有从单晶硅衬底的输出表面延伸的场发射器突出部；及电极，其经配置以增强来自所述场发射器突出部的尖端部分的电子发射以产生主电子束。连续SiC薄层使用最小化所述SiC层中的氧化及缺陷的过程直接安置于所述场发射器突出部的至少所述尖端部分上。任选栅极层可被放置于所述场发射器尖端部分的高度、略低于或略高于所述高度以实现高发射电流及所述主发射束的快速及精确控制。所述场发射器可经p型掺杂且经配置以在反向偏压模式中操作，或所述场发射器可经n型掺杂。

公开(公告)号：CN114097061A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202080040629.2

申请日：2020-06-03

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 ,  银英·肖李 ,  E·加西亚-贝里奥斯 ,  约翰·费尔登

IPC分类号： H01J61/073 ,  H01J61/56

摘要： 本发明公开一种用于特征化系统的宽带紫外线照明源。所述宽带紫外线照明源包含：外壳，其具有一或多个壁，所述外壳经配置以容纳气体；及等离子体放电装置，其基于石墨烯‑电介质‑半导体(GOS)平面型结构。所述GOS结构包含具有顶表面的硅衬底、安置在所述硅衬底的所述顶表面上的电介质层及安置在所述电介质层的顶表面上的至少一层石墨烯。金属接点可形成在所述石墨烯层的所述顶表面上。所述GOS结构具有用于照明源中的若干优点，例如低操作电压(低于50V)、平面表面电子发射及与标准半导体工艺的兼容性。所述宽带紫外线照明源进一步包含放置在所述外壳内部的电极或放置在所述外壳外部的磁体以提高电流密度。

公开(公告)号：CN114097061B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202080040629.2

申请日：2020-06-03

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 ,  银英·肖李 ,  E·加西亚-贝里奥斯 ,  约翰·费尔登

IPC分类号： H01J61/073 ,  H01J61/56

摘要： 本发明公开一种用于特征化系统的宽带紫外线照明源。所述宽带紫外线照明源包含：外壳，其具有一或多个壁，所述外壳经配置以容纳气体；及等离子体放电装置，其基于石墨烯‑电介质‑半导体(GOS)平面型结构。所述GOS结构包含具有顶表面的硅衬底、安置在所述硅衬底的所述顶表面上的电介质层及安置在所述电介质层的顶表面上的至少一层石墨烯。金属接点可形成在所述石墨烯层的所述顶表面上。所述GOS结构具有用于照明源中的若干优点，例如低操作电压(低于50V)、平面表面电子发射及与标准半导体工艺的兼容性。所述宽带紫外线照明源进一步包含放置在所述外壳内部的电极或放置在所述外壳外部的磁体以提高电流密度。