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公开(公告)号：CN112740355B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201980061438.1
申请日：2019-09-28
申请人： 科磊股份有限公司 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 , 银英·肖-李 , E·加西亚-贝里奥斯 , 约翰·费尔登 , 长尾昌善
IPC分类号： H01J37/073 , H01J37/04
摘要： 本发明揭示一种用于电子显微镜或类似装置的电子枪，其包含：场发射器阴极，其具有从单晶硅衬底的输出表面延伸的场发射器突出部；及电极，其经配置以增强来自所述场发射器突出部的尖端部分的电子发射以产生主电子束。连续SiC薄层使用最小化所述SiC层中的氧化及缺陷的过程直接安置于所述场发射器突出部的至少所述尖端部分上。任选栅极层可被放置于所述场发射器尖端部分的高度、略低于或略高于所述高度以实现高发射电流及所述主发射束的快速及精确控制。所述场发射器可经p型掺杂且经配置以在反向偏压模式中操作，或所述场发射器可经n型掺杂。
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公开(公告)号：CN112740355A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN201980061438.1
申请日：2019-09-28
申请人： 科磊股份有限公司 , 国立研究开发法人产业技术综合研究所
发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 , 银英·肖-李 , E·加西亚-贝里奥斯 , 约翰·费尔登 , 长尾昌善
IPC分类号： H01J37/073 , H01J37/04
摘要： 本发明揭示一种用于电子显微镜或类似装置的电子枪，其包含：场发射器阴极，其具有从单晶硅衬底的输出表面延伸的场发射器突出部；及电极，其经配置以增强来自所述场发射器突出部的尖端部分的电子发射以产生主电子束。连续SiC薄层使用最小化所述SiC层中的氧化及缺陷的过程直接安置于所述场发射器突出部的至少所述尖端部分上。任选栅极层可被放置于所述场发射器尖端部分的高度、略低于或略高于所述高度以实现高发射电流及所述主发射束的快速及精确控制。所述场发射器可经p型掺杂且经配置以在反向偏压模式中操作，或所述场发射器可经n型掺杂。
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公开(公告)号：CN115136274B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202180015569.3
申请日：2021-02-01
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 , 约翰·费尔登
摘要： 本文中呈现用于实现基于高密度电子发射器阵列的高辐射X射线源的方法及系统。所述高辐射X射线源适合于半导体制造环境中的高通量X射线计量及检验。所述高辐射X射线源包含产生聚焦于小阳极区域上以产生高辐射X射线照明光的大电子电流的电子发射器阵列。在一些实施例中，跨所述电子发射器阵列的表面的电子电流密度是至少0.01安培/mm2，所述电子电流聚焦到具有小于100微米的最大范围尺寸的阳极区域上，且发射器之间的间距小于5微米。在另一方面中，发射电子从所述阵列加速到所述阳极以达到小于所要X射线发射线的能量的四倍的着陆能。
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公开(公告)号：CN117280552A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202280016659.9
申请日：2022-06-09
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 , 银英·肖李 , J·费尔登 , 张百钢
IPC分类号： H01S3/10
摘要： 一种可调谐激光器组合件使用1μm与1.1μm之间的基谐波长以通过引导所述基谐光通过扇出周期性极化非线性晶体的不同区域以产生对应不同降频转换信号及使用不同非线性求和晶体混合所述不同降频转换信号与所述基谐波长的五次谐波来交替产生184nm到200nm的范围内的两个或更多个输出波长的激光器输出光。每一非线性求和晶体具有以相对于光传播方向的角度对准的晶轴以促进所述五次谐波与相关联降频转换信号的高效传输及求和。响应于用户选择的输出波长，频率控制系统定位所述扇出周期性极化非线性晶体以产生对应降频转换信号频率且定位相关联非线性求和晶体以接收所述五次谐波及所述对应降频转换信号。
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公开(公告)号：CN110350386B
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN201910549260.7
申请日：2014-09-08
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄
摘要： 本发明揭示一种低噪声、高稳定性、深紫外光的连续波激光。具体的，一种用于产生深紫外光DUV的连续波CW光的激光包含二次谐波产生器及四次谐波产生器。所述四次谐波产生器包含多个镜以及第一及第二非线性光学NLO晶体。所述第一NLO晶体产生具有四次谐波波长的光，且经放置而与所述多个镜成操作关系。所述第二NLO晶体经放置而与所述第一NLO晶体成操作关系，使得具有二次谐波波长的光穿过所述第一NLO晶体及所述第二NLO晶体两者。注意，所述第二NLO晶体的第二光学轴围绕所述第二NLO晶体内光的传播方向相对于所述第一NLO晶体的第一光学轴旋转约90度。所述第二NLO晶体不提供波长转换。
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公开(公告)号：CN115428154A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202180025903.3
申请日：2021-04-08
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： A·哈德阿迪 , S·雅拉曼其里 , J·费尔登 , 勇-霍·亚历克斯·庄
IPC分类号： H01L27/146
摘要： 通过首先重度p型掺杂SOI晶片的薄顶部单晶硅衬底，接着在所述顶部硅衬底的顶表面上形成相对轻度p型掺杂外延层而制造图像传感器，其中控制此两个工艺期间的p型掺杂水平以在所述顶部硅衬底中产生p型掺杂剂浓度梯度。在所述外延层上制造感测(电路)元件及相关联金属互连件，接着至少部分移除所述SOI晶片的处置衬底及氧化物层以暴露所述顶部硅衬底或所述外延层的下表面，且接着在所述经暴露下表面上形成纯硼层。所述p型掺杂剂浓度梯度从顶部硅/外延层界面附近的最大水平单调递减到所述外延层的上表面处的最小浓度水平。
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公开(公告)号：CN114342035A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202080061976.3
申请日：2020-09-18
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： E·加西亚贝里奥斯 , J·约瑟夫·阿姆斯特朗 , 银英·肖-李 , J·费尔登 , 勇-霍·亚历克斯·庄
IPC分类号： H01J37/065 , H01J37/073 , H01J37/244 , H01J37/28
摘要： 一种光调制电子源利用光子束源来调制从硅基场发射器发射的电子束的发射电流。所述场发射器的阴极包含突出部，所述突出部经制造于硅衬底上且具有由涂层覆盖的发射尖端。提取器产生电场，所述电场将自由电子吸引朝向所述发射尖端以用于作为所述电子束的部分发射。所述光子束源产生包含具有大于硅的能带隙的能量的光子的光子束，且包含将所述光子束引导到所述发射尖端上的光学器件，其中每一经吸收的光子产生光电子，所述光电子与所述自由电子组合以增强所述电子束的发射电流。控制器通过控制施加到所述发射尖端的所述光子束的强度而调制所述发射电流。监测器测量所述电子束且提供反馈到所述控制器。
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公开(公告)号：CN114127589A
公开(公告)日：2022-03-01
申请号：CN202080049159.6
申请日：2020-07-08
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 , 银英·李 , E·洛基诺娃 , J·费尔登
IPC分类号： G02B1/02 , G02B27/10 , G02B1/113 , G02B5/30 , G03F7/20 , G01N21/88 , G01N21/95 , G02B5/08 , G02B3/00
摘要： 四硼酸锶可用作光学材料。四硼酸锶展现高折射率、高光学损坏阈值及高微硬度。四硼酸锶的透射窗涵盖从130nm到3200nm的非常广的波长范围，从而使所述材料在VUV波长下尤其有用。由四硼酸锶制成的光学组件可并入于光学系统中，例如半导体检验系统、计量系统或光刻系统。这些光学组件可包含镜面、透镜、透镜阵列、棱镜、光束分离器、窗、灯单元或布鲁斯特角光学器件。
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公开(公告)号：CN114097061A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202080040629.2
申请日：2020-06-03
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 勇-霍·亚历克斯·庄 , 银英·肖李 , E·加西亚-贝里奥斯 , 约翰·费尔登
IPC分类号： H01J61/073 , H01J61/56
摘要： 本发明公开一种用于特征化系统的宽带紫外线照明源。所述宽带紫外线照明源包含：外壳，其具有一或多个壁，所述外壳经配置以容纳气体；及等离子体放电装置，其基于石墨烯‑电介质‑半导体(GOS)平面型结构。所述GOS结构包含具有顶表面的硅衬底、安置在所述硅衬底的所述顶表面上的电介质层及安置在所述电介质层的顶表面上的至少一层石墨烯。金属接点可形成在所述石墨烯层的所述顶表面上。所述GOS结构具有用于照明源中的若干优点，例如低操作电压(低于50V)、平面表面电子发射及与标准半导体工艺的兼容性。所述宽带紫外线照明源进一步包含放置在所述外壳内部的电极或放置在所述外壳外部的磁体以提高电流密度。
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公开(公告)号：CN110071410B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201811389243.3
申请日：2012-06-28
申请人： 科磊股份有限公司
发明人： 弗拉基米尔·德里宾斯基 , 勇-霍·亚历克斯·庄 , 约瑟夫·J·阿姆斯特朗 , 约翰·费尔登
摘要： 本发明揭示一种具有高质量、稳定输出光束及长寿命高转换效率的非线性晶体的激光器。具体的，本发明揭示一种可以低温操作的锁模激光器系统，其可包含退火频率转换晶体及用以在所述低温标准操作期间维持所述晶体的退火状况的外壳。在一个实施例中，所述晶体可具有增加的长度。第一光束塑形光学器件可经配置以将来自光源的光束聚焦到位于所述晶体中或所述晶体接近处的光束腰处的椭圆形横截面。谐波分离块可将来自所述晶体的输出分成在空间上分离的不同频率的光束。在一个实施例中，所述锁模激光器系统可进一步包含第二光束塑形光学器件，其经配置以将椭圆形横截面的所要频率光束转换成具有例如圆形横截面的所要纵横比的光束。
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